Главная страница Продукция Оболочка лаборатории

Высокочистый SiC концевой эффект для обработки пластин, коррозионностойкая термостойкая вилка для полупроводникового производства

Все продукты

Вафля нитрида галлия (35)

Вафля сапфира (87)

Субстрат SiC (131)

Сапфир оптически Виндовс (76)

Кремниевая пластина ИК (22)

Синтетический сапфир штанга (12)

Плита плавленного кварца (40)

Части сапфира (114)

Синтетическая драгоценная камень (72)

Оборудование полупроводника (55)

Вафля LiNbO3 (18)

Вафля GaAs (24)

Вафля фосфида индия (34)

керамический субстрат (25)

Оболочка лаборатории (31)

Оставьте нам сообщение

Высокочистый SiC концевой эффект для обработки пластин, коррозионностойкая термостойкая вилка для полупроводникового производства

Большие изображения : Высокочистый SiC концевой эффект для обработки пластин, коррозионностойкая термостойкая вилка для полупроводникового производства

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	ZMSH
Сертификация:	rohs

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	5
Цена:	100
Упаковывая детали:	Пеновая подушка + картонная коробка
Время доставки:	3-4 неделя
Условия оплаты:	банковский перевод
Поставка способности:	месяц 1000per

контакт

Подробное описание продукта

Сопротивление поверхности:	104 ~ 109Ω	Размер:	Настраиваемая (для 4 ′′ 12 дюймовых пластин)
Чистота:	990,9%	Плотность:	D=8,91 ((g/cm3)
Диаметр:	25-500 мм	Приложение:	Тестирование пакета, сортировка микросхем
Механическая прочность:	Прочность на изгиб > 400 МПа	Сопротивляемость:	0.1~60 ом.см.
тепловое сопротивление:	℃ 1600	Химическая стойкость:	Устойчив к кислотам, щелочам и плазме
Выделить:	Обработка полупроводников SiC концевой эффект , Обработка пластин SiC концевой эффект , Коррозионностойкий SiC концевой эффект

Описание продукта:

НашКонечные эффекторы SiCпредназначены для ультрачистой обработки пластин в среде производства полупроводников.карбид кремния высокой чистоты, эти вилки обеспечиваютисключительная термостойкость,химическая устойчивость, имеханическая прочность¢сделать их идеальными для использования вКамеры жестких процессовтакие как гравирование, осаждение и высокотемпературные транспортные системы.

Плотное, мелкозернистое SiC тело обеспечиваетнизкая генерация частиц,Отличная стабильность измерений, и совместимости сВафли размером от 200 до 300 ммСпециальные конструкции доступны для конкретных роботизированных рук и носителей пластин.

Ключевые особенности:

Материал: высокочистый карбид кремния (SiC)

Отличная теплостойкость (до 1600°C)

Высокая химическая и плазменная коррозионная стойкость

Высокая механическая прочность и жесткость

Низкая генерация частиц для использования в чистых помещениях

Доступен для обработки 4 ", 6", 8 "и 12 "вафры

Специальные формы и слоты для совместимости с роботами

Спецификация продукта:

Параметр	Спецификация
Материал	Сикроксид высокой чистоты (≥99%)
Размер	Настраиваемая (для 4 ′′ 12 дюймовых пластин)
Поверхностная отделка	Полированный или матовый по требованию
Термостойкость	До 1600°C
Устойчивость к химическим веществам	Устойчивость к кислотам, основам и плазме
Механическая прочность	Прочность на изгиб > 400 МПа
Уровень чистого помещения	Подходит для класса 1?? 100

Высокочистый SiC концевой эффект для обработки пластин, коррозионностойкая термостойкая вилка для полупроводникового производства 0

Ключевые слова / теги:

#SiCEndEffector #WaferHandling #SiCFork #SemiconductorEquipment #WaferTransfer #HighPuritySiC #SiCWaferCarrier #SemiconductorAutomation #VacuumCompatible #SiCComponent #EtchingToolPart #RoboticWaferHandling

тег: