Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Наименование марки:	ZMSH
Номер модели:	4-дюймовые сапфировые подложки C-plan SSP
MOQ:	25
Цена:	Fluctuates with market
Время доставки:	4-9 недели
Условия оплаты:	Т/Т

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Кристаллическая ориентация:

C-плоскость / A / R / M

Диаметр:

2/4/6 дюйма

Толщина:

650±15 мкм

Метод выращивания кристаллов:

Кентукки / EFG / Чехия

Поверхность:

Полированный или в соответствии с применением

Тип полировки:

SSP / DSP

Характер продукции

Информация о сапфировых субстратах

Сапфировые субстраты являются критически важными основными материалами для светодиодов и GaN-устройств.Он поддерживает приложения на триллионы долларов., имеющий стратегическое и новаторское значение. Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Вверх по течению: высокочистый алюминий (в основном 4N5 и выше), оборудование для выращивания кристаллов (например, печи Киропулоса) и тепловые поля вольфрама-молибдена.Некоторые высококачественные сырье и основное оборудование по-прежнему частично зависят от импорта.

Средний поток: рост сапфировых кристаллов → экстракция ядра → нарезание → лапирование → полировка → подкладка сапфировой подложки (PSS). Этот сегмент имеет самые высокие технические барьеры и добавленную стоимость.

Ниже по производству: светодиодные чипы (на долю которых приходится более 80% потребления), потребительская электроника (пластинки покрытия, компоненты камер), полупроводники третьего поколения (устройства GaN power/RF), оптические окна и т.д.Применения в дальнейшем развиваются от традиционных светодиодов к разнообразным областям.

4-дюймовые сапфировые субстраты SSP с плоскостью C представляют собой однокристаллические пластины из алюминия (Al2O3) с кристаллической ориентацией (0001), которые производятся в основном с помощью методов выращивания кристаллов Kyropoulos (KY), HEM или EFG.SSP означает односторонний полированный: передняя поверхность, готовая к эпи, подвергается сверхточной полировке для достижения сверхнизкой шероховатости поверхности, в то время как задняя сторона остается тонкой.

Ключевые особенности

Монокристаллический сапфир высокой чистоты

Наши сапфировые подложки изготовлены из высокой чистоты синтетического однокристаллического алюминия (Al2O3)h 4N5/5N сверхвысокой чистоты, специально разработанный для высоких стандартов оптоэлектронных и полупроводниковых производственных сред. Материал отличается отличной теплостойкостью, химической инертностью,устойчивость к коррозии плазмы, и выдающаяся механическая жесткость, поддерживающая стабильную физическую и оптическую производительность при высокотемпературной эпитаксии, вакуумной обработке и суровых условиях химического процесса.

Многочисленные варианты ориентации кристаллов для различных устройств

Сапфировые субстраты доступны с основными кристаллическими ориентациями, чтобы соответствовать различным требованиям полупроводников и оптоэлектронных устройств.С-плоскость субстраты оптимизированы для эпитаксии GaN и массового производства светодиодов; R-плоскость подложки поддерживают SOS (Силикон на сапфире) RF и высокоскоростных микроэлектронных устройств; A-плоскость и M-плоскость варианты обслуживают неполярные / полуполярные GaN устройств и специальных лазерных компонентов.Для улучшения качества эпитаксиального роста и производительности устройства доступны спецификации для наружного угла..

Ультраточное полирование и плоскость

Доступнов классах SSP (Single Side Polished) и DSP (Double Side Polished), чтобы соответствовать различным сценариям процесса.с строго контролируемым TTVУльтрагладкая, бездефектная поверхность идеально соответствует стандартам эпитаксического роста MOCVD, обеспечивая равномерное отложение слоя GaN и высокую консистенцию производительности чипа.

Отличные электрические и оптические свойства

Сапфировые подложки обеспечивают превосходную электрическую изоляцию и низкий диэльectПотеря рика, эффективно изолирующая интерференции с схемой для высокочастотных и мощных полупроводниковОни отличаются ультраширокой спектровой проницаемостью UV-Vis-IR, низкой скоростью выброса газов и стабильностью.

eоптические характеристики, что делает их идеальными для компонентов оптических окон, высокоточных оптоэлектронных упаковок, ивакуумные среды полупроводниковых процессов.

Производство высокоточных субстратов на заказ

Спецификации подложки могут быть полностью настроены в соответствии с техническими требованиями клиента, включая:

Диаметр пластины: 2/3/4/6/8/12 дюймов
Стандартная и индивидуальная толщина
Кристаллическая ориентация и точный угол
Режимы полировки SSP / DSP
Толерантность к шероховатости и плоскости поверхности
Крайний раствор и отделка краев
Функциональное моделирование поверхности (PSS/NPSS)
Процесс очистки чистоты и точности

Функциональная обработка и услуги по добавленной стоимости

В дополнение к стандартным обнаженным сапфировым субстратам, мы предоставляем полный процесс настраиваемой функциональной обработки для поддержки диверсифицированных приложений клиентов.

