Ключевые слова [ semiconductor wafer ] совпадение 471 ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ >

semiconductor wafer Онлайн изготовитель

Категории

Вафля нитрида галлия

(40)

Вафля сапфира

(90)

Субстрат SiC

(132)

Сапфир оптически Виндовс

(77)

Кремниевая пластина ИК

(22)

Части сапфира

(114)

Синтетическая драгоценная камень

(74)

Оборудование полупроводника

(48)

Вафля LiNbO3

(18)

Вафля GaAs

(25)

Вафля фосфида индия

(34)

Синтетический сапфир штанга

(12)

Плита плавленного кварца

(40)

керамический субстрат

(25)

Оболочка лаборатории

(25)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Царапина качества поверхности вафли 60/40 сапфира/раскопки 20/10 40/20 60/40

Получите самую лучшую цену

Видео

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

Получите самую лучшую цену

Видео

вафли вафель BF33 субстрата толщины Borosilicate33 12inch dia300mm 0.7mm стеклянные

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая вафель из карбида кремния 6H-P толщина 350μm

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид SIC Wafer 10 * 10 мм 6H-P Толщина 350μm Для высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

Сик карбид кремния пластины типа 4H-P на оси 0° Используется для изготовления высокопроизводительных устройств

Получите самую лучшую цену

Кристаллы полупроводника LN методом CZ Czochralski для оптически применения

Получите самую лучшую цену

4'' 200nm AlScN на кремниевых пластинах SSP DSP Эпитаксиальные субстраты для светодиодных устройств

Получите самую лучшую цену

Части для сапфира на заказ Сапфировые блоки Чистые Al2O3 Прозрачные трубки Вафлеры Окна

Получите самую лучшую цену

2 дюйма 4H-P SIC Кремниевая карбидная пластина для фотоэлектрики Толщина 350 мкм Диаметр 50,8 мм Нулевой класс

Получите самую лучшую цену

4-дюймовая пластина из карбида кремния СиС 4H-P Тип Диаметр 100 мм Толщина 350 мкм Главный класс Исследовательский класс

Получите самую лучшую цену

Силиконовый карбид 6 дюймов Сик однокристаллический 150 мм диаметр 3C-N тип костюм для радиолокационных систем связи

Получите самую лучшую цену

55 мм/1010 мм Силиконовый карбид толщина вафли 350μm Sic 3C-N тип высокая механическая прочность

Получите самую лучшую цену

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия вафли GaN эффективности наивысшей мощности для с низким энергопотреблением освещения

Получите самую лучшую цену

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Получите самую лучшую цену

11 12 13 14 15 16 17 18