тип вафля 2inch 3inch 4inch 6inch n германия GE с низким EPD

тип вафля 2inch 3inch 4inch 6inch n германия GE с низким EPD

Вафля Ge

Германий материал для делать полупроводниковые устройства и ультракрасные оптические приборы. Он играет важную роль в развитии полупроводниковой физики и полупроводниковой электроники. Германий имеет плавя плотность 5.32g/cm 3, германий может быть расклассифицирован как тонкий разбросанный металл, химическая стойкость германия, не взаимодействует с воздухом или водяным паром на комнатной температуре, но на ℃ 600~700, двуокись германия быстро произведена. Не работает с хлористо-водородной кислотой, разбавьте масляную серную кислоту. Когда сконцентрированная масляная серная кислота будет нагрета, германий медленно растворит. В азотноводородной кислоте и царской водке, германий легко растворен. Влияние решения алкалиа на германии очень слабо, но жидкий алкали в воздухе может сделать германий растворить быстро. Германий не работает с углеродом, поэтому он расплавлен в графитовом тигле и не будет загрязнен углеродом. Германий имеет хорошие свойства полупроводника, как подвижность электрона, дырочная подвижность и так далее. Развитие германия все еще имеет больший потенциал.

Спецификация

Дисплей продукта

Метод роста

Метод роста субстрата германия состоит из следующих шагов: обеспечивающ поддерживая субстрат, поддерживая субстрат кристаллический материал; Слой первого германия кристаллический растется первой эпитаксией температуры на поверхности поддерживая субстрата. Слой второго германия кристаллический растется второй эпитаксией температуры на поверхности слоя первого германия кристаллического, и первая температура ниже чем вторая температура. Преимущества присутствующего вымысла положить вперед вид процесса эпитаксиального роста германия низкой температуры, прежде всего, слой слоя германия, эпитаксиальный рост германия роста низкой температуры тариф низок, характеристики двухмерные роста и полную релаксацию, этот тонкий слой слоя германия на низкую температуру имеют много дефектов, прональных, который нужно усилить ослабленный и уничтожение вывихивания, затем, после этого слой высокотемпературного эпитаксиального слоя германия роста, скорость роста слоя, одиночный кристаллический слой германия с высокой кристаллической массой и полная релаксация можно получить.