Изготовление подложки с рисунками PSS / NPSS
Полная/крайная/кольцовая/каркасная/локальная металлизация (Au/Ti/Cr/Ni покрытие)
Ультратонкая нарезка вафли и обработка снятия напряжения
Высокоточные резки, бурение и формование
Оформление поверхности по заказу (полировка/мольение/песочница)
Строгий контроль качества и полная сертификация COA

Замена на заказ и решения для подложки OEM

Мы поддерживаем разработку и производство специальных сапфировых субстратов на основе чертежей клиентов, образцов, параметров процесса оборудования,существующие спецификации компонентов и требования реверсной инженерииВсе продукты соответствуют стандартам RoHS и REACH, обеспечивая стабильные, высокопроизводительные решения для субстратов для модернизации полупроводниковых процессов, совмещения оборудования и локализованных проектов замены.

Типичные применения

Сапфировые субстраты являются основными основными материалами, широко используемыми в оптоэлектронной и полупроводниковой промышленности, применимыми для следующих устройств и производственных процессов:

Производство эпитаксий и чипов на синих/зеленых/ультрафиолетовых светодиодах
Производство высококачественных дисплеев с мини-LED / микро-LED
Мощные полупроводниковые и радиочастотные устройства связи на основе GaN
Высокочастотные интегральные схемы SOS (Silicon-on-Sapphire)
Автомобильное освещение, оптико-электронные компоненты, установленные на транспортных средствах
Оптические окна AR/VR и оптические компоненты высокоточного качества
Датчики MEMS и микрофлюидные чип-носители
Высокоточные оптические окна и компоненты инфракрасной передачи
Полупроводниковое вакуумное оборудование и изоляционные части с низким уровнем выбросов газов
Оборудование высокопроизводительных оптоэлектронных устройств и субстраты для теплового управления

Сапфировые субстраты были коммерчески серийно произведены для основных оптоэлектронных и полупроводниковых сценариев с стабильной консистенцией партии,низкий уровень дефектов и отличная совместимость процессов.

Спецификации продукции

Положение	Спецификация
Продукт	Сапфировая подложка / вафель
Материал	Синтетический сапфир / Al2O3 однокристаллический
Способ выращивания	Киропулос / Рыбный рост (EFG)
Структура кристалла	Шестиугольный (α-Al2O3)
Диаметр	2 " / 3" / 4 " / 6 " / 8 " или настройки
Толщина	Специализированные (например, 430 мкм ≈ 1000 мкм)
Ориентация	c-плоскость (0001) / a-плоскость (11-20) / r-плоскость (1-102) / m-плоскость (10-10)
Поверхностная отделка	SSP (одностороннее полирование) / DSP (двустороннее полирование) / Лаппированное / Замолоченное
Качество поверхности	Скретч-Dig по MIL-PRF-13830B (например, 40/20, 20/10)
TTV (общая разница в толщине)	≤ 5 мкм (или по требованию клиента)
Вращение.	≤ 10 мкм (или по требованию клиента)
Грубость (Ra)	Полированный: ≤ 0,2 нм / Лаппованный: ≤ 0,5 мкм
Тип края	С первичным плоским / без плоского (полный круглый)
Плоская длина	Специализированный (по стандарту SEMI или чертежу заказчика)
Профиль края	По мере необходимости разобраны / закруглены
Допирующее вещество / Чистота	Высокая чистота (≥ 99,99% Al2O3)
Покрытие	Непокрытое / AR покрытие / ITO покрытие / Металлическое покрытие доступно
Применение	Светодиоды / Полупроводники / Оптика / Радиочастотные и микроволновые / Часы / Потребительская электроника

Почему выбрать сапфировые субстраты для полупроводников и оптоэлектронных приложений?

Сапфировые субстраты являются основными фундаментальными материалами, широко применяемыми в полупроводниковой эпитаксии, производстве оптоэлектронных устройств и микроэлектронных системах обработки.Используется как носитель GaNОни работают в экстремальных условиях производства с высокой температурой, сильной эрозией плазмы, химической коррозией,и высокочастотные электромагнитные поля.

