Что такое карбид кремния

Карбид кремния (SiC) представляет собой составной полупроводниковый материал третьего поколения.Краеугольным камнем полупроводниковой промышленности являются микросхемы, а основные материалы для изготовления микросхем делятся на три категории в соответствии с историческим процессом: полупроводниковые материалы первого поколения (в настоящее время широко используется в основном кремний высокой чистоты), составные полупроводниковые материалы второго поколения ( арсенид галлия, фосфид индия), составные полупроводниковые материалы третьего поколения (карбид кремния, нитрид галлия).

Карбид кремния будет наиболее широко используемым основным материалом для полупроводниковых микросхем в будущем из-за его превосходных физических свойств: большой ширины запрещенной зоны (что соответствует сильному электрическому полю пробоя и высокой плотности мощности), высокой электропроводности и высокой теплопроводности.

Функции карбида кремния заключаются в следующем: во-первых, он может эффективно уменьшить трение, помочь улучшить тягу автомобиля и эффективность двигателя, тем самым улучшая ускорение и общую производительность автомобиля;во-вторых, он может эффективно снизить шум двигателя и повысить износостойкость металлических деталей пола, снизить расход смазочного масла;Кроме того, карбид кремния также обладает определенным противопожарным эффектом, который может уменьшить повреждение автомобиля при возникновении пожара.

Карбид кремния оказывает важное влияние на новые энергетические автомобили.Прежде всего, это может повысить эффективность двигателя транспортных средств на новой энергии и помочь транспортным средствам на новой энергии достичь большей экономии топлива;во-вторых, это может продлить срок службы транспортных средств на новой энергии и снизить уровень повреждения аксессуаров;наконец, это также помогает транспортным средствам, использующим новую энергию, обеспечивать более тихую рабочую среду и снижать уровень шума, тем самым улучшая условия вождения.