Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF

Оставьте нам сообщение

Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF

Template Single Crystal Gan EPI Wafer For RF Applications
Template Single Crystal Gan EPI Wafer For RF Applications

Большие изображения :  Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: КИТАЙ
Фирменное наименование: zmsh
Номер модели: GaN-001

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1pcs
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный случай вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 2-4векс
Условия оплаты: Л/К, Т/Т
Поставка способности: 10PCS/Month
Подробное описание продукта
Материал: Кристалл GaN одиночный Промышленность: Вафля полупроводника, СИД
Применение: полупроводниковое устройство, вафля LD, вафля СИД, детектор исследователя, лазер, Тип: HVPE и шаблон
Подгонянный: Ок Размер: общее 2inchx0.35mmt
Высокий свет:

single crystal gan epi wafer

,

template gan epi wafer

,

template gan substrates

вафля GaN нитрида галлия метода 2inch HVPE, свободные субстраты для applicaion СИД, обломоки GaN положения GaN размера 10x10mm, вафля HVPE GaN

 

Об особенности GaN введите

Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей делал индустрию полупроводника переосмыслить выбор материала используемые как полупроводники. Например,

как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникает, польза кремния делает ее трудный вытерпеть закон Moore. Но также в производительности электроники, так вафля полупроводника GaN растется вне для потребности.

Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид GaN галлия уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. GaN основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключатель на более высокую частоту, таким образом уменьшающ размер и вес.

 

Технология GaN использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, AC и инверторы UPS, и гибридные и электрические автомобили. Furthermore,

GaN идеально одето для применений RF как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и кабельное телевидение

инфраструктура в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях.Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF 0

Применения

  1. - Различное СИД: белое СИД, фиолетовое СИД, ультрафиолетов СИД, голубое СИД
  2. - Экологическое обнаружение
  3. Субстраты для эпитаксиального роста MOCVD etc
  4. - Лазерные диоды: фиолетовый LD, зеленый LD для ультра небольших репроекторов.
  5. - Электронные устройства силы
  6. - Высокочастотные электронные устройства
  7. Дисплей проекции лазера, прибор силы, etc.
  8. Хранение даты
  9. С низким энергопотреблением освещение
  10. Электронные устройства высокой эффективности
  11. Новая технология водопода solor энергии
  12. Диапазон terahertz источника света

Спецификации для ранга СИД субстратов GaN

 

 

 

2" субстраты GaN  
Деталь GaN-FS-N  
Размеры ± 1mm Ф 50.8mm
Плотность дефекта Marco    
Уровень c > 2 см-2
Толщина 330 µm ± 25
Ориентация ± 0.5° C-оси (0001)
Квартира ориентации ± 0.5° (1-100), ± 16,0 1.0mm
Вторичная квартира ориентации ± 3° (11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (полное изменение толщины) µm ≤15
СМЫЧОК µm ≤20
Тип кондукции N типа  
Резистивность (300K) < 0="">  
Плотность дислокации Чем см-2 5x106
Годная к употреблению поверхностная область > 90%
Полировать Лицевая поверхность: Ра < 0="">
Задняя поверхность: Точная земля
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.

 

Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF 1

Quanlity дефекта макроса <30pcs для общего вафель ранга СИД (15-30pcs)

 

Наши обслуживания

1. Изготовление и надувательство фабрики сразу.

2. Быстро, точные цитаты.

3. Ответьте к вам не позднее 24 рабочие часы.

4. ODM: Подгонянный дизайн доступен.

 

5. Скорость и драгоценная доставка.

 

вопросы и ответы

Q: Там любые запас или стандартный продукт?

: Да, общий размер как нормальный размер like2inch 0.3mm всегда в запасах.

 

Q: Как о политике образцов?

: к сожалению, но предложите что вы может купить некоторый размер 10x10mm назад для теста во первых.

 

Q: Если я сделайте заказ заказ теперь, то сколько времени он был бы прежде чем я получил доставку?

: нормальный размер в запасе в 1weeks можно выразить после оплаты.

 и наше условие оплаты депозит 50% и левые перед доставкой.

Вафля одиночного Кристл Gan EPI шаблона для применений RF 2

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты