logo
Поиск
Категории
Качество Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера фабрика

Вафля нитрида галлия
Качество 60-мм сапфировая пластина, толщина 3 мм, оптическое инфракрасное окно фабрика

Вафля сапфира
Качество 4H 6дюймовый эпитаксиальный пластинка SiC 100μm / 200μm / 300μm для УЗВ устройства MOS фабрика

Субстрат SiC
Качество Оптическое окно на заказ 222 мм × 74 мм × 4 мм Сопротивление износу для инфракрасных окон фабрика

Сапфир оптически Виндовс
Качество Покрытые монокристаллические кремниевые линзы для оптической визуализации фабрика

Кремниевая пластина ИК
Качество Лабораторно выращенный сапфир для ювелирных изделий и предметов роскоши фабрика

Синтетический сапфир штанга
Качество ​​JGS1 JGS2 Подложки из плавленого кварца оптического класса 2-12 дюймов​​ фабрика

Плита плавленного кварца
Качество Сапфировая лезвие 0,8 мм/1,0 мм/1,2 мм для трансплантации волос в медицинской эстетической промышленности фабрика

Части сапфира
Качество Синтетический цветной сапфировый кристалл королевского синего цвета для дизайна ювелирных изделий на заказ фабрика

Синтетическая драгоценная камень
Качество ​​Инвертированная многопроволочная пила для высокоточной алмазной проволочной резки​​ фабрика

Оборудование полупроводника
Качество LNOI Литий Ниобат тонкопленочные пластинки 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов X-разрез Y-разрез Z-разрез ориентации фабрика

Вафля LiNbO3
Качество GaAs лазерная эпитаксиальная пластина галлиевой арсенидной пластинки VCSEL/PD экспитаксиальная пластина для интеллектуального обнаружения фабрика

Вафля GaAs
Качество Медная тепловая раковина Подложка с плоским дном, высокопроизводительное электронное устройство Cu≥99.9% фабрика

Вафля фосфида индия
Качество Алюминиевые керамические специальные компоненты высокая твердость для оборудования для производства полупроводников фабрика

керамический субстрат
Качество 1 дюймовая вафельная кассета диаметром 16 мм вместимостью 25 штук фабрика

Оболочка лаборатории
Наиболее популярные продукты
Качество Al₂O₃ Сапфировая пластина, отклонение от оси C к плоскости M 8°, диаметры: 2"– 8", нестандартная толщина фабрика

Al₂O₃ Сапфировая пластина, отклонение от оси C к плоскости M 8°, диаметры: 2"– 8", нестандартная толщина

Свяжитесь мы
Качество 12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический фабрика

12 дюймов Диаметр 300 мм SIC субстрат эпитаксиальная полированная вафель Кремниевой карбид Ингот Прайм-класс 4H-N Тип проводящий солнечный фотоэлектрический

Свяжитесь мы
Качество Сапфиры на заказ Сапфиры для окон Оптическое стекло высокая твердость фабрика

Сапфиры на заказ Сапфиры для окон Оптическое стекло высокая твердость

Свяжитесь мы
Качество Полированная сапфировая трубка с однокристаллическим оптическим компонентом Al2O3 фабрика

Полированная сапфировая трубка с однокристаллическим оптическим компонентом Al2O3

Свяжитесь мы
Качество Настраиваемый корпус для сапфировых часов 40/42 мм фабрика

Настраиваемый корпус для сапфировых часов 40/42 мм

Свяжитесь мы
Качество 6' 8' Ultra Thick SiO2 Single Crystal 10um 20um 25um Сухой влажный оксидный слой 0,1μm 25μm фабрика

6' 8' Ultra Thick SiO2 Single Crystal 10um 20um 25um Сухой влажный оксидный слой 0,1μm 25μm

Свяжитесь мы
Качество Вафля покрытия Si3Nx с резистивностью 1 - 10ohm отсутствие дефектов фабрика

Вафля покрытия Si3Nx с резистивностью 1 - 10ohm отсутствие дефектов

Свяжитесь мы
Качество ​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​ фабрика

​​Подложка 3C-SiC N-типа, технологического класса, для связи 5G​​

Свяжитесь мы
Качество 2-дюймовая кварцевая стеклянная пластина DSP SSP, диаметр 50,8 мм фабрика

2-дюймовая кварцевая стеклянная пластина DSP SSP, диаметр 50,8 мм

Свяжитесь мы
Введение компании
China SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
China SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД. размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана в городе Укси в 2014. Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и кустиомизед оптически стекло парц.компоненц широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные ...
Подробнее Свяжитесь сейчас
новости компании
последние новости компании о Технологии очистки пластин и обмен данными
2025/09/03
Технологии очистки пластин и обмен данными
Технологии очистки пластин и обмен данными       Технология очистки пластин является критически важным процессом в производстве полупроводников, поскольку даже загрязнения на атомном уровне могут повлиять на производительность или выход годных изделий. Процесс очистки обычно включает в себя несколько этапов для удаления различных типов загрязнений, таких как органические остатки, металлы, частицы и естественные оксиды.             1. Цель очистки пластин: Удаление органических загрязнений (например, фоторезиста, отпечатков пальцев) Удаление металлических примесей (например, Fe, Cu, Ni) Удаление частиц (например, пыли, фрагментов кремния) Удаление естественных оксидов (например, слоев SiO₂, образующихся при воздействии воздуха)     2. Строгая очистка пластин обеспечивает: Высокий выход годных изделий и производительность устройств Снижение дефектов и процента брака пластин Улучшенное качество и однородность поверхности   Перед тем, как подвергнуть кремниевые пластины интенсивным процессам очистки, необходимо оценить существующее загрязнение поверхности. Понимание типов, диапазонов размеров и распределения частиц на поверхности пластины помогает оптимизировать химический состав очистки и ввод механической энергии.             3. Передовые аналитические методы оценки загрязнений:     3.1 Анализ частиц на поверхности   Специальные счетчики частиц используют рассеяние лазерного излучения или компьютерное зрение для подсчета, определения размера и отображения поверхностного мусора. Интенсивность рассеяния света тесно коррелирует с размерами частиц, начиная с десятков нанометров, и плотностями до 0,1 частицы/см². Тщательная калибровка с использованием стандартов обеспечивает надежную работу оборудования. Сканирование поверхности пластины до и после очистки четко подтверждает эффективность удаления, способствуя улучшению процесса при необходимости.     3.2 Элементный анализ поверхности   Поверхностно-чувствительные аналитические методы идентифицируют элементный состав загрязнений. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS или ESCA) исследует химические состояния элементов на поверхности, облучая пластину рентгеновскими лучами и измеряя испускаемые электроны. Спектроскопия оптического излучения в тлеющем разряде (GD-OES) последовательно распыляет ультратонкие поверхностные слои, в то время как эмиссионная спектроскопия определяет элементный состав по глубине. Этот анализ состава с пределами обнаружения до долей миллиона направляет оптимальную химию очистки.     3.3 Морфологический анализ загрязнений   Сканирующая электронная микроскопия обеспечивает детальное изображение поверхностных загрязнений, выявляя тенденции химической и механической адгезии на основе формы и соотношения площади/периметра. Атомно-силовая микроскопия отображает топологические профили в наномасштабе, количественно определяя высоту частиц и механические свойства. Фокусированный ионный пучок в сочетании с просвечивающей электронной микроскопией предлагает внутренние виды захороненных загрязнений.             4. Другие передовые методы очистки   Хотя очистка растворителем является отличным первым шагом для удаления органических загрязнений с кремниевых пластин, иногда требуется дополнительная передовая очистка для удаления неорганических частиц, следов металлов и ионных остатков.   Несколько методов обеспечивают необходимую глубокую очистку, сводя к минимуму повреждение поверхности или потерю материала для прецизионных кремниевых пластин:     4.1 Очистка RCA Разработанная лабораториями RCA, очистка RCA использует специализированный двухванный процесс для удаления загрязнений на основе полярности.   Последовательное погружение: SC-1 (Standard Clean-1) – Удаление органики SC-2 (Standard Clean-2) – Удаление кислотной неорганики   Обеспечивает исключительную сбалансированную очистку пластин, защищая при этом пластину.             4.2 Очистка озоном Включает погружение пластин в насыщенную озоном деионизированную воду Мощное удаление органики без причинения вреда Оставляет ультрачистую, химически пассивированную поверхность             4.3 Мегазвуковая очистка Использует высокочастотную ультразвуковую энергию в сочетании с чистящими растворами Кавитационные пузырьки вытесняют загрязнения Проникает в сложные геометрии Специальные системы позволяют избежать повреждения хрупких пластин             4.4 Криогенная очистка Быстрое охлаждение до криогенных температур делает загрязнения хрупкими Последующее ополаскивание или мягкое протирание щеткой приводит к отслаиванию частиц Предотвращает прилипание примесей к поверхности или их диффузию в нее Очень быстрый, сухой процесс без добавления химикатов               Заключение   Как ваш надежный партнер, ZMSH не только поставляет и продает ведущее в мире оборудование для производства полупроводников, но и обладает передовыми возможностями обработки и очистки пластин. Мы глубоко понимаем строгие требования к чистоте поверхности в передовых процессах и, опираясь на профессиональную команду инженеров и передовые решения, стремимся повысить выход годных изделий, обеспечить производительность и ускорить инновации для наших клиентов. От основного оборудования до критических процессов мы обеспечиваем исключительную техническую поддержку и обслуживание на протяжении всего процесса, позиционируя себя как незаменимого партнера в вашей цепочке создания стоимости.                
Подробнее
последние новости компании о Ключевые сырьевые материалы в полупроводниковом производстве: виды подложки для пластин
2025/08/20
Ключевые сырьевые материалы в полупроводниковом производстве: виды подложки для пластин
Основные сырьевые материалы в производстве полупроводников: типы подложек для пластин             Подложки для пластин служат физическими носителями полупроводниковых приборов, а их материальные свойства напрямую влияют на производительность, стоимость и область применения устройств. Ниже приведены основные типы подложек для пластин и их соответствующие преимущества и недостатки:     1. Кремний (Si)   Доля рынка: Доминирует на более чем 95% мирового рынка полупроводников.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Низкая стоимость: Обильное сырье (диоксид кремния) и зрелые производственные процессы обеспечивают значительную экономию за счет масштаба. Высокая технологическая совместимость: Высокоразвитая технология CMOS поддерживает наноразмерное производство (например, узлы 3 нм). Отличное качество кристаллов: Способность производить крупногабаритные (основные 12-дюймовые, 18-дюймовые в разработке) монокристаллы с низким уровнем дефектов. Стабильные механические свойства: Легко резать, полировать и обрабатывать. Недостатки: Узкая запрещенная зона (1,12 эВ): Высокий ток утечки при повышенных температурах, что ограничивает эффективность в силовых приборах. Непрямая запрещенная зона: Чрезвычайно низкая эффективность светоизлучения, не подходит для оптоэлектронных устройств (например, светодиодов, лазеров). Ограниченная подвижность электронов: Уступает по высокочастотным характеристикам полупроводникам с соединениями.   Кремниевые пластины ZMSH       2. Арсенид галлия (GaAs)   Применение: Высокочастотные радиочастотные устройства (5G/6G), оптоэлектронные устройства (лазеры, солнечные элементы).   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Высокая подвижность электронов (в 5–6 раз выше, чем у кремния): Идеально подходит для высокоскоростных, высокочастотных приложений (миллиметровые волны). Прямая запрещенная зона (1,42 эВ): Эффективное преобразование фотоэлектричества, составляющее основу инфракрасных лазеров и светодиодов. Термостойкость/радиационная стойкость: Подходит для аэрокосмической и высокотемпературной среды.   SOI (кремний на изоляторе): Высокая стоимость: Дефицитный материал со сложным выращиванием кристаллов (склонен к дислокациям); размеры пластин небольшие (основные 6 дюймов). Механическая хрупкость: Склонен к фрагментации, что приводит к низкому выходу продукции. Токсичность: Требуется строгий контроль при работе с мышьяком.   Пластины GaAs от ZMSH       3. Карбид кремния (SiC)   Применение: Высокотемпературные/высоковольтные силовые приборы (инверторы электромобилей, зарядные сваи), аэрокосмос.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Широкая запрещенная зона (3,26 эВ): Выдерживает высокое напряжение (прочность на пробой в 10 раз выше, чем у кремния) и работает при температуре >200°C. Высокая теплопроводность (в 3 раза выше, чем у кремния): Эффективный отвод тепла повышает удельную мощность системы. Низкие потери при переключении: Повышает эффективность преобразования энергии.   SOI (кремний на изоляторе): Сложная подготовка подложки: Медленный рост кристаллов (более 1 недели) и сложный контроль дефектов (микротрубки, дислокации); стоимость в 5–10 раз выше, чем у кремния. Небольшие размеры пластин: Основные 4–6 дюймов; разработка 8 дюймов продолжается. Сложная обработка: Высокая твердость (9,5 по шкале Мооса) делает резку и полировку трудоемкими.   Пластины SiC от ZMSH       4. Нитрид галлия (GaN)   Применение: Высокочастотные силовые приборы (быстрые зарядные устройства, базовые станции 5G), синие светодиоды/лазеры.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Сверхвысокая подвижность электронов + широкая запрещенная зона (3,4 эВ): Сочетает в себе высокочастотные (>100 ГГц) и высоковольтные характеристики. Низкое сопротивление включения: Снижает энергопотребление устройства. Совместимость с гетерогенной эпитаксией: Часто выращивается на подложках из кремния, сапфира или SiC для снижения затрат. Недостатки: Сложность выращивания объемных кристаллов: Основной метод основан на гетерогенной эпитаксии с дефектами, вызванными несоответствием решетки. Высокая стоимость: Самонесущие подложки из GaN дороги (2-дюймовые пластины могут стоить тысячи долларов). Проблемы надежности: Эффект коллапса тока требует оптимизации.   Пластины GaN от ZMSH       5. Фосфид индия (InP)   Применение: Высокоскоростная оптоэлектроника (лазеры, детекторы), терагерцовые устройства.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Сверхвысокая подвижность электронов: Поддерживает высокочастотную работу >100 ГГц (превосходит GaAs). Прямая запрещенная зона с соответствием длины волны: Критически важна для волоконно-оптической связи 1,3–1,55 мкм.   SOI (кремний на изоляторе): Хрупкость и высокая стоимость: Цены на подложки более чем в 100 раз выше, чем на кремний; размеры пластин небольшие (4–6 дюймов). Применение: Подложки для отвода тепла для мощных модулей.4-6 дюймовИзоляция + высокая теплопроводность (AlN: 170–230 Вт/м·К): Идеально подходит для упаковки высокой плотности.       Преимущества:   Низкая стоимость: Дешевле, чем подложки SiC/GaN.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH Прозрачность: Подходит для светодиодов вертикальной структуры. Недостатки: Несоответствие решетки с GaN (>13%): Требуются буферные слои для уменьшения эпитаксиальных дефектов.   SOI (кремний на изоляторе): Пластины из сапфира от ZMSH 7. Оксид алюминия/керамические подложки (например, AlN, BeO)   Применение: Подложки для отвода тепла для мощных модулей.Преимущества:Изоляция + высокая теплопроводность (AlN: 170–230 Вт/м·К): Идеально подходит для упаковки высокой плотности.       Недостатки:   Не монокристалл: Нельзя напрямую выращивать устройства; используется только в качестве подложек для упаковки.   Керамическая подложка из оксида алюминия ZMSH 8. Специализированные подложки   SOI (кремний на изоляторе): Структура: Кремний/диоксид кремния/кремниевый сэндвич.           Преимущества: Уменьшает паразитарную емкость, радиационную стойкость и ток утечки (используется в RF, MEMS).   Недостатки: На 30–50% дороже, чем объемный кремний. Кварц (SiO₂):Используется в фотомасках, MEMS; термостойкий, но хрупкий. Алмаз: Наивысшая теплопроводность (>2000 Вт/м·К) находится в разработке для экстремального отвода тепла. Подложка SOI, кварцевая пластина, алмазная подложка ZMSHСводная сравнительная таблица ПодложкаЭнергия запрещенной зоны (эВ)   Подвижность электронов (см²/Вс)       Теплопроводность (Вт/мК)     Основной размер Основные области применения Стоимость Si 1,12 1500 150 12 дюймов Логические/запоминающие чипы Самая низкая GaAs 1,42 8500 55 4-6 дюймов РЧ/оптоэлектронные устройства Высокая SiC 9,9 (изолятор) 900 490 6 дюймов (НИОКР 8 дюймов) Силовые приборы/электромобили Чрезвычайно высокая GaN 3,4 2000 40 4-6 дюймов (гетероэпитаксия) Быстрая зарядка/РЧ/Светодиоды Высокая (гетероэпитаксия и т. д.) InP 1,35 5400 70 4-6 дюймов Оптическая связь/терагерцовая Чрезвычайно высокая Сапфир 9,9 (изолятор) - 40 4-8 дюймов Подложка для светодиодов Низкая Ключевые факторы выбора Требования к производительности: Высокочастотные приложения предпочитают GaAs/InP; высоковольтные/высокотемпературные приложения требуют SiC; оптоэлектроника предпочитает GaAs/InP/GaN. Ограничения по стоимости: Потребительская электроника отдает предпочтение кремнию; высокотехнологичные области принимают премиальные цены на SiC/GaN. Сложность интеграции: Совместимость с кремниевой CMOS остается непревзойденной.     Терморегулирование: Силовые приборы высокой мощности отдают предпочтение SiC или GaN на основе алмаза.   