Главная страница ПродукцияСубстрат SiC

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл
customized Thickness 1.5mm 4" 4H-N sic Crystal  as-cut blank Wafers
подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Большие изображения :  подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4H-N, 4inch
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10пкс
Цена: by required
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Время доставки: 10-20дайс
Поставка способности: 100pcs/months

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл

описание
Материал: кристалл кремниевого карбида Размер: 4инч
Заявление: ранг кристалла семени Резистивность: 0.015~0.028Ω.cm
Тип: 4х-н Толщина: 1.6мм
Поверхность: как-отрезок Ранг: Продукция
Высокий свет:

Вафли Кристл Sic кремниевого карбида

,

Вафля кремниевого карбида 4H-N

,

4" вафля кремниевого карбида

тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства,

подгонянные вафли sic кремниевого карбида толщины 4inch 4H-N кристаллические для ранга кристалла семени 4inch;

 

Карборунд вафли субстрата SiC кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА

 
Название продукта: Субстрат кремниевого карбида (SiC) кристаллический
Характер продукции: 2-6inch
Технические параметры:
Клеточная структура Шестиугольный
Решетка постоянн = 3,08 Å c = 15,08 Å
Приоритеты ABCACB (6H)
Метод роста MOCVD
Направление Ось роста или частично (° 0001) 3,5
Полировать Полировать поверхности Si
Bandgap eV 2,93 (косвенное)
Тип проводимости N или seimi, особая чистота
Резистивность 0,076 ом-см
Permittivity e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Термальная проводимость @ 300K 5 с см. K
Твердость 9,2 Mohs
Спецификации: 6H N типа 4H N типа полу-изолируя dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 '' x1mmt, ход 10x10mm, 10x5mm одиночный или двойной ход, Ра <10a>
Стандартная упаковка: чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

 

Применение кремниевого карбида в индустрии прибора силы
 
Сравненный с приборами кремния (Si), приборы силы кремниевого карбида (SiC) могут эффектно достигнуть высокой эффективности, миниатюризации и легковеса систем силы электронных. Потери энергии приборов силы кремниевого карбида только 50% из этого из приборов Si, тепловыделение только 50% из этого из приборов кремния, и он имеет более сильнотоковую плотность. На таком же уровне силы, том модулей силы кремниевого карбида значительно более небольшой чем это из модулей силы кремния. Принимать умному модулю силы IPM в качестве примера, используя приборы силы кремниевого карбида, том модуля можно уменьшить до 1/3 к 2/3 из модулей силы кремния.
 
3 типа диодов силы кремниевого карбида: Диоды Schottky (SBD), диоды PIN и диоды Schottky управлением барьера соединения (JBS). Сбор к барьеру Schottky, SBD имеет более низкую высоту барьера соединения, поэтому SBD имеет преимущество низкого пропускного напряжения. Появление SBD кремниевого карбида увеличило ряд применения SBD от 250V к 1200V. В то же время, свои высокотемпературные характеристики хороши, от комнатной температуры к 175°C ограничивались раковиной, повышениями обратной утечки настоящими едва ли. В области применения выпрямителей тока над 3kV, PiN кремниевого карбида и диоды кремниевого карбида JBS привлекали внимание должное к их более высокому пробивному напряжению, более быстро переключая скорости, более небольшому тому и более светлому весу чем выпрямители тока кремния.
 
Приборы MOSFET силы кремниевого карбида имеют идеальное сопротивление вентильного провода, высокоскоростное переключая представление, низкое на-сопротивление и высокую стабильность. Предпочитаемый прибор в поле приборов силы под 300V. Сообщено что MOSFET кремниевого карбида с преграждая напряжением тока 10kV успешно был развит. Исследователи считают, что MOSFET кремниевого карбида займет преимущественную ситуацию в поле 3kV к 5kV.
 
Изолированные кремниевым карбидом транзисторы ворот двухполярные (SiC BJT, SiC IGBT) и тиристоры кремниевого карбида (тиристор) SiC, приборы кремниевого карбида P типа IGBT с преграждая напряжением тока 12kV имеют хорошую возможность пропускного тока. На-сопротивление приборов кремниевого карбида IGBT может идет в сравнение с униполярные приборы силы кремниевого карбида. Сравненный с транзисторами Si двухполярными, транзисторы SiC двухполярные имеют 20-50 раз понизить переключая потери и более низкое падение напряжения тока кондукции. Кремниевый карбид BJT главным образом разделен в эпитаксиальный излучатель и имплантированный ионом излучатель BJT, и типичное настоящее увеличение между 10-50.
 
   
Кремниевый карбид SiC Si кремния блока представления    Нитрид GaN галлия
EV зазора диапазона            1,12            3,26                             3,41
Электрическое поле MV/cm 0,23 нервного расстройства 2,2 3,3
Подвижность электрона cm^2/Vs 1400 950 1500
Перемещайтесь скорость 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Термальная проводимость W/cmK 1,5 3,8 1,3
 

2. субстраты определяют размер стандарта

 

спецификация субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра (SiC)

Ранг Нул рангов MPD Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг
Диаметр 100,0 mm±0.5 mm
Толщина 350 μm±25μm (толщина 200-2000um также в порядке)
Ориентация вафли С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N
Плотность Micropipe см-2 ≤1 см-2 ≤5 см-2 ≤15 см-2 ≤50
Резистивность 4H-N 0.015~0.028 Ω•см
6H-N 0.02~0.1 Ω•см
4/6H-SI ≥1E5 Ω·см
Основная квартира и длина {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm
Вторичная плоская длина 18.0mm±2.0 mm
Вторичная плоская ориентация Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0°
Исключение края 3 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Шершавость Польское Ra≤1 nm, CMP Ra≤0.5 nm
Отказы светом высокой интенсивности Никакие 1 позволенный, ≤2 mm Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤3%
Зоны Polytype светом высокой интенсивности Никакие Кумулятивная область ≤2% Кумулятивная область ≤5%
Царапины светом высокой интенсивности 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной
обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое 5 позволенных, ≤1 mm каждое
Загрязнение светом высокой интенсивности Никакие

Вафля Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер   также смогите быть обеспечено.

 

дисплей детали 3.Products

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 0

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 1

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 2

 

Доставка & пакет

подгонянная толщина 1.5mm 4" вафли пробела как-отрезка 4H-N sic Кристл 3

вопросы и ответы

Q1. Ваша компания фабрика или торговая компания?

 

Мы фабрика и мы также можем сделать экспорт.

 

Q2.Is вы работа компании единственная с делом sic?

да; однако мы не растем кристалл sic собственной личностью.

 

 

Q3. Смогли вы поставить образец?

Да, мы можем поставить образец сапфира согласно требованию к клиента.

 

Q4. Вы имеете запас вафель sic?

мы обычно держим некоторые вафли sic нормального размера от вафель 2-6inch в запасе.

 

Q5.Where ваша компания обнаружена местонахождение?

 

Наша компания расположенная в Шанхае, Китае.

 

 

Q6. Сколько времени примет для того чтобы получить продукты?

Вообще оно будет принимать 3~4 недели для обработки. Он зависеть от количества и размера продуктов.

 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Телефон: +8615801942596

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты