Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Субстрат SiC >
Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм
  • Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм
  • Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм
  • Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм
  • Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм

Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм

Место происхождения Шанхай Китай
Фирменное наименование ZMSH
Сертификация ROHS
Номер модели Вафля кремниевого карбида
Детали продукта
Уровень:
Манекен исследования продукции
данный допинг:
Кремний doped/Un-doped/Zn дал допинг
Диаметр:
1500,0 мм +/- 0,2 мм
Тип:
4h-n
Частица:
Свободная/низкая частица
Электрическое сопротивление ((Омм-см):
0.015 ~ 0.025
Высокий свет: 

вафля кремниевого карбида 6inch

,

вафля кремниевого карбида 8Inch

,

вафля кремниевого карбида 4inch

Характер продукции

Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм

Описание продукта

ZMSH стала ведущим производителем и поставщиком пластин для подложки SiC (карбида кремния).Мы гордимся тем, что предлагаем самые конкурентоспособные цены на рынке для 2-дюймовых и 3-дюймовых исследовательского класса SiC подложки пластин, предоставляя клиентам исключительную ценность.

Си-C субстратные пластинки используются в широком спектре конструкций электронных устройств, особенно в продуктах, требующих высокой мощности и высокой частоты.Эти пластины играют решающую роль в развитии передовых и эффективных электронных систем.

Кроме того, пластинки из SiC-субстрата широко используются в области технологии светодиодов (LED).Светодиоды - это полупроводниковые устройства, которые генерируют энергоэффективный и низкотеплый свет путем сочетания электронов и отверстийСи-Си субстратные пластины вносят значительный вклад в производительность и надежность светодиодов, что делает их важным компонентом в светодиодной промышленности.

В ZMSH мы стремимся предоставить высококачественные пластинки из SiC-субстрата по лучшим ценам, удовлетворяя разнообразные потребности наших клиентов в различных отраслях.

Параметр продукта

Параметр Стоимость
Наименование продукта Субстрат из карбида кремния
Способ выращивания MOCVD
Структура кристалла 6h, 4h
Последовательность складирования 6H: ABCACB, 4H: ABCB
Уровень Производственный класс, исследовательский класс, фиктивный класс
Тип проводимости N-тип или полуизоляционный
Пробелы между полосками 3.23 eV
Твердость 9.2 (Мох)
Теплопроводность @300K 30,2-4,9 Вт/см.К
Диэлектрические константы e(11)=e(22)=9.66, e(33) = 10.33
Сопротивляемость 4H-SiC-N: 0.0150.028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0.020.1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm
Упаковка Чистая сумка класса 100, в чистой комнате класса 1000

Применение продукта

Кремниевые карбидные пластинки (SiC-пластинки) пользуются большим спросом из-за их пригодности в автомобильной электронике, оптоэлектронных устройствах и промышленных приложениях.Эти пластинки включают как 4H-N типа SiC субстраты, так и полуизоляционные SiC субстраты., которые служат решающими компонентами в широком спектре устройств.

Субстраты SiC типа 4H-N обладают исключительными свойствами, включая широкий диапазон, который позволяет эффективно переключать мощность в электронике.Они обладают замечательной устойчивостью к механическому износу и химическому окислению, что делает их идеальными для применений, требующих работы при высоких температурах и низких потерях мощности.

Полуизоляционные SiC-субстраты обладают отличной стабильностью и теплостойкостью, что делает их подходящими для различных оптоэлектронных приложений.Их способность поддерживать стабильность в высокопроизводительных устройствах особенно ценнаКроме того, полуизоляционные субстраты SiC могут использоваться в качестве склеиваемых пластин, играя жизненно важную роль в разработке высокопроизводительных микроэлектронных устройств.

Уникальные особенности SiC-платки делают их чрезвычайно универсальными для широкого спектра применений, с особой важностью в автомобильной, оптоэлектронной и промышленной отраслях.SiC-облаки являются незаменимыми компонентами в современном технологическом ландшафте и продолжают набирать популярность в различных отраслях промышленности.

Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм 0Силиконовый карбид 2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов промышленное использование с поверхностной шероховатостью ≤ 0,2 нм 1

Частые вопросы

Что такое SiC-субстрат?

Что такое пластинки и субстраты из карбида кремния (SiC)?

Кремниекарбидные (SiC) пластинки и подложки - это специализированные материалы, используемые в полупроводниковой технологии, изготовленные из карбида кремния, соединения, известного своей высокой теплопроводностью,Отличная механическая прочность, и широкий разрыв.

Субстрат SiC, или карбид кремния, представляет собой кристаллический материал, используемый в качестве основы или основы, на которой изготавливаются полупроводниковые устройства.Он состоит из атомов кремния и углерода, расположенных в кристаллической решеткеСубстраты SiC предназначены для наличия специальных электрических, тепловых, тепловых,и механические свойства, которые делают их очень подходящими для широкого спектра электронных и оптоэлектронных приложений.

Субстраты SiC предлагают несколько преимуществ по сравнению с традиционными полупроводниковыми материалами, такими как кремний (Si), в том числе:

Широкий диапазон действия: SiC имеет широкий диапазон действия, обычно от 2,9 до 3,3 электронов (eV), что позволяет изготавливать высокомощные, высокотемпературные и высокочастотные устройства.Этот широкий пробел позволяет устройствам эффективно работать при более высоких температурах и напряжениях, одновременно минимизируя утечку тока.
Высокая теплопроводность: SiC-субстраты имеют отличную теплопроводность, что позволяет эффективно рассеивать тепло, вырабатываемое во время работы устройства.Это свойство имеет решающее значение для поддержания надежности и производительности устройства, особенно в высокомощных и высокотемпературных приложениях.
Химическая устойчивость: SiC химически стабилен и устойчив к коррозии, что делает его подходящим для использования в суровой среде и реактивных химических процессах.Эта стабильность обеспечивает долгосрочную надежность и стабильность устройства в различных условиях эксплуатации.
Механическая твердость: Си-цилиндровые субстраты обладают высокой механической твердостью и жесткостью, а также устойчивостью к механическому износу и деформации.Эти свойства способствуют долговечности и долговечности устройств, изготовленных на SiC-субстратах.
Высокое разрывное напряжение: устройства SiC могут выдерживать более высокое разрывное напряжение по сравнению с устройствами на основе кремния,позволяет проектировать более надежную и надежную силовую электронику и высоковольтные устройства.
Высокая электронная подвижность: SiC-субстраты имеют высокую электронную подвижность, что приводит к более быстрому транспорту электронов и более высокой скорости переключения в электронных устройствах.Это свойство выгодно для применений, требующих высокочастотного действия и быстрых скоростей переключения.

В целом, SiC-субстраты играют решающую роль в разработке передовых полупроводниковых устройств для применения в силовой электронике, радиочастотной (RF) связи, оптоэлектронике,высокотемпературная электроникаИх уникальное сочетание электрических, тепловых,и механические свойства делает их незаменимыми для создания электронных и фотонических систем нового поколения в различных отраслях промышленности..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас