Главная страница ПродукцияСубстрат SiC

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка
вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

Большие изображения :  вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmsh
Номер модели: 6inch-001
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1pcs
Цена: by case by FOB
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Время доставки: в пределах 40days
Поставка способности: 50pcs/months

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

описание
Применения: приведенный прибор, 5G, детектор, производительность электроники Промышленность: вафля semicondctor
Материал: полупроводник sic Цвет: зеленый или белый или голубой
Твердость: 9,0 Тип: 4H, не-данное допинг 6H, данный допинг,

субстраты 6inch sic, вафли 6inch sic, слитки sic кристаллические,

блок sic кристаллический, субстраты полупроводника sic, вафля кремниевого карбида

вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка

 

диаметр 6 дюймов, спецификация субстрата кремниевого карбида (SiC)  
Ранг Нул рангов MPD Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг
Диаметр 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm или 500±25un
Ориентация вафли С оси: 4.0° к< 1120=""> ±0.5° для 4H-N на оси: <0001> ±0.5° для 6H-SI/4H-SI
Основная квартира {10-10} ±5.0°
Основная плоская длина 47,5 mm±2.5 mm
Исключение края 3 mm
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Плотность Micropipe см-2 ≤1 см-2 ≤5 см-2 ≤15 см-2 ≤100
Резистивность 4H-N 0.015~0.028 Ω·см
4/6H-SI ≥1E5 Ω·см
Шершавость Польское Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.5 nm
Отказы светом высокой интенсивности Никакие 1 позволенный, ≤2 mm Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤2% Кумулятивная область ≤5%
Зоны Polytype светом высокой интенсивности Никакие Кумулятивное area≤2% Кумулятивное area≤5%
Царапины светом высокой интенсивности 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной
Обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое 5 позволенных, ≤1 mm каждое
Загрязнение светом высокой интенсивности Никакие
вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка 0вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка 1
 
О нашей компании
CO. ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ ТОРГОВОЕ, LTD. размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана в городе Wuxi в 2014.
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и custiomized оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР.
Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими reputatiaons.
вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка 2вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка 3вафля субстрата 6inch 4H-N 500mm 350um sic для прибора порошка 4
 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Телефон: +8615801942596

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты