Дом
>
ПРОДУКТЫ
>
Вафля фосфида индия
>
|
| Место происхождения | Китай |
| Фирменное наименование | ZMSH |
| Сертификация | ROHS |
| Номер модели | InSb Вафли |
Описание:
1Антимонид индия - это полупроводниковый материал прямого диапазона, относящийся к инфракрасному спектру.
2Антимонид индия (InSb) - это соединенный полупроводниковый материал, состоящий из элементов индия (In) и антимона (Sb).
3Антимонид индия также обладает высокой подвижностью носителя и низкими характеристиками шума в высокоскоростной электронике и низкошумных усилителях.
4Его химическая формула InSb. Антимонид индия является важным полупроводниковым материалом со специальными электронными и оптическими свойствами.
поэтому он имеет широкий спектр применений в области оптоэлектроники и электроники.
5Кроме того, антимонид индия также может использоваться в устройствах квантового эффекта, таких как квантовые скважины и устройства квантовых точек.
из-за его превосходных квантовых свойств, таких как квантовые ограничивающие эффекты и квантовые настройки.
1Быстрый ответ: детектор InSb имеет быстрое время отклика и может улавливать изменения сигналов инфракрасного излучения в режиме реального времени.
2Низкий уровень шума: материалы InSb имеют низкий уровень шума, который может обеспечить четкие инфракрасные изображения и точную спектральную информацию.
3Высокая чувствительность: материал InSb имеет высокую чувствительность в средней инфракрасной полосе, которая может эффективно обнаруживать и преобразовывать инфракрасное излучение.
4Работа при низких температурах: детекторы InSb обычно должны работать при более низких температурах, обычно ниже 77K (температура жидкого азота)
5Широкий диапазон диапазона: материалы InSb имеют широкий диапазон индукции инфракрасного излучения,который может охватывать среднюю инфракрасную полосу (обычно 2-5 микронов) и часть длинноволновой инфракрасной полосы (до примерно 10 микронов).
Технические параметры:
| Однокристаллические | ИнСб |
| Диаметр | 2 ∆ 3 ∆ ((+/- 0,3 мм) |
| Толщина | 500/600 ((+/-25um) |
| Допирующее средство | Никаких |
| Тип провода | N |
| Концентрация носителя ((см-3) | 3E15 |
| Плотность дислокации ((см-2) | <2*102 |
| Постоянная решетки | 0.648 нм |
| Молекулярная масса | 236.58 |
| Точка слияния | 527°C |
| плотность | 50,78 г/см3 |
| Разрыв в полосе | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Применение:
| Инфракрасные изображения | Кристаллические материалы InSb широко используются в инфракрасной визуализации. |
| Высокоскоростное электронное устройство | из-за их высокой мобильности носителя и низкого электронного качества, могут использоваться для производства высокоскоростных электронных устройств. |
| Спектрометры и оптики | InSb кристаллические материалы широко используются в производстве инфракрасных радиационные детекторы. |
| Спектральный анализ | Кристаллические материалы InSb могут использоваться для инфракрасного спектрального анализа из-за их прозрачности и высокой чувствительности в инфракрасной полосе. |
| Квантовое устройство скважины | Используя структуру квантовых скважин чипа InSb, можно изготовить серию устройств квантовых скважин |
| Выявление излучения | InSb кристаллические материалы широко используются в производстве инфракрасных радиационные детекторы. |
| Термоэлектрический материал | Чипы InSb способны преобразовывать тепловую энергию в электричество для таких применений, как теплоэлектрическая генерация и измерение температуры. |
Другие сопутствующие продукты:
Вафли SIC:
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Что такое сертификацияTe-InSb?
A: СертификацияTe-InSbэто ROHS.
Вопрос: Какой брендTe-InSb?
A: Название маркиTe-InSbэто ZMSH.
В: Где находится место происхожденияTe-InSb?
A: Место происхожденияTe-InSbЭто Китай.
Вопрос: каков MOQTe-InSb одновременно?
A: МОКTe-InSb25 штук за раз.
Свяжитесь мы в любое время
