Керамическая плита на основе карбида кремния (SiC) для полупроводникового оборудования

Обзор продукции

Этот специальный керамический компонент из карбида кремния имеет круглую геометрию пластины с точно обработанным ступенчатым краем.Степеньная структура позволяет точное осевое позиционирование и стабильную интеграцию в полупроводниковых процессов камер и передовых тепловых систем.

Изготовленный из высокочистой керамики SiC, компонент обладает превосходной устойчивостью к высокой температуре, воздействию плазмы, химической коррозии и тепловому удару.Поверхность преднамеренно не полирована, поскольку компонент предназначен для функционального и структурного использования, а не для оптических или электронных приложений.

Типичные применения включают крышки камер, крышки облицовок, опорные пластины,и защитных структурных компонентов в оборудовании для производства полупроводников, где долгосрочная размерная стабильность и надежность материалов имеют решающее значение.

Ключевые особенности

• Керамический материал из карбида кремния высокой чистоты

• Дизайн ступенчатого края для точного позиционирования и сборки

• Необработанная поверхность, оптимизированная для функциональных характеристик

• Отличная тепловая устойчивость и низкая тепловая деформация

• Высокая устойчивость к плазме, химикатам и коррозионным газам

• Высокая механическая прочность и жесткость

• Подходит для вакуумных и чистых процессов

• Размеры и геометрия на заказ

Технические параметры (типичные)

Примечание: параметры могут варьироваться в зависимости от класса SiC, метода формования и требований обработки.

Типичные применения

• Камеры полупроводниковых процессов (CVD, PECVD, LPCVD, системы гравирования)

• Покрытия камер и крышки облицовок

• Структурные опорные плиты в высокотемпературном оборудовании

• Керамические компоненты, обращенные к плазме или прилегающие к плазме

• Продвинутые системы вакуумной обработки

• Структурные части из керамики на заказ для полупроводникового и оптоэлектронного оборудования

Возможности настройки

• Внешний диаметр и толщина по заказу

• Высота и ширина ступеней

• Необязательное мелкое измельчение или полирование по запросу

• Обработка по чертежам или образцам заказчика

• Поддерживается производство небольших партий, прототипов и объемов

Частые вопросы

Вопрос 1: Какова основная функция этой степированной керамической пластины с Си-Си?

А:
Этот компонент в основном используется в качестве структурной или функциональной керамической части, такой как крышка камеры, опорная пластина или крышка облицовки, в полупроводниковом и высокотемпературном процессном оборудовании.Степень конструкции позволяет точное позиционирование и стабильное сборка в структуре оборудования.

Вопрос 2: Почему поверхность не полирована?

А:
Необработанная поверхность преднамеренна.Этот компонент используется не для оптических или электронных функций, а для структурных и защитных целей.Поверхности грунта достаточны и часто предпочтительны для повышения механической стабильности и снижения издержек производства в приложениях процессовой камеры.

Вопрос 3: Подходит ли этот компонент для плазменной среды?

А:
Силиконовый карбид обладает превосходной устойчивостью к эрозии плазмы и химической коррозии, что делает его подходящим для плазменных или прилегающих к плазме приложений в полупроводниковых процессах.

Q4: Может ли эта часть использоваться в вакуумных системах?

А:
Да, материал и производственный процесс совместимы с вакуумной средой.Керамика SiC обладает низким выбросом газов и поддерживает размерную стабильность в условиях вакуума и теплового цикла.

Q5: Могут ли размеры и геометрия шага быть настроены?

А:
Внешний диаметр, толщина, высота ступеней, ширина ступеней и границы могут быть настроены в соответствии с чертежами клиентов или требованиями приложения.

Q6: Вы предлагаете полированные или покрытые версии?

А:
По запросу может быть предоставлена дополнительная поверхностная отделка, включая мелкое шлифование или полировку.

Вопрос 7: Какие отрасли промышленности обычно используют этот тип компонента?

А:
Этот тип керамического компонента SiC обычно используется в производстве полупроводников, оптоэлектронике, передовых вакуумных системах и высокотемпературном промышленном оборудовании.

Соответствующий продукт

CMP Смесительная плита Химическая механическая полировка пластин