По сравнению с традиционными материалами кремния, кварца и обычных керамических субстратов, высокочистые однокристаллические сапфировые субстраты обладают превосходными физическими и химическими свойствами.делая их незаменимыми для высокопроизводительных полупроводниковых и оптоэлектронных процессовКлючевые преимущества:

Экстремальная высокотемпературная устойчивость: с температурой плавления до 2050°C, сохраняет стабильную кристаллическую структуру и точность измерений при длительных высокотемпературных эпитаксических и отжигательных процессах,эффективно избегать деформации подложки и отказа устройства.
Сверхвысокая механическая жесткость и твердость: С твердостью Моха 9, которая уступает только бриллианту, она обеспечивает отличную износостойкость и структурную стабильность, устойчивость к механическим повреждениям и деформации во время прецизионной резки,гравирование и рост тонкой пленки.
Высокая химическая инертность: устойчив к коррозии различными кислотными, щелочными и реактивными процессовыми газами, используемыми в производстве полупроводников, без химической реакции или ухудшения поверхности,обеспечение ультрачистых условий процесса.
Отличная стойкость к плазме и излучению: Он выдерживает длительную бомбардировку плазмой и ультрафиолетовое излучение в процессах отложения тонкой пленки и гравировки, с низкой скоростью повреждения поверхности и стабильной производительностью.
Изоляционные и диэлектрические свойства: Благодаря высокому сопротивлению и низкой диэлектрической потере, он обеспечивает надежную электрическую изоляцию для высокочастотных и мощных оптоэлектронных устройств, эффективно снижая помехи сигнала.
Высокая оптическая проницаемость: достигает превосходной световой передачи в ультрафиолетовых, видимых и инфракрасных полосах, идеально адаптируется к подготовке светоизлучающих и фотодетекторных устройств.
Продолжительность процесса: Он поддерживает постоянную плоскость поверхности и качество кристаллов в повторяющихся и строгих процессах производства полупроводников, значительно снижая частоту замены подложки и затраты на производство.

По вышеуказанным причинам сапфировые субстраты стали предпочтительным основным материалом для светодиодных эпитаксиальных пластин, устройств полупроводников мощности,микроволновые радиочастотные устройства и другие основные полупроводниковые компоненты.

Производство специальных сапфировых субстратов

Мы специализируемся на индивидуальном и стандартизированном изготовлении сапфировых субстратов для полупроводников и оптоэлектронного оборудования,сосредоточенное на высокоточных индивидуальных решениях для промышленного производства и лабораторных НИОКРМы преодолеваем ограничения фиксированных стандартных спецификаций и полностью настраиваем субстраты в соответствии с фактическими параметрами процесса клиентов,требования к соответствию оборудования и стандарты конструкции устройства.

Всеобъемлющие варианты настройки охватывают параметры субстрата полного процесса и поддерживающие структуры:

Параметры ядра сапфировой подложки

Диаметр пластины (2/4/6/8 дюймов и специальные индивидуальные размеры)
Толщина подложки
Кристаллическая ориентация (C-плоскость, A-плоскость, R-плоскость, M-плоскость и специальные кристаллические плоскости на заказ)
Форма края и спецификации растворения
Дизайн позиционирования плоского/отсека
Грубость и плоскость поверхности
Требования двустороннего/полированного одностороннего
Ультрачистая обработка поверхности и обработка снятия нагрузок

Соответствие структурных компонентов

Настройка размера подложки для носителей субстрата
Обработка отверстий и канавок для позиционирования
Металлическая база и конструкция рукава
Спецификации монтажа и крепления интерфейсов
Интегрированная сборка подложки и вспомогательных частей

Мы можем предоставить готовые интегрированные компоненты, собранные с сапфировыми субстратами и соответствующими металлическими / керамическими частями, чтобы удовлетворить потребности клиентов в непосредственной установке и использовании.

Служба замены и обратной инженерии

Для вышедших из производства сапфировых подложков, оригинальных деталей, которые трудно найти, и нестандартных индивидуальных подложков для специального полупроводникового оборудования,Мы предоставляем профессиональные услуги по обратной инженерии и замене изготовленияКлиенты могут предоставить следующую информацию для оценки и предложения:

Номер части оригинального оборудования
Подробные технические чертежи и спецификации параметров
Четкие фотографии продукции и физические образцы (новые/использованные)
Ключевые параметры измерений и кристаллов
Информация о модели вспомогательного оборудования и партии
Специфические сценарии применения и параметры среды процесса

Наша профессиональная инженерная команда проведет всеобъемлющую оценку структуры субстрата, производительности кристаллов, сложности обработки и производственной целесообразности до официальной котировки.Все заменяемые субстраты будут оптимизированы для совместимости процессовОкончательное соответствие должно быть подтверждено в соответствии с фактической конфигурацией оборудования и стандартами производственного процесса, чтобы обеспечить нулевую разницу в эффекте использования.

