ПРОДУКТЫ

Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля GaAs > Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия

Категории

защитное прозрачное стекло сапфира

(30)

Синтетическая драгоценная камень

(67)

Оболочка лаборатории

(22)

Контакты

Контакты: Mr. Wang

ТЕЛЕФОН:: 86-1580-1942596

Свяжитесь сейчас

Напишите нам.

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Фирменное наименование: zmsh

Сертификация: no

Номер модели: ZnO

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10pcs

Цена: by case

Упаковывая детали: Фильм ЛЮБИМЦА в комнате чистки 100 рангов

Время доставки: 1-4weeks

Поставка способности: 500pcs/month

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить: 
                                                                                                                                                                                                                                                вафля гаас, вафля арсенида индия
                              

Материал:	Субстраты одиночного кристалла ЛаАлО3	промышленность:	вафля семикондутор
Применение:	субстрат полупроводника, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, субстраты прибора	Метод:	CZ
Размер:	10x10mm	Толщина:	0,5 мм

Материал:	Субстраты одиночного кристалла ЛаАлО3
промышленность:	вафля семикондутор
Применение:	субстрат полупроводника, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, субстраты прибора
Метод:	CZ
Размер:	10x10mm
Толщина:	0,5 мм

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия

ЛаАлО3 субстраты, субстрата алюмината ЛаАлО3крыстал лантана 10С10мм кристаллы небольшого квадратного одиночные

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Применение:

Одиночный кристалл ЛаАлО3 самый важный материал одиночного кристалла высокотемпературного сверхпроводящего тонкого фильма. Рост вытягивать метод метод КЗ, который может получить 2 дюйма диаметра и более большого одиночного кристалл и субстрат, оно имеет высокотемпературный сверхпроводящий материал как ИБаКуО и спичка решетки хорошо, низкие диэлектрическая константа и потеря микроволны небольшие, которая соответствующая для делать высокотемпературные сверхпроводящие электронные устройства микроволны (как радиосвязь фильтра микроволны ХТС, етк.)

Общие свойства

Название продукта:

Субстрат алюмината лантана (ЛаАлО3) кристаллический

Характер продукции:

Кристаллическая структура перовскита ЛаАлО3 материалов на разнообразие хороший соответствовать решетки материал субстрата эпитаксиальных фильмов ХТС тонких и гигантского магнетосопротивления превосходный, свои диэлектрические свойства соответствующие для резонатора малопотертой микроволны диэлектрического и применение. ХБ алюмината лантана мира выращивание кристаллов самого большого существующего одиночное изготовителей, месячная производительность 10 до 20 кг может, может предусмотреть штанги, листы и резать грубый эпитаксиальный субстрат полируя для того чтобы отвечать разнообразные потребностямы мирового рынка.

Технические параметры:

Кристаллическая структура	Псевдо-кубический
Константа решетки	а = 3. 792Å
Метод роста	Метод Кзокральски
Мп	°К 2080
Плотность	6.52г/км3
Твердость Мохс	6,5 Мохс
Коэффициент теплового расширения	10 × 10 -6/°К
Пермиттивиты	25
Тангенс потери (10ГХз)	\| 3 × 10 -4 @ 300К, \| 0,6 × 10 -4 @ 77К
Цвет и возникновение	Путем обжигая условия отличающиеся от коричнев-желтое к коричневому цвету полируя субстрат с естественным дублированным доменом
Химическая стойкость	Минеральные кислоты, неразрешимые на комнатной температуре, температура выше чем солубле х 3 ПО 4 150 °К

Спецификации:

<100> <110>, <111> допуск: +/-0,5 градуса

дя3 «кс0.5мм, дя2» кс0.5мм, дя1 «кс0.5мм, 10кс10кс0.5мм, 10кс5кс0.5мм

Определите ход или удвойте ход, Ра <5a>

Могут быть подгонянные ориентация и размер.

Упаковка стандарта:

чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия 0

вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг

К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как объектив шарика, объектив Пауэлла и объектив центрира:
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.
(2) для -стандартных продуктов, доставка 2 или 6 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

К: Как оплатить?
100%Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасная оплата и торговля

Обеспечение на Алибаба и етк…

К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-20пкс.
Оно зависит от количества и методов

К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.

Упаковка – Логисткс
Ворльдхавк относится каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия.

Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс!

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия 2

Tags:

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Синтетический сапфир штанга

Кремниевая пластина ИК

Плита плавленного кварца

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Лаало3 субстрат, субстрат Кристл алюмината лантана вафли арсенида галлия

вафля гаас

вафля арсенида индия

вафля арсенида индия,

вафля гаас,

субстрат лаало3

GaP полуизолированные пластинки P тип N тип 400um 500um Зеленый светодиод Красный Зеленый свет

Прозрачные оранжевые бездопинговые вафли с ГаП P тип N тип 200um 350um 5G светоизлучающие

2" S Допированный полупроводниковый GaP EPI Wafer N Type P Type 250um 300um светоизлучающие диоды

4-дюймовые подложки из арсенида галлия вафель GaAs типа DSP N типа P

структура моноклиналя субстрата окиси галлия 10x10mm

тип субстраты n ранга теста исследования вафель 3inch VGF GaAs GaAs

тип n полупроводника субстратов арсенида галлия 2inch одиночного Кристл

тип субстраты p метода роста 6Inch VGF GaAs вафель GaAs

сторона субстратов арсенида галлия вафель GaAs Dopant 2inch Si двойная отполированная для СИД

N типа/ООН-данный допинг тип вафли GaSb 2inch InAs вафель GaAs

субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия толщины 0.5mm

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Вафля фосфида индия

Части сапфира

защитное прозрачное стекло сапфира