Китай SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта



Дом

О США

Направление компании

Путешествие фабрики

Проверка качества

Часто задаваемые вопросы

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

решения

Новости

Свяжитесь мы

Покупки

цитата

Дом SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Карта сайта

компания

О США

Свяжитесь мы

Блог

решения

ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

5 материал твердости 99,999% субстрата 9,0 сапфира дюйма Дя 125мм высокий Ал2О3

Небольшие квадратные компоненты сапфира/сопротивление носки изготовленного на заказ сапфира стеклянное

Субстрат SiC

4° Сверхоси SiC субстрат 2 дюйма Применения при высоких температурах Эпитаксиальная пластина

SiC Эпитаксиальная вафельная субстрат полупроводники Промышленное применение 4H-N

2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма SiC субстрат 330um Толщина 4H-N Тип Производственный класс

Выбор субстрата из карбида кремния (SiC) для высокостандартных промышленных приложений

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов 6 дюймов эпитаксическая толщина 2,5-120 мм для электропитания

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Исследование поддельный класс SIC эпитаксиальные субстраты

Сапфир оптически Виндовс

Двойной сапфир отполированный стороной Виндовс для применений опознавания отпечатка пальцев

Кремниевая пластина ИК

Чернота Полысиликон 8 слитков кремния кремниевой пластины ИК дюйма для процесса полупроводника

Провод увидел машину

Машина для резки многопроводной пилы для обработки природного камня

Машина для резки алмазной проволоки

Диамантовая одно- или многопроводная дротовая пила для обработки полупроводниковых пластин

Синтетический сапфир штанга

Сапфир штанга электронной керамики синтетический с 99,999% материалами Ал2О3

Плита плавленного кварца

Плита плавленного кварца ранга ГС1 синтетическая, плотность ³ окна 2.2г/км кварца оптически

Форма плавленного кварца 120 кс 120мм подгонянная плитой квадратная для электронного света

Части сапфира

Части для сапфира на заказ Сапфировые блоки Чистые Al2O3 Прозрачные трубки Вафлеры Окна

Части сапфира кристаллический оптический цилиндр линза твердость 9,0 высокая светопроницаемость на заказ

Сапфирные оптические детали Сапфирное стекло высокопроизводительное высокопрочное полированные палочки

Сапфировая стеклянная трубка Прозрачная однокристаллическая алюминиевая электроизоляционные свойства

AL2O3 Полировка сапфировых труб

Сапфир штанги одиночного Кристл для системы HPLC плунжера поршеня

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Магнитно-подвесный центробежный воздушный компрессор 45%-100% постоянного магнита с конверсией частоты

Стекло лазерная прецизионная режущая машина обработка стекла УФ лазерная система CNC

Части для прецизионной обработки с помощью лазерных перфораторов для маленьких столов с микрометрической диафрагмой

Сик кристаллическая печь PVT LPE HT-CVD высококачественный сик однокристаллический метод роста

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

N / П печатает вафлю германия, диаметр 0,5 плит оптики германия | 150мм

Вафли фосфида индия плит Ге материал полупроводника оптически превосходный

Основная/фиктивная толщина 350ум вафли фосфида индия ранга для ЛД

3,58 субстрат Кристл окиси магния вафли субстрата Мго плотности/Мго

керамический субстрат

Электрические свойства керамической вафли субстрата Ал2О3 превосходные для механических уплотнений

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

вафля шаблона GaN AlN нитрида галлия 2inch 4Inch на сапфире, субстратах Si

Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Шаблон ГаН растет ориентация таможни обломока субстрата несущей сапфира применения ССП

Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм

Вафля нитрида галлия полупроводника, шаблон н субстрата ГаН - дюйм типа 2

Вафля GaAs

N - Напечатайте вафле ГаАс арсенида галлия субстраты одиночного Кристл 2 до 6 дюйма

17 18 19 20 21 22 23 24