Дом
>
ПРОДУКТЫ
>
Субстрат SiC
>
|
|
| Место происхождения | Китай |
| Фирменное наименование | zmkj |
| Номер модели | 6h-n, 4h-semi |
10 Mm x 10 Mm типа субстрата 6H Полу-изолируя SiC Кристл ранга исследования субстрата SiC
тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты для полупроводникового устройства, 4h-semi 4h-N кремниевого карбида подгонял квадратные вафли sic формы, 10 mm x 10 mm типа SiC 6H Полу-изолируя, ранга исследования, субстрата SiC Кристл
Зоны применения
1 диод высокочастотных и наивысшей мощности электронных устройств Schottky,
JFET, BJT, PiN, диоды, IGBT, MOSFET
2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)
Advantagement
• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона
Субстраты определяют размер стандарта
|
спецификация субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра (SiC) |
|||||||||
| Ранг | Нул рангов MPD | Ранг продукции | Ранг исследования | Фиктивная ранг | |||||
| Диаметр | 100,0 mm±0.5 mm | ||||||||
| Толщина | 350 μm±25μm (толщина 200-500um также в порядке) | ||||||||
| Ориентация вафли | С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N/4H-SI на оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Плотность Micropipe | см-2 ≤1 | см-2 ≤5 | см-2 ≤15 | см-2 ≤50 | |||||
| Резистивность | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•см | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•см | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·см | ||||||||
| Основная квартира и длина | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Вторичная плоская длина | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
| Вторичная плоская ориентация | Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0° | ||||||||
| Исключение края | 3 mm | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Шершавость | Польское Ra≤1 nm, CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Отказы светом высокой интенсивности | Никакие | 1 позволенный, ≤2 mm | Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm | ||||||
| Плиты наговора светом высокой интенсивности | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤3% | ||||||
| Зоны Polytype светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивная область ≤2% | Кумулятивная область ≤5% | ||||||
| Царапины светом высокой интенсивности | 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | ||||||
| обломок края | Никакие | 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое | 5 позволенных, ≤1 mm каждое | ||||||
| Загрязнение светом высокой интенсивности | Никакие | ||||||||
Вафлю Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер также можно обеспечить.
Изображения продуктов доставки раньше
RFQ
: вафли полупроводника и оптически объектив, зеркала, окна, фильтры, призмы
: Вообще срок поставки около один месяц для изготовленного на заказ произведенного запаса optics.except одни или некоторая особенная оптика.
: Мы можем обеспечить свободные образцы если мы имеем оптику запаса как ваша просьба, то пока изготовленные на заказ произведенные образцы не свободны.
MOQ 10pcs для большего части из вафли или объектива, пока MOQ смогло быть только цельно если вам нужен элемент в большом размере.
T/T, L/C, ВИЗА, PayPal, Alipay или переговоры.
Свяжитесь мы в любое время
