Субстрат SiC

Все продукты

Вафля нитрида галлия (35)

Вафля сапфира (87)

Субстрат SiC (131)

Сапфир оптически Виндовс (76)

Кремниевая пластина ИК (22)

Синтетический сапфир штанга (12)

Плита плавленного кварца (40)

Части сапфира (114)

Синтетическая драгоценная камень (72)

Оборудование полупроводника (55)

Вафля LiNbO3 (18)

Вафля GaAs (24)

Вафля фосфида индия (34)

керамический субстрат (25)

Оболочка лаборатории (31)

Оставьте нам сообщение

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

8 дюймовый SiC эпитаксиальный субстрат MOS класс Prime класс 4H-N тип Большой диаметр

8 дюймовый SiC эпитаксиальный вафля Диаметр 200 мм Толщина 500 мкм Тип 4H-N

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Эпитаксиальные пластины SiC 4H-N, производственный класс

6 дюймовый диаметр эпитаксиальной пластинки SiC 150 мм 4H-N тип 4H-P тип для связи 5G

4-дюймовая эпитаксиальная пластина SiC 4H-N, диаметр 100 мм, толщина 350 мкм, класс Prime

Субстрат SiC

(131)

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик
контакт

субстраты очищенности 4инч СиК Субстратешигх кремниевого карбида особой чистоты 4Х Полу-изолируя, субстраты для субстратов полупроводника 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида 4инч кре... Подробнее

2019-07-10 17:43:54

Page 14 of 14|< << 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 >> >|