Сапфировая пластина от оси С к плоскости М 20° Al2O3 Диа 2"3"4"6"8"

Сапфировая пластина, отклонение от оси C к плоскости M 20° Al₂O₃ Диаметр 2"/3"/4"/6"/8", нестандартная ориентация

Эта сапфировая пластина сверхвысокой чистоты имеет отклонение от оси C к плоскости M 20° ориентацию с чистотой 99,999% (5N) Al₂O₃, разработанную для передового эпитаксиального роста и специализированных полупроводниковых применений. Доступна в стандартных диаметрах (от 2" до 8") с настраиваемыми ориентациями и толщинами, обеспечивает исключительную кристаллографическую точность, сверхнизкую плотность дефектов и превосходную термическую/химическую стабильность. Отклонение на 1° к оси M оптимизирует качество эпитаксиальной пленки для устройств на основе GaN, AlN и ZnO, что делает ее идеальной для высокопроизводительных светодиодов, лазерных диодов, силовой электроники и SAW/BAW фильтров.

Основные характеристики сапфировой пластины

Точная ориентация с отклонением:

20° отклонение от оси C к плоскости M , уменьшение дефектов ступенчатого скопления и улучшение однородности эпитаксиального слоя.

Нестандартные углы отклонения (0,2°–5°) доступны для специализированных применений.

Сверхвысокая чистота (5N Al₂O₃):

Чистота 99,999% со следовыми примесями (Fe, Ti, Si) <5 ppm, обеспечивая минимальные электрические/оптические потери.

Настраиваемые размеры и ориентации:

Диаметры: 2", 3", 4", 6", 8" 

Толщина: от 100 µм до 1000 µм (±5 µм допуск).

Альтернативные ориентации: плоскость A (1120), плоскость R (1102) или смешанные срезы по запросу.

Превосходное качество поверхности:

Полировка для эпитаксии: Ra <0,5 нм (лицевая сторона) для безупречного осаждения тонких пленок.

Двусторонняя полировка (DSP): Ra <0,3 нм для оптических применений.

Исключительные свойства материала:

Термическая стабильность: температура плавления ~2050°C, подходит для процессов MOCVD/MBE.

Оптическая прозрачность: >85% пропускания (от УФ до среднего ИК-диапазона: 250–5000 нм).

Механическая прочность: твердость 9 по шкале Мооса, устойчивость к химическому/абразивному износу.

Применение Сапфировая пластина

Оптоэлектроника:

Светодиоды/лазерные диоды на основе GaN: синие/УФ светодиоды, микро-светодиоды и лазеры с торцевым излучением.

Лазерные окна: компоненты для мощных CO₂ и эксимерных лазеров.

Силовая и радиочастотная электроника:

HEMT (высокоподвижные транзисторы): усилители мощности 5G/6G и радиолокационные системы.

SAW/BAW фильтры: ориентация по плоскости M улучшает пьезоэлектрические характеристики.

Промышленность и оборона:

ИК-окна и ракетные обтекатели: высокая прозрачность в экстремальных условиях.

Сапфировые датчики: коррозионностойкие крышки для суровых условий.

Квантовые и исследовательские технологии:

Подложки для сверхпроводящих кубитов (квантовые вычисления).

Нелинейная оптика: кристаллы SPDC для исследований квантовой запутанности.

Полупроводники и MEMS:

SOI (кремний на изоляторе) пластины для передовых интегральных схем.

MEMS резонаторы: высокочастотная стабильность с M-плоскостными срезами.

Спецификации

Вопросы и ответы

В1: Почему следует выбрать 20° отклонение от оси C к плоскости M для эпитаксии?
О1: Отклонение к оси M улучшает подвижность адатомов во время роста, уменьшая дефекты и повышая однородность в пленках GaN для устройств высокой мощности.

В2: Могу ли я запросить другие направления отклонения (например, ось A)?
О2: Да. Нестандартные ориентации (плоскость A, плоскость R или смешанные срезы) доступны с допуском ±0,1°.

В3: В чем преимущество DSP для лазерных применений?

О3: DSP обеспечивает <0,3 нм шероховатости с обеих сторон, уменьшая потери на рассеяние для высокомощной лазерной оптики.