Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Наименование марки:	ZMSH
Номер модели:	4-дюймовые сапфировые подложки C-plan SSP
MOQ:	25
Цена:	Fluctuates with market
Время доставки:	4-9 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Кристаллическая ориентация:

C-плоскость / A / R / M

Диаметр:

2/4/6 дюйма

Толщина:

650±15 мкм

Метод выращивания кристаллов:

Кентукки / EFG / Чехия

Поверхность:

Полированный или в соответствии с применением

Тип полировки:

SSP / DSP

Характер продукции

Информация о сапфировых подложках

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Сапфировые подложки являются критически важными базовыми материалами для светодиодов и устройств на основе GaN. Несмотря на относительно ограниченный размер рынка (примерно 833 миллиона долларов США по всему миру к 2031 году), они лежат в основе последующих применений стоимостью в триллионы долларов, имея стратегическое и новаторское значение. Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Верхний сегмент: высокочистый оксид алюминия (в основном 4N5 и выше), оборудование для выращивания кристаллов (например, печи Киропулоса) и термополя из вольфрама и молибдена. Некоторые высококачественные сырьевые материалы и основное оборудование по-прежнему частично зависят от импорта.

Средний сегмент: выращивание сапфировых кристаллов → извлечение сердцевины → нарезка → шлифовка → полировка → подложка с узорчатым сапфиром (PSS). Этот сегмент отличается самыми высокими техническими барьерами и добавленной стоимостью.

Нижний сегмент: светодиодные чипы (составляют более 80% потребления), потребительская электроника (защитные стекла, компоненты камер), полупроводники третьего поколения (силовые/РЧ устройства на основе GaN), оптические окна и т. д. Применение в нижнем сегменте расширяется от традиционных светодиодов к диверсифицированным областям.

Сапфировые подложки SSP диаметром 4 дюйма с C-плоскостью представляют собой монокристаллические пластины оксида алюминия (Al₂O₃) с кристаллографической ориентацией (0001), производимые в основном методами выращивания кристаллов Киропулоса (KY), HEM или EFG. SSP означает одностороннюю полировку: передняя поверхность, готовая к эпитаксии, подвергается сверхточной полировке для достижения сверхнизкой шероховатости поверхности, в то время как задняя сторона остается тонко шлифованной.

Ключевые особенности

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Высокочистый монокристаллический сапфировый материал

Наши сапфировые подложки изготавливаются из высокочистого синтетического монокристаллического оксида алюминия (Al₂O₃) ссверхвысокой чистотой 4N5/5N, специально разработанного для высокостандартных оптоэлектронных и полупроводниковых производственных сред. Материал обладает превосходной термической стабильностью, химической инертностью, стойкостью к плазменной коррозии и выдающейся механической жесткостью, сохраняя стабильные физические и оптические характеристики при высокотемпературной эпитаксии, вакуумной обработке и в жестких условиях химических процессов.

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Множество вариантов кристаллографической ориентации для различных устройств

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Сапфировые подложки доступны с основными кристаллическими ориентациями для соответствия различным требованиям к полупроводниковым и оптоэлектронным устройствам. Подложки с C-плоскостью оптимизированы для эпитаксии GaN и массового производства светодиодов; подложки с R-плоскостью поддерживают РЧ устройства SOS (кремний на сапфире) и высокоскоростные микроэлектронные устройства; варианты с A-плоскостью и M-плоскостью предназначены для безполярных/полуполярных устройств GaN и специальных лазерных компонентов. Доступны пользовательские спецификации с отклонением от оси для улучшения качества эпитаксиального роста и выхода годных устройств.

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Сверхточная полировка и плоскостность

Доступныв исполнениях SSP (односторонняя полировка) и DSP (двусторонняя полировка) для различных сценариев обработки. Полированные поверхности, готовые к эпитаксии, достигают сверхнизкой шероховатости поверхности Ra< 0,3 нм, при строго контролируемых значениях TTV, BOW и WARP. Сверхгладкая поверхность без дефектов идеально соответствует стандартам эпитаксиального роста MOCVD, обеспечивая равномерное осаждение слоя GaN и высокую стабильность характеристик чипа.

