Это оборудование позволяет точное утолщение 4"-12" хрупких полупроводниковых материалов, включая кремний (Si), карбид кремния (SiC), галлиевый арсенид (GaAs) и сапфировые субстраты,достижение точности контроля толщины ±1 мкм и общей колебания толщины (TTV) ≤2 мкм для удовлетворения строгих требований передовой упаковки и производства силовых устройств.