SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86-1580-1942596 eric_wang@zmsh-materials.com
8inch 6inch 4H-N sic substrate dummy Prime Production grade for SBD MOS Device

ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD

Продукция - Субстрат SiC
  • Материалы
    Кристалл SIC
  • Тип
    4ч-н
  • Очищенность
    99,9995%
  • Удельное сопротивление
    0,015~0,028 Ом.см
  • Размер
    2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch
  • Толщина
    350um или подгонянный
  • MPD
    《2cm-2
  • Применение
    для SBD, прибор MOS
  • TTV
    《15um
  • лук
    《25um
  • Деформация
    《45um
  • Поверхность
    CMP Si-стороны, MP c-стороны
  • Место происхождения
    Китай
  • Фирменное наименование
    tankblue
  • Сертификация
    CE
  • Номер модели
    4ч-н
  • Количество мин заказа
    3шт
  • Цена
    by size and grade
  • Упаковывая детали
    одиночная коробка контейнера вафли или коробка кассеты 25pc
  • Время доставки
    1-4weeks
  • Условия оплаты
    T/T, западное соединение
  • Поставка способности
    1000ПК/месяц

ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD

  • 8inch 6inch 4H-N sic substrate dummy Prime Production grade for SBD MOS Device
  • 8inch 6inch 4H-N sic substrate dummy Prime Production grade for SBD MOS Device
  • 8inch 6inch 4H-N sic substrate dummy Prime Production grade for SBD MOS Device
Получить цену Контакт

 

 

ранг продукции вафель 4inch 6inch 8inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD

 

1. Сравнение третьего поколения материалов полупроводника

Кристалл SiC третьего поколения материал полупроводника, который имеет большие преимущества в маломощном, сценарии миниатюризации, высоковольтных и высокочастотных применения. Третьего поколения материалы полупроводника представлены нитридом кремниевого карбида и галлия. Сравненный с предыдущими 2 поколениями материалов полупроводника, самое большое преимущество своя широкая свободная от диапазон ширина, которая обеспечивает что она может прорезать более высокую силу электрического поля и соответствующая для подготовки высоковольтных и высокочастотных приборов силы.

2. Классификация

   Субстраты SiC кремниевого карбида можно разделить в 2 категории: полу-изолированные субстраты кремниевого карбида (ООН-dopend особой чистоты и V-данное допинг 4H-SEMI) с высокой резистивностью (resistorivity ≥107Ω·см), и проводные субстраты кремниевого карбида с низкой резистивностью (ряд резистивности 15-30mΩ·см).

ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 0ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 1ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 2

2. Спецификация для вафель 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, вафля 8inch sic также доступно)

спецификации субстратов 6inch N типа SiC
Свойство Ранг P-MOS Ранг P-SBD Ранг d  
Спецификации Кристл  
Форма Кристл 4H  
Зона Polytype Никакие позволили Area≤5%  
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2  
Плиты наговора Никакие позволили Area≤5%  
Шестиугольное Polycrystal Никакие позволили  
Включения a Area≤0.05% Area≤0.05% N/A  
Резистивность 0.015Ω•cm-0.025Ω•см 0.015Ω•cm-0.025Ω•см 0.014Ω•cm-0.028Ω•см  
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A  
(ТЕД) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A  
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A  
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A  
(Штабелируя недостаток) Зона ≤0.5% Зона ≤1% N/A  
Поверхностное загрязнение металла (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, k, ti, Ca, v, Mn) см-2 ≤1E11  
Механические спецификации  
Диаметр 150,0 mm +0mm/-0.2mm  
Поверхностная ориентация Внеосевой: 4°toward <11-20>±0.5°  
Основная плоская длина 47,5 mm ± 1,5 mm  
Вторичная плоская длина Отсутствие вторичной квартиры  
Основная плоская ориентация <11-20>±1°  
Вторичная плоская ориентация N/A  
Ортогональное Misorientation ±5.0°  
Поверхностный финиш C-сторона: Оптически польское, Si-сторона: CMP  
Край вафли Скашивать  
Шероховатость поверхности
(10μm×10μm)		 Сторона Ra≤0.20 nm Si; Сторона Ra≤0.50 nm c  
Толщина a μm 350.0μm± 25,0  
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm  
(TTV) a ≤6μm ≤10μm  
(СМЫЧОК) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Искривление) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Поверхностные спецификации  
Обломоки/выделяют Никакие позволили ширину и глубину ≥0.5mm Ширина и глубина Qty.2 ≤1.0 mm  
Царапины a
(Сторона Si, CS8520)		 ≤5 и кумулятивный диаметр Length≤0.5×Wafer ≤5 и кумулятивный диаметр вафли Length≤1.5×  
TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N/A  
Отказы Никакие позволили  
Загрязнение Никакие позволили  
Исключение края 3mm  

 

 

ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 3ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 4ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 5ранг продукции субстрата 8inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD 6

2. Промышленная цепь

Цепь SiC кремниевого карбида промышленная разделена в подготовку субстрата материальную, рост эпитаксиального слоя, изготовлять прибора и идущие дальше по потоку применения. Монокристаллы кремниевого карбида обычно подготовлены физической передачей пара (методом PVT), и после этого эпитаксиальные листы произведены низложением химического пара (методом CVD) на субстрате, и уместные приборы в конце концов сделаны. В промышленной цепи приборов SiC, должной к затруднению технологии изготовления субстрата, значение промышленной цепи главным образом сконцентрировано в связи в верхней части потока субстрата.

 

Технология ZMSH может обеспечить клиентов с импортированное и отечественное высококачественное проводным, 2-6inch полу-изолируя и субстратами HPSI (особой чистоты Полу-изолируя) SiC в сериях; К тому же, она может обеспечить клиентов с листами однородного и неоднородного кремниевого карбида эпитаксиальными, и может также быть подгоняна согласно специфическим потребностям клиентов, без количества минимального заказа.

 

 

Бирки:

вафля сик

субстрат сик

субстрат кремниевого карбида

сопутствующие товары

Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.

Получить цитату