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.Превосходные электрические и оптические свойства

Сапфировые подложки обеспечивают превосходную электрическую изоляцию и низкие диэлектрическиеческиеческиеческие потери, эффективно изолируя помехи цепи для высокочастотных и силовых полупроводниковых устройств. Они обладают сверхширокой спектральной пропускающей способностью в УФ-видимом-ИК диапазоне, низким уровнем газовыделения и стаб

ильными оптическими характеристиками, что делает их идеальными для компонентов оптических окон, прецизионной оптоэлектронной упаковки и

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.

Изготовление прецизионных подложек на заказ

Спецификации подложек могут быть полностью настроены в соответствии с техническими требованиями заказчика, включая:
Диаметр пластины: 2/3/4/6/8/12 дюймов
Стандартная и индивидуальная толщина
Кристаллографическая ориентация и точное отклонение от оси
Режимы полировки SSP / DSP
Шероховатость поверхности и допуск плоскостности
Фаска по краю и обработка края
Функциональное паттернирование поверхности (PSS/NPSS)

Класс чистоты и процесс прецизионной очистки

Функциональная обработка и дополнительные услуги с добавленной стоимостью

Помимо стандартных чистых сапфировых подложек, мы предлагаем комплексную индивидуальную функциональную обработку для поддержки разнообразных применений заказчиков. Доступные услуги включают:
Изготовление подложек с паттернами PSS / NPSS
Полное/краевое/кольцевое/рамное/локализованное металлирование (покрытие Au/Ti/Cr/Ni)
Нарезка сверхтонких пластин и обработка для снятия напряжений
Высокоточная резка, сверление и формовка
Индивидуальная обработка поверхности (полировка/шлифовка/пескоструйная обработка)

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.

Индивидуальные решения для замены и подложки OEM-качества

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.

Типичные области применения

Сапфировые подложки являются основными базовыми материалами, широко используемыми в оптоэлектронной и полупроводниковой промышленности, применимыми для следующих устройств и производственных процессов:
Эпитаксия и производство чипов светодиодов синего/зеленого/ультрафиолетового диапазона
Производство высококачественных дисплейных устройств Mini LED / Micro LED
Силовые полупроводниковые и РЧ-коммуникационные устройства на основе GaN
Высокочастотные интегральные схемы SOS (кремний на сапфире)
Автомобильное освещение, бортовые оптоэлектронные компоненты
Оптические окна AR/VR и прецизионные оптические компоненты
Датчики MEMS и носители микрофлюидных чипов
Высокоточные оптические окна и компоненты инфракрасного излучения
Полупроводниковое вакуумное оборудование и изоляционные детали с низким газовыделением

Упаковка мощных оптоэлектронных устройств и подложки для управления тепловым режимом

Сапфировые подложки коммерчески массово производятся для основных оптоэлектронных и полупроводниковых сценариев, отличаясь стабильной партионной согласованностью, низким уровнем дефектов и отличной совместимостью с технологическими процессами.

Спецификации продукта	Наименование
Спецификация	Продукт
Сапфировая подложка / пластина	Материал
Синтетический сапфир / монокристалл Al₂O₃	Метод роста
Киропулос / Формование пленки по краю (EFG)	Кристаллическая структура
Гексагональная (α-Al₂O₃)	Диаметр
2" / 3" / 4" / 6" / 8" или на заказ	Толщина
На заказ (например, 430 мкм – 1000 мкм)	Ориентация
c-плоскость (0001) / a-плоскость (11-20) / r-плоскость (1-102) / m-плоскость (10-10)	Обработка поверхности
SSP (односторонняя полировка) / DSP (двусторонняя полировка) / Шлифованная / Шлифованная	Качество поверхности
Царапины-ямки по MIL-PRF-13830B (например, 40/20, 20/10)	TTV (общий допуск по толщине)
≤ 5 мкм (или по требованию заказчика)	Изгиб / коробление
≤ 10 мкм (или по требованию заказчика)	Шероховатость (Ra)
Полированная: ≤ 0,2 нм / Шлифованная: ≤ 0,5 мкм	Тип края
С основным шлицем / Без шлифа (полный круг)	Длина шлифа
На заказ (по стандарту SEMI или чертежу заказчика)	Профиль края
Фаска / скругление по требованию	Легирование / чистота
Высокая чистота (≥ 99,99% Al₂O₃)	Покрытие
Без покрытия / AR-покрытие / ITO-покрытие / Металлическое покрытие доступны	Применение

Светодиод / Полупроводник / Оптика / РЧ и СВЧ / Часы / Потребительская электроника

Почему выбирают сапфировые подложки для полупроводниковых и оптоэлектронных применений?

