4h-semi sic

Чат контактные данные

4h-semi sic

Другие видео

August 22, 2024

Связь Категорий: Субстрат SiC

Чат контактные данные

4h-semi sic

Бирки:

#вафля сик #субстрат сик #субстрат кремниевого карбида

Сводка: С диаметром 10 мм и толщиной 5 мм, эта пластинка SiC идеально подходит для высокочастотных решений.высокопроизводительные электронные устройстваНастраиваемый и долговечный, идеально подходит для промышленных и научных применений.

Сопутствующие характеристики продукции:

Высокая твердость, до 9,2 по шкале Мооса, уступает только алмазу.
Отличная теплопроводность, подходящая для высокотемпературных условий.
Широкие пробелы для высокочастотных, мощных электронных устройств.
Настраиваемая с помощью дизайнерских рисунков для удовлетворения конкретных требований.
Изготавливается из монокристалла SiC с шестиугольной кристаллической структурой (4H SiC).
Низкая концентрация носителя и высокие изоляционные свойства для применения на высокой мощности.
Подходит для силовых MOSFET, силовых диодов, усилителей мощности радиочастот и фотоэлектрических датчиков.
Доступно в первоклассном и фиктивном классе с точными спецификациями.

Вопросы:

Каков процесс изготовления режущих лезвий 4H-Semi SiC?

Производство режущих лезвий из полуизолирующего карбида кремния (SiC) 4H требует ряда сложных этапов процесса, включая рост кристаллов, резку, измельчение и полировку.
Каковы перспективы 4H-SEMI SiC в будущем?

Будущие перспективы 4H-SEMI SiC выглядят многообещающе благодаря его уникальным свойствам и растущему спросу на высокопроизводительные полупроводниковые материалы в различных отраслях.
Для каких применений подходят пластинки 4H-SEMI SiC?

Пластины 4H-SEMI SiC подходят для силовой электроники, радиочастотных и микроволновых устройств, оптоэлектронных устройств, а также для применений при высоких температурах и высоком давлении благодаря их высокой устойчивости к напряжению и теплопроводности.

Похожие видео