Тип вафля n нитрида галлия 4inch Dia100mm свободная стоя HVPE GaN

субстраты 2inch свободно стоящие GaN, вафля для LD, semiconducting вафля GaN нитрида галлия для приведенный, шаблон GaN, субстраты 10x10mm GaN, родная вафля GaN,

Применения GaN

GaN можно использовать для того чтобы сделать несколько типов приборов; основные приборы GaN СИД, лазерные диоды, производительность электроники, и приборы RF.

GaN идеально для СИД из-за сразу bandgap eV 3,4 которое в близко УЛЬТРАФИОЛЕТОВОМ спектре. GaN можно сплавить с гостиницей и AlN, которая имеют bandgaps 0,7 eV и eV 6,2, соответственно. Поэтому, этот материальные системы могут теоретически пядь большой спектр энергии для светоиспускающого прибора. В фактической практике, эффективность самые высокие для голубых приборов и уменшений InGaN для высокого содержания InGaN индия или для излучателей AlGaN. Близко УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ и голубой спектр оптимален для делать белые излучатели со светомассами, и эта технология ответственна за замечательные увеличения эффективности в освещении с 1990s когда СИД начинало заменять традиционные источники света.

Лазерные диоды, обычно с голубым излучением, можно сделать используя GaN. Эти приборы использованы для дисплеев и некоторой специальности биомедицинских, вырезывания, и научных применений. Лазерные диоды можно также использовать для делать белые светоиспускающие приборы со светомассами. Сравненный к СИД, белый свет лазерного диода может достигнуть очень плотности наивысшей мощности и высокого directionality.

Для производительности электроники, основанные на GaN приборы могут достигнуть высоких переключая скоростей, плотности наивысшей мощности, и низких потерь энергии приводящ в более эффективных, более небольших, и более светлых продуктах преобразования силы. Многочисленные применения для основанной на GaN производительности электроники включая электротранспорты, инверторы солнечных и ветра энергии, промышленные регуляторы мотора, центры данных, и бытовую электронику.

основанные на GaN приборы RF обладают много из таких же преимуществ производительности электроники GaN, и дополнительно могут получать доступ к более высокой частоте чем традиционные полупроводники. Приборы RF использованы для промышленных топления, радиолокатора, и радиосвязей. GaN особенно выгодно для плотности наивысшей мощности как для клетчатые базовые станции.

Технология HVPE

Эпитаксия участка пара гидрида (HVPE) процесс который может произвести одиночное кристаллическое GaN. Она использована для роста субстратов GaN из-за тарифа высокого роста и высококачественный которого можно достигнуть. В этом процессе, газ HCl прореагирован с жидкостным металлом галлия, который формирует газ GaCl. После этого GaCl реагирует с газом ₃ NH на °C около 1 000 для того чтобы сформировать твердый кристалл GaN. Исследование Eta развивало наше собственное оборудование HVPE с целью для того чтобы стоить эффектно масштабу продукцию вафель GaN.

В настоящее время, подавляющее большинство основанных на GaN приборов использует чужие субстраты как ₃ ₂ o Al и Si. Хотя чужие субстраты хороши для некоторых применений, несходный материал причиняет дефекты быть помещенным в слоях прибора GaN по мере того как материал депозирован. Дефекты могут уменьшить представление.

Субстраты GaN, особенно с низкой плотностью дефекта, предлагают самый лучший выбор для низложения слоев прибора GaN. Польза субстратов GaN улучшит эффективность, плотность мощности, и другую метрическую систему мер представления приборов GaN.