ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля фосфида индия > Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

Категории

защитное прозрачное стекло сапфира

(30)

Синтетическая драгоценная камень

(67)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

Name: Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: InP-3INCH
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Детали продукта

Место происхождения: КИТАЙ

Фирменное наименование: zmkj

Номер модели: InP-3INCH

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10pcs

Цена: by case

Упаковывая детали: одиночный случай вафли

Время доставки: 3-4Векс

Поставка способности: 1000pcs/month

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                Вафля фосфида индия лазерного диода, Вафля фосфида индия InP, Вафля inp лазерного диода
                              

материалы:	Кристалл InP одиночный	Индустрия:	субстраты полупроводника, прибор,
Цвет:	Черный	Тип:	полу- тип
Диаметр:	100mm 4inch	Толщина:	625um или 350um

материалы:	Кристалл InP одиночный
Индустрия:	субстраты полупроводника, прибор,
Цвет:	Черный
Тип:	полу- тип
Диаметр:	100mm 4inch
Толщина:	625um или 350um

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

Полу-изолируя вафля для лазерного диода LD, вафля InP фосфида индия 4inch полупроводника, вафля InP 3inch, одиночные кристаллические субстраты для применения LD, вафля InP wafer2inch 3inch 4inch полупроводника, вафля InP, одиночная кристаллическая вафля

InP вводит

Кристалл InP одиночный

рост (доработанный метод Czochralski) использован для того чтобы вытянуть одиночное

кристалл через борную жидкость окиси encapsulant старт с семенем.

Dopant (Fe, s, Sn или Zn) добавлен к тиглю вместе с polycrystal. Высокое давление приложено внутри камеры предотвратить декомпозицию компании индия Phosphide.he начинало процесс для того чтобы произвести кристалл полностью stoechiometric, особой чистоты и низкой плотности дислокации inP одиночный.

Метод tCZ улучшает на спасибо метода LEC

к термальной технологии дефлектора в связи с численным

моделирование термальных условий роста. tCZ рентабельное

зрелая технология с высококачественной воспроизводимостью от boule к boule

Спецификация

Fe дал допинг InP

Полу-изолируя спецификации InP

Метод роста	VGF
Dopant	Утюг (FE)
Форма вафли	Круг (DIA: 2", 3", И 4")
Поверхностная ориентация	(100) ±0.5°

Ориентации *Other возможно доступные по требованию

Резистивность (Ω.cm)	≥0.5 × 107
Подвижность (см² /V.S)	≥ 1 000
Вытравите плотность тангажа (см²)	1,500-5,000

Диаметр вафли (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Толщина (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
(mm)	17±1	22±1	32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

n- и p типа InP

Полу-проводя спецификации InP

Метод роста	VGF
Dopant	n типа: S, Sn И Undoped; p типа: Zn
Форма вафли	Круг (DIA: 2", 3", И 4")
Поверхностная ориентация	(100) ±0.5°

Ориентации *Other возможно доступные по требованию

Dopant	S & Sn (n типа)	Undoped (n типа)	Zn (p типа)
Концентрация несущей (cm-3)	(0.8-8) × 1018	× 1015 (1-10)	(0.8-8) ×1018
Подвижность (см² /V.S.)	× 103 (1-2.5)	× 103 (3-5)	50-100
Вытравите плотность тангажа (см²)	100-5,000	≤ 5000	≤ 500

Диаметр вафли (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Толщина (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
(mm)	17±1	22±1	32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Примечание: Другие спецификации возможно доступные по требованию

Обработка вафли InP

Каждый слиток отрезан в вафли которые сложены, отполированный и поверхность подготовленную для эпитаксии. Общий процесс детализирован hereunder.

Плоские спецификация и идентификация	Ориентация показана на вафлях 2 квартирами (длиной плоскими для ориентации, небольшой квартиры для идентификации). Обычно стандарт E.J. (Европейск-японский) использован. Другая плоская конфигурация (США) главным образом использована на Ø 4" вафли.

Ориентация boule	Или точные (100) или misoriented вафли предложены.

Точность ориентации	В ответ на потребности электронно-оптической индустрии, мы вафли предложений с превосходной точностью ориентации: < 0="">

Профиль края	2 общих спецификации: химический край обрабатывая или механический обрабатывая края (с точильщиком края).

Полировать	Вафли отполированы посредством химикат-механического процесса приводящ в плоской, свободной от повреждени поверхности. мы обеспечиваем обе вдухсторонних отполированных и односторонних отполированных (с сложенных и вытравленных назад стороной) вафли.

Окончательные подготовка поверхности и упаковка	Вафли идут через много химических шагов извлечь окись произведенную во время полировать и создать чистую поверхность со стабилизированным и равномерным слоем окиси который готов для эпитаксиального роста - epiready поверхность и это уменьшают прослеживающие элементы к весьма - низшие уровни. После финальной инспекции, вафли упакованы в пути который поддерживает поверхностную чистоту. Специфические инструкции для удаления окиси доступны для всех типов эпитаксиальных технологий (MOCVD, MBE).

База данных	Как часть наших статистически управления производственным процессом/полной программы управления качеством, обширная база данных записывая электрические и механические свойства для каждых слитка так же, как кристаллического анализа качества и поверхностных вафель доступна. На каждом этапе изготовления, продукт проверен перед проходить к следующему этапу для поддержания высокого уровня качественной последовательности от вафли к вафле и от boule к boule.

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 10

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода 12

Пакет & доставка

вопросы и ответы:

Q: Что ваши MOQ и срок поставки?

: (1) для инвентаря, MOQ 5 ПК.

(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10-30 ПК вверх.

(3) для подгонянных продуктов, срок поставки в 10days, custiomzed размер для 2-3weeks

Tags:

В качестве арсенида индия 2 дюймов 3 дюймов 4 дюймов однокристаллический субстрат N/P Тип полупроводников Толщина пластинки 300-800um

Получите самую лучшую цену

Германный субстрат ГЭ Плоские окна Оптические линзы Приложения для термоизоляции и инфракрасной спектроскопии Высокая твердость

Получите самую лучшую цену

Гегерманиевые вафры полупроводниковые субстраты <111> Концентрирующие фотоэлектрические CPV

Получите самую лучшую цену

Оксид магния чистота 95% MgO пленка субстрат 5x5 10x10 20x20 Толщина 0,5 мм 1,0 мм ориентация <001> <110> <111>

Получите самую лучшую цену

InP Лазерная эпитаксиальная пластина Индий фосфидная пластина DFB/EML Эпитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения

Получите самую лучшую цену

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Синтетический сапфир штанга

Кремниевая пластина ИК

Плита плавленного кварца

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Цвет черноты диаметра вафли 100mm фосфида индия InP лазерного диода

Вафля фосфида индия лазерного диода

Вафля фосфида индия InP

Вафля inp лазерного диода

субстрат мго,

Вафля зазора,

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира