Сапфировая кристаллическая печь kyropoulos метод роста пузырей и оборудование для роста

Сапфировая кристаллическая печь kyropoulos метод роста пузырей и оборудование для роста

Кристаллизационная печь сапфира - это устройство для выращивания высококачественных кристаллов сапфира с использованием метода Киропулоса (технологии пузырьков).скорость подъема и условия охлаждения, устройство может выращивать сапфировые кристаллы больших размеров и с низким дефектом в условиях высокой температуры, которые широко используются в светодиоде, оптическом окне, полупроводниковой подложке и других областях.

Печь для роста сапфировых кристаллов - это оборудование для роста сапфировых однокристаллов с использованием метода нагрева сопротивления, с использованием принципа роста пузырьков может вырасти до 85-120 кг сапфировых кристаллов.Вакуумная камера, используемая для выращивания сапфира в оборудовании, имеет вертикальную структуруВакуумная камера, включая верхнюю крышку и нижнюю пластину, имеет двухслойную структуру охлаждения водой, и верхняя крышка может быть открыта.

Технический параметр

Принцип работы

1Стадия плавления:Сырье из высокочистого алюминия (Al2O3) помещают в тиггин и нагревают до более чем 2050 °C с помощью системы нагрева (например, сопротивление нагрева или индукционное нагревание), чтобы полностью растаять.

2. Инициация кристаллов семян:Кристалл сапфирового семени погружается в расплавление, и расплавление начинает кристаллизоваться на поверхности кристалла семени, точно контролируя температурный градиент и скорость тяги.

3Кристаллический рост:Постепенно поднимая кристалл семена и вращая кристалл, кристалл постепенно растет в направлении кристалла семена.оптимизированная конструкция теплового поля обеспечивает равномерное распределение температуры во время роста кристаллов и уменьшает дефекты.

4- охлаждение и отжигание:После завершения роста кристаллов температура медленно снижается, и процесс отжига осуществляется для высвобождения внутреннего напряжения и улучшения качества кристаллов.

Структура и характеристики продукта

1Система отопления:Сегментированный нагреватель (боковой и нижний) может самостоятельно контролировать температуру, оптимизировать поток плавления и распределение теплового поля.

2Система теплоизоляции:многослойный теплоизоляционный экран (например, вольфрамовый отображающий экран, графитовый теплоизоляционный экран), снижающий теплопотери, улучшающий однородность теплового поля.

3Система подъема и вращения:высокоточный механизм подъема (диапазон скорости подъема: 0,05-10 мм/ч) и вращающийся механизм для обеспечения стабильности и однородности во время роста кристаллов.

4Система охлаждения:система охлаждения циркулирующей водой (семенной стержень и корпус печи) для предотвращения локального перегрева, защиты оборудования и улучшения качества кристаллов.

5Вакуумная система:оборудован механическим насосом и диффузионным насосом, чтобы обеспечить степень вакуума в печи до 6,0 × 10−4Pa для уменьшения загрязнения примесями.

6Система управления:PLC + сенсорный экран управления, поддержки процесса параметров предварительного хранения и мониторинга в режиме реального времени, для достижения автоматической работы.

Основное преимущество

1Высококачественный рост кристаллов:Оптимизируя конструкцию теплового поля и точно контролируя параметры процесса, выращиваются сапфировые кристаллы с низкими дефектами (плотность дислокации < 1000/см2) и высокой однородностью.

2Кристаллы больших размеров:Поддержка производства 85-120 кг больших кристаллов сапфира для удовлетворения промышленных потребностей.

3Высокая урожайность:урожайность > 75%, что значительно снижает затраты на производство.

4Энергосбережение и высокая эффективность:Использование низкоэнергетического теплового поля и эффективной системы отопления для снижения потребления энергии.

5Автоматическая работа:Система автоматического управления, снижает зависимость от ручного опыта, цикл обучения эксплуатации всего 2-3 месяца.

6Модульная конструкция:Модульная структура оборудования, легкая в обслуживании и модернизации.