Сапфировые подложки являются основными базовыми материалами, широко применяемыми в полупроводниковой эпитаксии, производстве оптоэлектронных устройств и системах микроэлектронной обработки. Служа носителем для эпитаксиального роста GaN, ZnO и других эпитаксиальных слоев, они работают в экстремальных производственных условиях, характеризующихся высокой температурой, сильной плазменной эрозией, химической коррозией и высокочастотными электромагнитными полями.

По сравнению с традиционными кремниевыми, кварцевыми и обычными керамическими подложками, высокочистые монокристаллические сапфировые подложки обладают превосходными комплексными физическими и химическими свойствами, что делает их незаменимыми для высококачественных полупроводниковых и оптоэлектронных процессов. Ключевые преимущества включают:Экстремальная высокотемпературная стабильность
: Обладая температурой плавления до 2050°C, они сохраняют стабильную кристаллическую структуру и точность размеров при длительных высокотемпературных процессах эпитаксии и отжига, эффективно избегая деформации подложки и отказа устройства.Сверхвысокая механическая жесткость и твердость
: Обладая твердостью по Моосу 9, уступая только алмазу, они обеспечивают превосходную износостойкость и структурную стабильность, сопротивляясь механическим повреждениям и короблениям при прецизионной резке, травлении и росте тонких пленок.Превосходная химическая инертность
: Они устойчивы к коррозии различными кислотными, щелочными и реактивными технологическими газами, используемыми в полупроводниковом производстве, без химических реакций или ухудшения поверхности, обеспечивая сверхчистые условия процесса.Отличная стойкость к плазме и излучению
: Они выдерживают длительное плазменное воздействие и ультрафиолетовое излучение в процессах осаждения тонких пленок и травления, с низким уровнем повреждения поверхности и стабильной производительностью.Изолирующие и диэлектрические свойства
: Обладая высоким удельным сопротивлением и низкими диэлектрическими потерями, они обеспечивают надежную электрическую изоляцию для высокочастотных и мощных оптоэлектронных устройств, эффективно снижая помехи сигнала.Высокая оптическая пропускающая способность
: Обеспечивают превосходное пропускание света в ультрафиолетовом, видимом и инфракрасном диапазонах, идеально подходя для изготовления светоизлучающих и фотодетекторных устройств.Долговечность в процессе эксплуатации

: Они сохраняют стабильную плоскостность поверхности и качество кристалла в повторяющихся и строгих процессах полупроводникового производства, значительно снижая частоту замены подложек и производственные затраты.

По вышеуказанным причинам сапфировые подложки стали предпочтительным основным материалом для эпитаксиальных пластин светодиодов, силовых полупроводниковых устройств, СВЧ-радиочастотных устройств и других основных полупроводниковых компонентов.

Изготовление сапфировых подложек на заказ

Мы специализируемся на изготовлении стандартных и индивидуальных сапфировых подложек для полупроводникового и оптоэлектронного оборудования, уделяя особое внимание высокоточным индивидуальным решениям для промышленного производства и лабораторных исследований. Мы преодолеваем ограничения фиксированных стандартных спецификаций и изготавливаем подложки полностью в соответствии с фактическими параметрами технологического процесса заказчика, требованиями к подбору оборудования и стандартами проектирования устройств.

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.

Основные параметры сапфировой подложки
Диаметр пластины (2/4/6/8 дюймов и специальные размеры на заказ)
Толщина подложки
Кристаллографическая ориентация (C-плоскость, A-плоскость, R-плоскость, M-плоскость и специальные кристаллические плоскости на заказ)
Спецификации формы края и фаски
Дизайн положения плоского участка/выреза
Шероховатость поверхности и плоскостность
Требования к двусторонней/односторонней полировке

Да. Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллографическую ориентацию, обработку края, шероховатость поверхности, плоскостность и степень полировки, могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями технологического процесса заказчика для удовлетворения индивидуальных потребностей в исследованиях и разработках и производстве.

Соответствующие конструктивные элементы
Индивидуальная настройка размера крепления подложки
Обработка установочных отверстий и пазов
Металлическая опорная база и конструкция втулки
Спецификации интерфейса монтажа и крепления

Интегрированная сборка подложки и вспомогательных частей

Мы можем поставлять готовые интегрированные компоненты, собранные с сапфировыми подложками и соответствующими металлическими/керамическими частями, для удовлетворения потребностей заказчиков в прямой установке и использовании.

