Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля фосфида индия >
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP
  • Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP
  • Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP
  • Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP

Место происхождения КИТАЙ
Фирменное наименование zmkj
Номер модели InP-2INCH
Детали продукта
Материалы:
Кристалл InP одиночный
Индустрия:
субстраты полупроводника, прибор,
Цвет:
Черный
Тип:
полу- тип
Диаметр:
100mm 4inch
Толщина:
625um или 350um
Пакет:
одиночный случай вафли
Высокий свет: 

вафля фосфида индия 50mm

,

Semi изолируя вафля фосфида индия

,

тип вафля n inp

Характер продукции

вафля фосфида индия InP ранга 2inch dia50.8mm n типа фиктивная основная

Полу-изолируя вафля для лазерного диода LD, вафля InP фосфида индия 4inch полупроводника, вафля InP 3inch, одиночные кристаллические субстраты для применения LD, вафля InP wafer2inch 3inch 4inch полупроводника, вафля InP, одиночная кристаллическая вафля

 

 

InP вводит

                                                                                                         

 

 

Кристалл InP одиночный
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 0

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 1

 рост (доработанный метод Czochralski) использован для того чтобы вытянуть одиночное

 

кристалл через борную жидкость окиси encapsulant старт с семенем.

Dopant (Fe, s, Sn или Zn) добавлен к тиглю вместе с polycrystal. Высокое давление приложено внутри камеры предотвратить декомпозицию компании индия Phosphide.he начинало процесс для того чтобы произвести кристалл полностью stoechiometric, особой чистоты и низкой плотности дислокации inP одиночный.

Метод tCZ улучшает на спасибо метода LEC

к термальной технологии дефлектора в связи с численным

моделирование термальных условий роста. tCZ рентабельное

зрелая технология с высококачественной воспроизводимостью от boule к boule

 

Спецификация

                                                                                                   

 

Fe дал допинг InP

Полу-изолируя спецификации InP

 

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

 

n- и p типа InP

Полу-проводя спецификации InP

Метод роста VGF
Dopant n типа: S, Sn И Undoped; p типа: Zn
Форма вафли Круг (DIA: 2", 3", И 4")
Поверхностная ориентация (100) ±0.5°

Ориентации *Other возможно доступные по требованию

Dopant S & Sn (n типа) Undoped (n типа) Zn (p типа)
Концентрация несущей (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (1-10) (0.8-8) ×1018
Подвижность (см2 /V.S.) × 103 (1-2.5) × 103 (3-5) 50-100
Вытравите плотность тангажа (см2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Диаметр вафли (mm) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Толщина (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
(mm) 17±1 22±1 32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

 

Обработка вафли InP
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 0
Каждый слиток отрезан в вафли которые сложены, отполированный и поверхность подготовленную для эпитаксии. Общий процесс детализирован hereunder.

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Плоские спецификация и идентификация Ориентация показана на вафлях 2 квартирами (длиной плоскими для ориентации, небольшой квартиры для идентификации). Обычно стандарт E.J. (Европейск-японский) использован. Другая плоская конфигурация (США) главным образом использована на Ø 4" вафли.
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Ориентация boule Или точные (100) или misoriented вафли предложены.
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Точность ориентации В ответ на потребности электронно-оптической индустрии, мы вафли предложений с превосходной точностью ориентации: < 0="">
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Профиль края 2 общих спецификации: химический край обрабатывая или механический обрабатывая края (с точильщиком края).
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Полировать Вафли отполированы посредством химикат-механического процесса приводящ в плоской, свободной от повреждени поверхности. мы обеспечиваем обе вдухсторонних отполированных и односторонних отполированных (с сложенных и вытравленных назад стороной) вафли.
Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 3
Окончательные подготовка поверхности и упаковка Вафли идут через много химических шагов извлечь окись произведенную во время полировать и создать чистую поверхность со стабилизированным и равномерным слоем окиси который готов для эпитаксиального роста - epiready поверхность и это уменьшают прослеживающие элементы к весьма - низшие уровни. После финальной инспекции, вафли упакованы в пути который поддерживает поверхностную чистоту.
Специфические инструкции для удаления окиси доступны для всех типов эпитаксиальных технологий (MOCVD, MBE).
 

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 9

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 10

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 11

Пакет & доставка

 

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 12

Semi изолируя 2 тип фиктивная вафля дюйма 50mm n фосфида индия InP 13

вопросы и ответы:

Q: Что ваши MOQ и срок поставки?

: (1) для инвентаря, MOQ 5 ПК.

(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10-30 ПК вверх.

  (3) для подгонянных продуктов, срок поставки в 10days, custiomzed размер для 2-3weeks

 

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас