SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86-1580-1942596 eric_wang@zmsh-materials.com
Laser Diode InP  Indium Phosphide Wafer 100mm Diameter Black Color

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

  • Высокий свет

    Вафля фосфида индия лазерного диода

    ,

    Вафля фосфида индия InP

    ,

    Вафля inp лазерного диода

  • материалы
    Кристалл InP одиночный
  • Индустрия
    субстраты полупроводника, прибор,
  • Цвет
    Черный
  • Тип
    полу- тип
  • Диаметр
    100mm 4inch
  • Толщина
    625um или 350um
  • Место происхождения
    КИТАЙ
  • Фирменное наименование
    zmkj
  • Номер модели
    InP-3INCH
  • Количество мин заказа
    10pcs
  • Цена
    by case
  • Упаковывая детали
    одиночный случай вафли
  • Время доставки
    3-4Векс
  • Поставка способности
    1000pcs/month

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

Полу-изолируя вафля для лазерного диода LD, вафля InP фосфида индия 4inch полупроводника, вафля InP 3inch, одиночные кристаллические субстраты для применения LD, вафля InP wafer2inch 3inch 4inch полупроводника, вафля InP, одиночная кристаллическая вафля

 

InP вводит

                                                                                                         
Кристалл InP одиночный
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 0

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 1

 рост (доработанный метод Czochralski) использован для того чтобы вытянуть одиночное

 

кристалл через борную жидкость окиси encapsulant старт с семенем.

Dopant (Fe, s, Sn или Zn) добавлен к тиглю вместе с polycrystal. Высокое давление приложено внутри камеры предотвратить декомпозицию компании индия Phosphide.he начинало процесс для того чтобы произвести кристалл полностью stoechiometric, особой чистоты и низкой плотности дислокации inP одиночный.

Метод tCZ улучшает на спасибо метода LEC

к термальной технологии дефлектора в связи с численным

моделирование термальных условий роста. tCZ рентабельное

зрелая технология с высококачественной воспроизводимостью от boule к boule

 

Спецификация

                                                                                                   

 

Fe дал допинг InP

Полу-изолируя спецификации InP

Метод роста VGF
Dopant Утюг (FE)
Форма вафли Круг (DIA: 2", 3", И 4")
Поверхностная ориентация (100) ±0.5°

Ориентации *Other возможно доступные по требованию

Резистивность (Ω.cm) ≥0.5 × 107
Подвижность (см2 /V.S) ≥ 1 000
Вытравите плотность тангажа (см2) 1,500-5,000

 

Диаметр вафли (mm) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Толщина (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
(mm) 17±1 22±1 32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

 

n- и p типа InP

Полу-проводя спецификации InP

Метод роста VGF
Dopant n типа: S, Sn И Undoped; p типа: Zn
Форма вафли Круг (DIA: 2", 3", И 4")
Поверхностная ориентация (100) ±0.5°

Ориентации *Other возможно доступные по требованию

Dopant S & Sn (n типа) Undoped (n типа) Zn (p типа)
Концентрация несущей (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (1-10) (0.8-8) ×1018
Подвижность (см2 /V.S.) × 103 (1-2.5) × 103 (3-5) 50-100
Вытравите плотность тангажа (см2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Диаметр вафли (mm) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Толщина (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
(mm) 17±1 22±1 32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

 

Обработка вафли InP
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 0
Каждый слиток отрезан в вафли которые сложены, отполированный и поверхность подготовленную для эпитаксии. Общий процесс детализирован hereunder.

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Плоские спецификация и идентификация Ориентация показана на вафлях 2 квартирами (длиной плоскими для ориентации, небольшой квартиры для идентификации). Обычно стандарт E.J. (Европейск-японский) использован. Другая плоская конфигурация (США) главным образом использована на Ø 4" вафли.
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Ориентация boule Или точные (100) или misoriented вафли предложены.
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Точность ориентации В ответ на потребности электронно-оптической индустрии, мы вафли предложений с превосходной точностью ориентации: < 0="">
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Профиль края 2 общих спецификации: химический край обрабатывая или механический обрабатывая края (с точильщиком края).
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Полировать Вафли отполированы посредством химикат-механического процесса приводящ в плоской, свободной от повреждени поверхности. мы обеспечиваем обе вдухсторонних отполированных и односторонних отполированных (с сложенных и вытравленных назад стороной) вафли.
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
Окончательные подготовка поверхности и упаковка Вафли идут через много химических шагов извлечь окись произведенную во время полировать и создать чистую поверхность со стабилизированным и равномерным слоем окиси который готов для эпитаксиального роста - epiready поверхность и это уменьшают прослеживающие элементы к весьма - низшие уровни. После финальной инспекции, вафли упакованы в пути который поддерживает поверхностную чистоту.
Специфические инструкции для удаления окиси доступны для всех типов эпитаксиальных технологий (MOCVD, MBE).
Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 3
База данных Как часть наших статистически управления производственным процессом/полной программы управления качеством, обширная база данных записывая электрические и механические свойства для каждых слитка так же, как кристаллического анализа качества и поверхностных вафель доступна. На каждом этапе изготовления, продукт проверен перед проходить к следующему этапу для поддержания высокого уровня качественной последовательности от вафли к вафле и от boule к boule.

 

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 10Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 11

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 12

Пакет & доставка

 

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 13

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 14

вопросы и ответы:

Q: Что ваши MOQ и срок поставки?

: (1) для инвентаря, MOQ 5 ПК.

(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10-30 ПК вверх.

  (3) для подгонянных продуктов, срок поставки в 10days, custiomzed размер для 2-3weeks