Сервис замены и обратного инжиниринга

Для снятых с производства сапфировых подложек, труднодоступных оригинальных деталей и нестандартных подложек на заказ для специального полупроводникового оборудования мы предоставляем профессиональные услуги по обратному инжинирингу и замене. Заказчики могут предоставить следующую информацию для оценки и расчета стоимости:
Номер детали оригинального оборудования
Подробные технические чертежи и спецификации параметров
Четкие фотографии продукта и физические образцы (новые/использованные)
Ключевые данные о размерах и кристаллических параметрах
Информация о модели поддерживающего оборудования и партии

Конкретные сценарии применения и параметры производственной среды

Наша профессиональная команда инженеров проведет комплексную оценку структуры подложки, характеристик кристалла, сложности обработки и производственной осуществимости перед официальным расчетом стоимости. Все изготовленные на заказ подложки для замены будут оптимизированы для совместимости с технологическим процессом. Окончательная производительность соответствия будет подтверждена в соответствии с фактической конфигурацией оборудования заказчика и стандартами производственного процесса, чтобы обеспечить нулевую разницу в эффекте использования.

Контроль качества

Мы осуществляем прецизионный контроль качества всего производственного цикла всех сапфировых подложек и можем предоставить целевые пункты контроля и полные отчеты об испытаниях в соответствии с требованиями проекта заказчика и отраслевыми стандартами. Основные пункты контроля включают:
Полный контроль точности размеров (диаметр, толщина, калибровка допусков)
Определение точности кристаллографической ориентации
Тестирование плоскостности поверхности, коробления и шероховатости
Визуальный контроль дефектов (царапины, ямки, трещины, включения)
Определение чистоты и поверхностного напряжения
Контроль точности сборки и допусков соответствия

Профессиональный контроль упаковки против столкновений и пыли

Официальные отчеты об инспекции с полными данными испытаний могут быть предоставлены для поддержки проверки входящих материалов заказчиком и отслеживания качества производства.

Какую информацию следует предоставить для получения предложения?

Для обеспечения точного расчета стоимости и сокращения цикла поставки, пожалуйста, предоставьте следующую подробную информацию при консультации:
Полные технические чертежи продукта и листы параметров
Требования к диаметру, толщине и допускам подложки
Стандарты кристаллографической ориентации и обработки поверхности
Требования к чистоте поверхности, степени полировки и чистоте
Параметры соответствующих вспомогательных компонентов (при наличии)
Марка, модель оборудования и условия поддерживающего процесса
Номер детали оригинального OEM (при наличии)
Требуемое количество и потребность в партии
Конкретный технологический процесс и требования к экстремальным условиям Если полные технические чертежи отсутствуют, пожалуйста, предоставьте четкие фотографии высокого разрешения и

физические образцы подложки для проведения нашей командой тестирования параметров и оценки схемы.

Для чего в основном используются сапфировые подложки?

Можете ли вы предоставить индивидуальные сборки подложек?

Можете ли вы производить подложки для замены старого и специального оборудования?

Могут ли быть настроены все основные параметры сапфировых подложек?

Поддерживаете ли вы заказы на малые партии и прототипы?

Да. Мы полностью поддерживаем разработку прототипов, мелкосерийные лабораторные испытания, замену для обслуживания оборудования и заказы на массовое производство. Мы оценим производственную схему и стоимость в зависимости от индивидуальных параметров и сложности обработки.

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Сопутствующие товары

Карбид кремния 4H-N типа от 2 до 12 дюймов | Применение подложек из SiC

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Сапфировая пластина диаметром 2 дюйма (50,8 мм ± 0,1 мм), толщиной 350 мкм, C-плоскость

Бирки:

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

Подробная информация о продукции

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Класс чистоты и процесс прецизионной очистки

физические образцы подложки для проведения нашей командой тестирования параметров и оценки схемы.

изготовленное на заказ стекло сапфира

субстрат сапфира

оптика сапфира

Сапфировая трубка:Высокотемпературная стойкость, твердость Моха 9 Высокая герметичность

Сапфировая трубка: возможность прецизионной вторичной обработки, высокое пропускание в широком спектральном диапазоне