Детали продукта
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMSH
Сертификация: ROHS
Условия оплаты и доставки
Время доставки: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Режим полости Единообразие: |
<= 1% |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Уровень допинга Единообразие: |
<= 10% |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Режим полости Единообразие: |
<= 1% |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Уровень допинга Единообразие: |
<= 10% |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
N-GaAs субстрат VCSEL эпивофер 6 дюймовая ориентация GaAs 100 111 длина волны 940nm для гигабитного Ethernet
Н-ГАА субстрат VCSEL эпивоферы
ВЭпивоферы VCSEL с N-GaAs (галлиевым арсенидом n-типа)является критическим компонентом, используемым при изготовлении лазеров с вертикальной полостью поверхности (VCSEL).Пластинка построена на субстрате GaAs N-типа, который обеспечивает отличную электрическую проводимость и подходящую основу для роста эпитаксиального слоя.
Эпитаксиальные слои, обычно состоящие из различных полупроводников, выращиваются на подложке, чтобы сформировать активную область лазера.предлагает высокую эффективность и легкую интеграцию в массивы. Пластинка обычно поддерживает излучение на длинах волн, таких как850 или 940 нм, идеально подходит для применения в области волоконно-оптической связи и 3D-датчиков.
Субстраты N-GaAs обеспечиваютнизкая плотность дефектов, необходимые для высокопроизводительных устройств, и могут выдерживатьвысокотемпературная обработкаМеханическая устойчивость и теплопроводность делают его подходящим для высокомощных и высокоскоростных применений.Центры обработки данных,потребительская электроника(например, распознавание лиц в смартфонах) иавтомобильные системыкак LIDAR, из-за егоэкономически эффективныйимасштабируемыйПроизводство.
Структура эпивоферы N-GaAs субстрата VCSEL
Схема данных эпивоферы N-GaAs-субстрата VCSELZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)
Фотографии эпивоферы N-GaAs субстрата VCSEL
Применение эпивоферы VCSEL на субстрате N-GaAs
ВЭпивафер VCSEL с субстратом N-GaAsшироко используется в различных высокотехнологичных приложениях из-за его эффективного вертикального излучения света, масштабируемости и преимуществ производительности.
Оптическая связь:
3D-датчики:
LIDAR (Детекция и диапазон действия света):
Лазерные мыши и принтеры:
Медицинские и промышленные датчики:
Эти приложения подчеркивают универсальность и важность VCSEL с субстратом N-GaAs в современных технологиях.
Свойства эпивоферы N-GaAs субстрата VCSEL
ВЭпивафер VCSEL с субстратом N-GaAsобладает несколькими важными свойствами, которые делают его идеальным для передовых оптико-электронных приложений, особенно в высокоскоростных коммуникациях и технологиях обнаружения.
Высокая электропроводность:
Низкая плотность дефектов:
Высокая теплопроводность:
Нагрузка на длину волны:
Вертикальные выбросы:
Масштабируемость:
Температурная устойчивость:
Эти свойства делают эпивофер N-GaAs VCSEL идеальным для приложений, требующих высокоскоростной, эффективной и надежной оптоэлектронной производительности.
Эпивафер VCSEL с субстратом N-GaAs в ZMSH
ВЭпивоферы VCSEL с N-GaAs (галлиевым арсенидом n-типа)является жизненно важным компонентом для производства VCSEL, широко используемых воптическая связь,3D-датчики, иLIDARПостроенный на N-GaAs, вафля обеспечивает отличныеэлектропроводностьи прочную основу для выращивания эпитаксиальных слоев, позволяющих высокоэффективное вертикальное излучение света на таких длинах волны, как850 нми940 нм.
ZMSHпоставляет эти высококачественные пластины и обеспечивает надежность продукции с помощью передовых методов испытаний, таких какКартографирование ПЛ,Картографирование F-P, иРежим полостиЭти испытания помогают поддерживать низкую плотность дефектов и обеспечивают однородность пластин, что важно для высокопроизводительных приложений.длины волныи конфигурации, такие какVCSEL с одним соединением 940 нм, удовлетворяя различные промышленные потребности.
Благодаря детальному контролю качества и масштабируемости ZMSH, эти пластины идеально подходят для применения вЦентры обработки данных,потребительская электроника(например, распознавание лиц) иавтомобильные системы, предусматривающиеэкономически эффективныйинадежныйрешения.
Tags:
Видео