Контроль качества

Мы осуществляем полную проверку качества для всех сапфировых субстратов.и может предоставить целенаправленные пункты проверки и полные отчеты о испытаниях в соответствии с требованиями проекта клиента и отраслевыми стандартамиОсновное содержание инспекции включает:

Полномерная точная проверка (диаметр, толщина, калибровка допустимых отклонений)
Определение точности кристаллической ориентации
Испытания плоскости поверхности, изгиба и шероховатости
Проверка визуальных дефектов (подразнения, ямы, трещины, включения)
Чистота и обнаружение поверхностного напряжения
Проверка точности сборки и совпадения допустимых отклонений
Профессиональная проверка упаковки против столкновений и пыли

Формальные отчеты об осмотре с полными данными испытаний могут быть предоставлены для поддержки проверки поступающих от клиента материалов и отслеживания качества производства.

Какую информацию вы должны отправить, чтобы получить предложение?

Для обеспечения точности предложения и сокращения цикла поставки, пожалуйста, предоставьте следующую подробную информацию при консультации:

Полные технические чертежи продукции и таблицы параметров
Требования к диаметру, толщине и допустимости подложки
Стандарты кристаллической ориентации и поверхностной обработки
Требования к отделке поверхности, степени полировки и чистоте
Параметры соответствующих вспомогательных компонентов (если таковые имеются)
Марка, модель оборудования и условия вспомогательного процесса
Оригинальный номер части OEM (если имеется)
Необходимое количество и спрос на партии
Специфический процесс подачи заявки и крайние экологические требования
Если полные технические чертежи отсутствуют, пожалуйста, предоставьте четкие фотографии высокой четкости и физические образцы субстрата для нашей команды для проведения параметровых испытаний и оценки схемы.

Частые вопросы

Для чего в основном используются сапфировые подложки?

Сапфировые субстраты являются основными материалами для производства полупроводников и оптико-электронных устройств, в основном используемых в светодиодных эпитаксиальных пластинах на основе GaN, силовых электронных устройствах, микроволновых микросхем,Ультрафиолетовые фотоэлектрические устройства, полупроводниковое плазменное оборудование и другие области, подходящие для высокотемпературной эпитаксии, отложения тонкой пленки и точных процессов офорта.

Можете ли вы предоставить на заказ комплектующие элементы для подложки?

В дополнение к однотонным сапфировым подложкам, мы можем настроить различные соответствующие светильники, металлические основания,Компоненты для позиционирования и готовые комплектующие комплектующие согласно чертежам и требованиям к образцам, реализуя единый пункт поддержки поставок.

Вы можете производить заменные подложки для старого и специального оборудования?

Да, мы поддерживаем полный спектр услуг по индивидуальному изготовлению, включая производство на основе чертежей и обратную инженерию образцов.физические образцы и информация об оборудовании;, и наша команда завершит соответствие производительности и альтернативное производство.

Можно ли настроить все основные параметры сапфировых субстратов?

Все ключевые параметры, включая размер подложки, толщину, кристаллическую ориентацию, обработку краев, шероховатость поверхности,Плоскость и класс полировки могут быть полностью настроены в соответствии с требованиями процесса клиента для удовлетворения индивидуальных потребностей в НИОКР и производстве.

Вы поддерживаете заказ небольших партий и прототипов?

Да, мы полностью поддерживаем разработку прототипов, лабораторные испытания малых партий, замену технического обслуживания оборудования и заказ на массовое производство.Мы будем оценивать схему производства и котировки в соответствии с индивидуальными параметрами и сложности обработки.

Сопутствующие продукты

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

2-дюймовый до 12-дюймового 4H-N типа Кремниевого карбида.

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Сапфировая вафель 2" Диаметр 50,8 мм±0,1 мм Толщина 350 мм C-плоскость

Бирки:

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Провод увидел машину

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля GaAs

Подробная информация о продукции

Сапфировая подложка: высокая твердость, отличная электроизоляция, хорошая теплопроводность

Монокристаллический сапфир высокой чистоты

Многочисленные варианты ориентации кристаллов для различных устройств

Ультраточное полирование и плоскость

Отличные электрические и оптические свойства

Производство высокоточных субстратов на заказ

Функциональная обработка и услуги по добавленной стоимости

Замена на заказ и решения для подложки OEM

Типичные применения

Спецификации продукции

Производство специальных сапфировых субстратов

Параметры ядра сапфировой подложки

Соответствие структурных компонентов

Служба замены и обратной инженерии

Контроль качества

Какую информацию вы должны отправить, чтобы получить предложение?

Частые вопросы

Сопутствующие продукты

изготовленное на заказ стекло сапфира

субстрат сапфира

оптика сапфира

Sapphire Tube：Precision Secondary Machining Capability Broad-Spectrum High Transmittance

12 inch Sapphire Wafer：C-plane SSP / DSP Optoelectronic Devices 12 inch Industrial Grade