Детали продукта
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: штанга семени
Условия оплаты и доставки
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: by case
Упаковывая детали: Фильмы ЛЮБИМЦА
Время доставки: 20days
Поставка способности: 1000pcs
Материалы: |
99,999% Ал2О3 |
Применение: |
вафля семикондутор, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, электронная керамика, нося |
адвантагемент: |
высокое харднесс9.0, сопротивление носки, |
Пропускаемость ВисВисибле светлая трансмиттансеВисибле светлая: |
85% |
цвет: |
красный и белый |
Тип: |
Одиночное Кристл |
Формы: |
штанга и штанга квадрата |
поверхность: |
сложенный |
Материалы: |
99,999% Ал2О3 |
Применение: |
вафля семикондутор, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, электронная керамика, нося |
адвантагемент: |
высокое харднесс9.0, сопротивление носки, |
Пропускаемость ВисВисибле светлая трансмиттансеВисибле светлая: |
85% |
цвет: |
красный и белый |
Тип: |
Одиночное Кристл |
Формы: |
штанга и штанга квадрата |
поверхность: |
сложенный |
штанга для растущего сапфирового стекла, Ал2О3 одиночное кристаллическое стекло семени сапфира, слитки оптически стекла сапфира, 20кс20мм подгоняла штанги сапфира оптически, ручку сапфира оптически, одиночный объектив кристаллического стекла Ал2О3, слитки сапфиром, отполированные штанги оптически стекла сапфира оптически
Общая спецификация для семени штаног сапфира
Диаметр 0.2-300мм или изготовление на заказ (20кс20мм, 10кс10ммл, дя20мм)
Допуск +/-0.1мм диаметра к +/-0.01мм
Толщина 0.10-100мм (150мм)
± 0.1мм или +/-0.01мм допуска толщины
Качество поверхности (царапина & раскопки) 60/40, 40/20 или беттер20/10
Поверхностная точность λ/10, λ/2, λ
Ясная апертура >85%, >90%
Параллелизм +/--3 ', +/--30»
Степень наклона 0.1~0.3мм×45
где сапфир от?
Синтетический сапфир одиночная кристаллическая форма корунда, Ал2о3, такжеизвестногокакальф-глинозем, глинозем,
и Ал2о3 одиночного кристалла. Сапфиралюминиеваяокисьвсамой чистойформебезпористостиилиграниц между зернами, делаяеготеоретическиплотным. Свойствахимиката, электрических, механических, оптически, поверхностных, термальных, истойкостисочетания изблагоприятныеделаютсапфиромпредпочитаемыйматериалдлядизайновсистемыикомпонентавысокой эффективности. Дляразличныхпримененийполупроводника, сапфирсамый лучшийвыборпо сравнению сдругимисинтетическимиодно-кристаллами.
Основные свойства сапфира:
| Химическая формула | Ал2о3 |
| Кристаллический класс | Шестиугольная система, ромбоидальный класс 3м |
| Константы решетки, а | а=4.785, к=12.991 |
| Плотность, г/км3 | 3,98 |
| Точка плавления, °К | 2303 |
| Твердость | Кнооп (даН/мм2): параллель 1800 к К-оси, перпендикуляру 2200 к К-оси, Мохс: 9 |
| Оптически дальность передачи, µм | 0.17 - 5,5 |
| Р.И. на 0,532 µм | н0=1.7717, Н.Э. =1.76355 |
| Абсорбция воды | ноли |
| Молодой модуль, Гпа | 345 |
| Модуль ножниц, Гпа | 145 |
| Модуль основной массы, Гпа | 240 |
| Гнуть модуль (модуль повреждения), Мпа | 420 на 20°К, 280 на 500°К |
| Эластичный коэффициент | К11=496, К12=164, К13=115, К33=498, К44=148 |
| Коэффициент Поиссон | 0.25-0.30 |
| Коэффициент трением | 0,15 на стали, 0,10 на сапфире |
| Прочность на растяжение, МПа | 400 на 25°, 275 на 500°, 345 на 1000° |
| Флексурал прочность, даН/мм2 | 35 до 39 |
| Удельная работа разрыва, ГПа | 2,0 |
| Йоунг модуль е, даН/мм2 | 3,6 кс 104 до 4,4 кс 104 |
| Специфическая жара, Дж/(кг кс к) | 105 на 91°К, 761 на 291°К |
| Термальный коэффициент линейного расширения, к-1, на323К | параллель 6,66 кс 10-6 к оптически оси, перпендикуляру 5 кс 10-6 к оптически оси |
| Термальная проводимость, с (м кс к) на 300К | параллель 23,1 к оптически оси, перпендикуляру 25,2 к оптически оси |
| Резистивность, см ома кс | 1016 (25°), 1011 (500°), 106 (1000°) |
| Диэлектрическая константа | 11,5 (103 до 109 Хз, 25°) параллелей к К-оси, (103 до 109 Хз, 25°) перпендикуляру 9,3 к К-оси |
| Диэлектрическая прочность, В/км | 4 кс 105 |
| Тангенс потери | 1 кс 10-4 |
| Растворимость - в воде - в ХНО3, х2НАСТОЛЬКО4, ХКл, ХФ - в алькалис - в мельтс металлов Мг, Ал, Кр, Ко, Ни, На, к, Би, Зн, Кс |
неразрешимый неразрешимый к 300°К неразрешимый к 800°К неразрешимый к 800-1000°К |
| г - стабильность радиации | Отсутствие изменения в передаче над 2,5 мм после подвержения до 107 Радс. Отсутствие видимого колорита после подвержения до 108 Радс/хр на 60 минут на - 195°К |
| Стабильность радиации протона | Отсутствие изменения в передаче под 0,3 µм после подвержения к полной дозе 1012 протон/км2 |
| Химическая устойчивость |
Сапфир сильно инертен и устойчивый к нападению в большинств отростчатых окружающих средах включая плавиковую кислоту и применениях плазмы фтора обыкновенно нашл в обработке вафли полупроводника (НФ3, КФ4) |
что адвантагемент сапфира?
1-Тхиннер и более сильно чем стандартное стеклянное Виндовс
длины волны 2-Трансмиц выстраивая в ряд от УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО к Средний-ультракрасному
весьма поверхностные твердость 3-Феатурес и химическая устойчивость
что применения для сапфира?
Субстраты/вафли сапфира: диски ЭПИ-отполированные, оптически отполированные, сложенные или как-отрезок сапфира,
окна, субстраты, пробелы так же, как эпитаксиальные структуры «кремни-на-сапфир» (СОС).
образец 3,0
4.Ве может поставить обслуживание подгонянное профессионалом во времени и предусмотреть сотрудничество
и поддержка прибора разработки нового изделия и технологии включая другое
вафли материалов полупроводника и оптически объектив как лике~
паковать & доставка 5,0
Видео
