6 дюймовый сапфирный вафли DSP Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Для электроэлектроники

6 дюймовый сапфирный вафли DSP Диаметр 150 мм Толщина 350 мкм Для электроэлектроники

6-дюймовый сапфировый пластинка представляет собой большой формат оптического класса субстрата, изготовленного из однокристаллического оксида алюминия (α-Al2O3) с использованием методов Edge-defined Film-fed Growth (EFG) или Kyropoulos (KY),с стандартными габаритами 150 mm±0В качестве критической подложки для полупроводников третьего поколения,6-дюймовый сапфировый пластинкасочетает в себе высокую оптическую проницаемость (>85% в видимом спектре), низкое несоответствие решетки (13% с GaN) и исключительную механическую стабильность, что делает его идеальным для производства светодиодов высокой яркости,МикросветодиодыЕго формат большой площади значительно повышает эффективность эпитаксиального производства при одновременном снижении затрат на чип.продвижение прогресса в области оптико-электроники и полупроводниковой промышленности.

 

Ключевые характеристики

 

1.6 дюймовый сапфирный вафлиКристальное качество:

· Плотность дислокации <103 см−2 с поверхностной шероховатостью Ra<0,3 нм (полированная в C-плоскости), отвечающая требованиям плоскости на атомном уровне для эпитаксии GaN.

· Точность ориентации кристаллов ±0,1° (доступна в направлениях C, R и A-плоскости).

 

 

2.6 дюймовый сапфирный вафлиоптическая производительность:

· 85% проницаемость в видимом спектре (400-800 нм) и > 80% в УФ диапазоне (250-400 нм), подходит для УФ фотонических устройств.

· Настраиваемые двусторонние полированные (DSP) или моделированные сапфировые субстратные (PSS) структуры для повышения эффективности извлечения светодиодного света более чем на 30%.

 

 

3.6 дюймовый сапфирный вафлиТермомеханическая стабильность:

· Точка плавления 2040°C с соответствующим CTE (5,3×10−6/°C до GaN), минимизируя трещины теплового напряжения во время эпитаксии.

· Устойчивы к плазме для процессов осаждения MOCVD/PECVD.

 

 

4.6 дюймовый сапфирный вафлиПреимущество большой площади:

· на 50% больше площади чипа на 6-дюймовую пластину по сравнению с 4-дюймовыми эквивалентами, что значительно снижает затраты на единицу производства.

 

 

---

 

Технические параметры

 

 

 

 

Недвижимость	6 дюймов
Диаметр	150±0,1 мм
Толщина	350±15 мм
	500 ± 15 мм
	1000±15 мм
Грубость	Ra ≤ 0,2 нм
Варп	≤ 15um
TTV	≤ 10мм
Скретч/Грабка	20/10
Польский	DSP (двойной стороной полированный); SSP ((одной стороной полированный)
Форма	Круглый, плоский 16 мм;Длина 22 мм; Длина 30/32,5 мм; Длина 47,5 мм; НОЦХ; НОЦХ;
Форма края	Форма 45°C
Материал	Кристалл сапфира, расплавленный кварц JGS1/JGS2; BF33, D263; стекло EXG.
Примечания	Все указанные выше характеристики могут быть настроены по вашему запросу

Основные применения

1. Производство светодиодов:
6-дюймовый сапфирный вафлиКак основной субстрат для эпитаксии GaN, 6-дюймовые сапфировые пластинки позволяют производить высокопроизводительные светодиоды высокой яркости и микро/микро-LED-дисплейные чипы, поддерживающие ультра-HD-дисплеи следующего поколения.

2Электротехника:
6-дюймовый сапфирный пластинкаиспользуется в устройствах HEMT с GaN на сапфире для базовых станций 5G и инверторов мощности электромобилей, требующих работы с высокой частотой/высокой мощностью.

3.ОПтические компоненты:
При точном полировании,6-дюймовый сапфирный пластинкаслужат окнами в экстремальных условиях (космические аппараты) или ультрафиолетовыми сенсорными субстратами с устойчивостью к излучению.

4.Sполупроводниковое оборудование:
6-дюймовый сапфирный пластинкаиспользуются в качестве коррозионностойких, высокоизоляционных (сопротивляемость > 1014 Ω·cm) несущих пластин для систем гравирования/ионной имплантации.