logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
العربية العربية
Türkçe Türkçe
polski polski
Цитата
Дом
О США
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Часто задаваемые вопросы
ПРОДУКТЫ

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs
решения
Новости
Свяжитесь мы
Покупки
Цитата
Хорошая цена Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. ПРОДУКТЫ Created with Pixso.
Кремниевая пластина ИК
Created with Pixso. SOI Wafer:Lower parasitic capacitance stronger latch-up immunity improved radiation resistance
SOI Wafer:Lower parasitic capacitance stronger latch-up immunity improved radiation resistance
  • Имя
  • Имя
  • Имя
  • Имя

SOI Wafer:Lower parasitic capacitance stronger latch-up immunity improved radiation resistance

Наименование марки: ZMSH
Номер модели: Соевая вафель
MOQ: 25
Цена: Fluctuates with market
Время доставки: 2-4 недели
Условия оплаты: Т/Т
Подробная информация
Характер продукции
Подробная информация
Место происхождения:
Шанхай, Китай
Материал:
Диоксид кремния (SiO₂)/Кремний (Si)
Диаметр вафли:
Индивидуальные
Толщина слоя устройства:
Индивидуальные
Толщина слоя коробки:
Индивидуальные
Кристаллическая ориентация:
<100> / <110> / <111> / Индивидуально
тип проводимости:
N-тип/P-тип/по индивидуальному заказу
Характер продукции
Product Information SOI (Silicon-on-Insulator) is a “sandwich” structure wafer consisting of three layers: the top silicon layer, also known as the Top Si / Device Layer, is used to fabricate transistors; the middle layer is the Buried Oxide (BOX), which provides electrical isolation; and the bottom layer is the silicon support substrate (Handle/Substrate Wafer). Compared with conventional Bulk Si wafers, SOI wafers feature complete dielectric isolation, enabling lower
Бирки: 

отполированная кремниевая пластина  

субстрат кремния  

вафля полупроводника

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Меднопластированный монокристаллический кремниевый пластинка для MEMS, датчиков и полупроводников

Меднопластированный монокристаллический кремниевый пластинка для MEMS, датчиков и полупроводников

Получите самую лучшую цену
4-дюймовый N-Type P-Doped Si (100) с 100 нм Ti + 200 нм Cu Thin Film Cu Film на Ti/Silicon Wafer

4-дюймовый N-Type P-Doped Si (100) с 100 нм Ti + 200 нм Cu Thin Film Cu Film на Ti/Silicon Wafer

Получите самую лучшую цену