Сводка: В этом видео мы исследуем подложку из карбида кремния 4H, демонстрируя ее высокочистую монокристаллическую структуру и сверхнизкую плотность дефектов. Смотрите, как мы освещаем ее применение в силовой электронике, радиочастотных устройствах и ультрафиолетовой оптоэлектронике, а также ее прецизионную CMP-полировку и тепловые характеристики.
Сопутствующие характеристики продукции:
Высокочистый монокристаллический материал 4H-SiC со сверхнизкой плотностью дефектов.
Прецизионная CMP полировка для поверхностей, готовых к эпитаксии, с Ra ≤ 0.5 нм.
Отличная теплопроводность (490 Вт/м*К) и устойчивость к высоким температурам (до 600 °C).
Стабильные электрические свойства с удельным сопротивлением 0,01-0,1 Ом*см.
Высокая механическая прочность с твердостью по Виккерсу 28-32 ГПа.
Идеально подходит для силовой электроники, радиочастотных устройств и УФ-оптоэлектроники.
Доступно в настраиваемых размерах, толщинах и уровнях легирования.
Подходит для исследований и разработок, прототипирования и мелкосерийного производства.
Вопросы:
В чем основное преимущество 4H-SiC по сравнению с 6H-SiC?
4H-SiC обладает более высокой подвижностью электронов, меньшим сопротивлением в открытом состоянии и превосходными характеристиками в мощных и высокочастотных устройствах, что делает его предпочтительным материалом для MOSFET и диодов.
Предоставляете ли вы проводящие или полуизолирующие подложки из SiC?
Да, мы предлагаем N-тип проводящего 4H-SiC для силовой электроники и полуизолирующий 4H-SiC для радиочастотных, микроволновых и УФ-детекторных применений, с настраиваемыми уровнями легирования.
Можно ли использовать подложку непосредственно для эпитаксии?
Да, наши готовые к эпитаксии подложки 4H-SiC имеют CMP-полированные Si-лицевые поверхности с низкой плотностью дефектов, подходящие для эпитаксиального роста GaN, AlN и SiC слоев методами MOCVD, CVD и HVPE.