Подложка из карбида кремния (SiC) типа 4H-N, пластина 10x10 мм для силовой электроники

Подложка из SiC 4H-N типа 10×10 мм Маленькая пластина Настраиваемая форма и размеры

Маленькая пластина SiC 10×10 - это высокопроизводительный полупроводниковый продукт, разработанный на основе карбида кремния (SiC), материала полупроводников третьего поколения. Произведенный с использованием процессов физического осаждения из паровой фазы (PVT) или высокотемпературного химического осаждения из паровой фазы (HTCVD), он предлагает два варианта политипа: 4H-SiC или 6H-SiC. С допуском по размерам, контролируемым в пределах ±0,05 мм, и шероховатостью поверхности Ra < 0,5 нм, продукт доступен как в N-типе, так и в P-типе с диапазоном удельного сопротивления 0,01-100Ω·см. Каждая пластина проходит строгие проверки качества, включая рентгеновскую дифракцию (XRD) для проверки целостности решетки и оптическую микроскопию для обнаружения дефектов поверхности, что обеспечивает соответствие стандартам качества полупроводникового класса.

Технические характеристики SiC Substrate 10×10 мм

Основные технические характеристики SiC Substrate 10×10 мм

• Исключительное управление тепловым режимом: Теплопроводность SiC Substrate 10×10 мм до 490 Вт/м·К, в три раза выше, чем у кремния, что значительно снижает рабочую температуру устройства и повышает надежность системы.

• Превосходные электрические свойства: Прочность на пробой SiC Substrate 10×10 мм 2-4 МВ/см, в десять раз больше, чем у кремния, что поддерживает работу при более высоком напряжении; скорость дрейфа насыщения электронов достигает 2×10^7 см/с, что делает его идеальным для высокочастотных применений.

• Экстремальная адаптивность к окружающей среде: SiC Substrate 10×10 мм сохраняет стабильную производительность при температурах до 600°C, с низким коэффициентом теплового расширения 4,0×10^-6/K, обеспечивая стабильность размеров в условиях высоких температур.

• Выдающиеся механические характеристики: Твердость по Виккерсу 28-32 ГПа, прочность на изгиб более 400 МПа и исключительная износостойкость, SiC Substrate 10×10 мм обеспечивает срок службы в 5-10 раз дольше, чем у обычных материалов.

• Услуги по настройке: SiC Substrate 10×10 мм предлагает индивидуальные решения для ориентации кристалла (например, 0001, 11-20), толщины (100-500μм) и концентрации легирования (10^15-10^19 см^-3) в соответствии с требованиями заказчика.

---

 

Основные области применения SiC Substrate 10×10 мм

 

1. Силовые агрегаты новых энергетических транспортных средств: Подложка SiC 10×10 мм используется в автомобильных SiC MOSFET и диодах, повышая эффективность инвертора на 3-5% и увеличивая дальность хода электромобиля.

 

 

2. Инфраструктура связи 5G: Подложка SiC 10×10 мм служит подложкой для радиочастотных усилителей мощности (RF PA), поддерживая приложения миллиметрового диапазона (24-39 ГГц) и снижая энергопотребление базовой станции более чем на 20%.

 

 

3. Оборудование интеллектуальной сети: Подложка SiC 10×10 мм применяется в системах высоковольтного постоянного тока (HVDC) для твердотельных трансформаторов и автоматических выключателей, повышая эффективность передачи электроэнергии.

 

 

4. Промышленная автоматизация: Подложка SiC 10×10 мм обеспечивает промышленные приводы двигателей высокой мощности с частотой переключения более 100 кГц, уменьшая размер устройства на 50%.

 

 

5. Аэрокосмическая электроника: Подложка SiC 10×10 мм соответствует требованиям надежности для систем питания спутников и систем управления двигателями самолетов в экстремальных условиях.

 

 

6. Высокотехнологичные оптоэлектронные устройства: Подложка SiC 10×10 мм - идеальный материал подложки для УФ-светодиодов, лазерных диодов и других оптоэлектронных компонентов.