Зрелость цепочки поставок: Кремний > Сапфир > GaAs > SiC > GaN > InP. Будущие тенденции Гетерогенная интеграция (например, GaN на кремнии, SiC на GaN) уравновесит производительность и стоимость, стимулируя достижения в области 5G, электромобилей и квантовых вычислений. Услуги ZMSH     Являясь комплексным поставщиком комплексных услуг по производству и торговле полупроводниковыми материалами, мы предоставляем решения для цепочки поставок продукции полного цикла — от подложек для пластин (Si/GaAs/SiC/GaN и т. д.) до фоторезистов и материалов для полировки CMP.   Используя собственные производственные базы и глобальную сеть поставок, мы сочетаем возможности быстрого реагирования с профессиональной технической поддержкой, чтобы помочь клиентам в достижении стабильных операций в цепочке поставок и взаимовыгодных результатов технологических инноваций.          
Подробнее
последние новости компании о Устройства для лазерного резки большого формата: основные технологии для будущего производства 8-дюймовых SiC-вафель
2025/08/13
Устройства для лазерного резки большого формата: основные технологии для будущего производства 8-дюймовых SiC-вафель
Устройства для лазерного резки большого формата: основные технологии для будущего производства 8-дюймовых SiC-вафель       Силиконовый карбид (SiC) представляет собой не только критически важную технологию для национальной безопасности обороны, но и ключевое направление для глобальной автомобильной и энергетической промышленности.В качестве начального этапа обработки для монокристаллических материалов SiC, качество нарезки вафли в основном определяет эффективность последующей тонкости и полировки, а обычные процессы нарезки, как правило, создают трещины поверхности/подповерхности,увеличение скорости разрыва и затрат на производствоСледовательно, контроль повреждений поверхностных трещин имеет решающее значение для продвижения технологии производства SiC-устройств.     Оборудование ZMSH для разжижения пластин     Нынешнее вырезка слитков SiC сталкивается с двумя основными проблемами:   Высокий уровень потерь материала при традиционной многопроводной пиле.Из-за чрезвычайной твердости и ломкости SiC, процессы резки / шлифования / полировки сталкиваются с серьезными проблемами с искривлением и трещинами.Данные Infineon показывают, что традиционная диамантовая проволока пила достигает только 50% использования материала во время нарезания, с общими потерями, достигающими 75% (∼ 250 мкм на пластину) после полировки. Продолжительные циклы обработки и низкая пропускная способность.Международная статистика производства показывает, что 10 000 пластинок требуют ∼ 273 дней непрерывной работы.Удовлетворение спроса на рынке требует массового развертывания проволочных пил, в то время как страдает от высокой шероховатости поверхности и сильного загрязнения (сплав отходов), сточных вод).   Чтобы решить эти проблемы, команда профессора Сянцзяна Сюй в Нанкинском университете разработала оборудование для лазерного резки большого формата, которое значительно снижает потерю материала и повышает производительность.Для 20-миллиметрового слитка SiCКроме того, лазерно-резанные пластины обладают превосходными геометрическими характеристиками, что позволяет увеличить мощность до 200 мкм.         К конкурентным преимуществам данного проекта относятся: Завершенная разработка прототипа для полуизоляции вафли SiC размером 4-6 дюймов Достигнуто нарезка 6 "проводящих слитков SiC Продолжающаяся проверка пробивки слитков 8" Обладает 50%-ным сокращением времени обработки, более высокой годовой пропускной способностью и потерями материала
Подробнее

Субстрат SiC

Особая чистота ООН-дала допинг вафле sic кремниевого карбида, субстрату кремниевого карбида 6Inch 4H-Semi Sic

2 дюйма 6Х - Семи потребление низкой мощности вафли кремниевого карбида для детектора

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Вафля сапфира

Ориентация экстренныйого выпуска Виндовс стекла сапфира вафли полупроводника изготовленная на заказ/сапфира

Сапфировый пластинка Толщина 0,43 мм Сапфировые компоненты

Квадратные вафля сапфира/стекло сапфирового стекла 10кс10мм 5кс5мм для оптически объектива

Вафля нитрида галлия

Толщина вафли 350um GaN нитрида галлия дисплея проекции лазера

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Шаблон 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN на вафле AlN-На-сапфира EPI-вафли сапфира
Спросите цитату
Электронная почта Политика уединения
Качество Китая хорошее Вафля нитрида галлия Поставщик. © авторского права 2018-2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD . Все права защищены.