Главная ПродуктыВафля кремниевого карбида

бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю

Оставьте нам сообщение

бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю

Китай бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю поставщик
бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю поставщик бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю поставщик бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю поставщик

Большие изображения :  бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmsh
Номер модели: ХПСИ

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by case
Упаковывая детали: подгонянным случаем
Время доставки: 15дайс внутри
Поставка способности: ТИПСЫ
Contact Now
Подробное описание продукта
промышленность: субстрат полупроводника Материалы: кристалл сик
Применение: 5Г, материал прибора, МОКВД, производительность электроники Тип: 4Х-Н, семи, данное допинг никакое
цвет: зеленый, голубой, белый Hardeness: 9,0 вверх

Харднесс9.4 бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю для применения высокой пропускаемости оптически 

 

Особенность вафли СиК

 

Свойство 4Х-СиК, одиночное Кристл 6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки а=3.076 Å к=10.053 Å а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Твердость Мохс ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 г/км3 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65

Диэлектрическая константа к~9.66 к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K

 
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазор еВ 3,23 еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106В/км 3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105м/с 2.0×105м/с

 

 

Физические & электронные свойства СиК сравненные к ГаАа и Си

  Широкая энергия Бандгап (еВ)

4Х-СиК: 3,26 6Х-СиК: 3,03 ГаАс: Си 1,43: 1,12

Электронные устройства сформированные в СиК могут работать на весьма высоких температурах без страдать от внутреннеприсущих влияний кондукции из-за широкого бандгап энергии. Также, это свойство позволяет СиК испустить и обнаружить короткий свет длины волны который делает изготовление из голубых светоизлучающих диодов и почти солнечных слепых УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ фотодетекторов возможных.

Высокое электрическое поле нервного расстройства [В/км (для деятельности 1000 в)]

4Х-СиК: 2,2 кс 106* 6Х-СиК: 2,4 кс 106* ГаАс: 3 кс 105 Си: 2,5 кс 105

СиК может выдержать градиент напряжения тока (или электрическое поле) над 8 времен большой чем чем Си или ГаАс без проходить лавинного пробой. Это высокое электрическое поле нервного расстройства включает изготовление очень высоковольтных, высокомощных приборов как диоды, транситорс силы, тиристоров силы и усмирителей пульсации, так же, как приборов микроволны наивысшей мощности. Дополнительно, оно позволяет приборам быть помещенным очень близко друг к другу, обеспечивающ высокую плотность упаковки прибора для интегральных схема.

Высокая термальная проводимость (В/км · К @ РТ)
4Х-СиК: 3.0-3.8 6Х-СиК: 3.0-3.8 ГаАс: 0,5 Си: 1,5

СиК превосходный термальный проводник. Жара пропустит более охотно через СиК чем другие материалы полупроводника. На самом деле, на комнатной температуре, СиК имеет более высокую термальную проводимость чем любой металл. Это свойство позволяет приборы СиК работать на весьма уровнях наивысшей мощности и все еще рассеивать большое количество сверхнормальной произведенной жары.

Насыщенная максимумом скорость дрейфа электронов [км/сек (@ В/км ≥ 2 кс 105 е)]

4Х-СиК: 2,0 кс 107 6Х-СиК: 2,0 кс 107 ГаАс: 1,0 кс 107 Си: 1,0 кс 107
Приборы СиК могут работать на частотах коротковолнового диапазона (РФ и микроволна) из-за насыщенной максимумом скорости дрейфа электронов СиК.

 

Применения

Приборы низложения нитрида *ИИИ-В *Оптоелектроник

Приборы *Хигх-Повер * высокотемпературные приборы

 

 
2.Сизе материального слитка
 

2"

3"

4"

6"

 

Полытыпе

4Х/6Х

4Х 

 

Диаметр

50.80мм±0.38мм

76.2мм±0.38мм

100.0мм±0.5мм

150.0мм±0.2мм

 

       
 
3.продукц в деталях
 
бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю 

бесцветный прозрачный кремниевый карбид СиК особой чистоты 4Х-СЭМИ отполировал вафлю

 

вопросы и ответы:

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы принимаем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС ФОБ.

 

К: Как оплатить?

А: Т/Т, заранее 

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 30г.

(2) для подгонянных общих продуктов, МОК 50г

 

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 -4 недель после того как вы приказываете контакт.

 

 
Тханкс~~~
 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты