Главная ПродуктыВафля кремниевого карбида

Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм

Оставьте нам сообщение

Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм

Китай Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм поставщик
Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм поставщик Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм поставщик Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм поставщик

Большие изображения :  Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmsh
Номер модели: 6инч сик

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by case
Упаковывая детали: подгонянным случаем
Время доставки: 15дайс внутри
Поставка способности: ТИПСЫ
Contact Now
Подробное описание продукта
промышленность: субстрат полупроводника Материалы: кристалл сик
Применение: 5Г, материал прибора, МОКВД, производительность электроники Тип: 4Х-Н, семи, данное допинг никакое
цвет: зеленый, голубой, белый Hardeness: 9,0 вверх

блок кремниевого карбида сломанный сик, слиток сик ранга самоцвета,
утиль сик толщины 5-15мм 

 

Особенность вафли СиК

 

Свойство 4Х-СиК, одиночное Кристл 6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки а=3.076 Å к=10.053 Å а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Твердость Мохс ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 г/км3 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65

Диэлектрическая константа к~9.66 к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K

 
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазор еВ 3,23 еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106В/км 3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105м/с 2.0×105м/с

Физические & электронные свойства СиК сравненные к ГаАа и Си

  Широкая энергия Бандгап (еВ)

4Х-СиК: 3,26 6Х-СиК: 3,03 ГаАс: Си 1,43: 1,12

Электронные устройства сформированные в СиК могут работать на весьма высоких температурах без страдать от внутреннеприсущих влияний кондукции из-за широкого бандгап энергии. Также, это свойство позволяет СиК испустить и обнаружить короткий свет длины волны который делает изготовление из голубых светоизлучающих диодов и почти солнечных слепых УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ фотодетекторов возможных.

Высокое электрическое поле нервного расстройства [В/км (для деятельности 1000 в)]

4Х-СиК: 2,2 кс 106* 6Х-СиК: 2,4 кс 106* ГаАс: 3 кс 105 Си: 2,5 кс 105

СиК может выдержать градиент напряжения тока (или электрическое поле) над 8 времен большой чем чем Си или ГаАс без проходить лавинного пробой. Это высокое электрическое поле нервного расстройства включает изготовление очень высоковольтных, высокомощных приборов как диоды, транситорс силы, тиристоров силы и усмирителей пульсации, так же, как приборов микроволны наивысшей мощности. Дополнительно, оно позволяет приборам быть помещенным очень близко друг к другу, обеспечивающ высокую плотность упаковки прибора для интегральных схема.

Высокая термальная проводимость (В/км · К @ РТ)
4Х-СиК: 3.0-3.8 6Х-СиК: 3.0-3.8 ГаАс: 0,5 Си: 1,5

СиК превосходный термальный проводник. Жара пропустит более охотно через СиК чем другие материалы полупроводника. На самом деле, на комнатной температуре, СиК имеет более высокую термальную проводимость чем любой металл. Это свойство позволяет приборы СиК работать на весьма уровнях наивысшей мощности и все еще рассеивать большое количество сверхнормальной произведенной жары.

Насыщенная максимумом скорость дрейфа электронов [км/сек (@ В/км ≥ 2 кс 105 е)]

4Х-СиК: 2,0 кс 107 6Х-СиК: 2,0 кс 107 ГаАс: 1,0 кс 107 Си: 1,0 кс 107
Приборы СиК могут работать на частотах коротковолнового диапазона (РФ и микроволна) из-за насыщенной максимумом скорости дрейфа электронов СиК.

 

Применения

Приборы низложения нитрида *ИИИ-В *Оптоелектроник

Приборы *Хигх-Повер * высокотемпературные приборы

* приборы силы *Хигх-Фрекенси Моиссаните

Как о пользе в Моиссаните

Синтетическое моиссаните также как кремниевый карбид после своей химии и коммерческим названи, карборундом. В метеоритовом материале, моиссаните связано с крошечными диамантами. Моиссаните также коммерческое названи будучи использованным для новых драгоценных камней СиК синтетики.

Как симулант диаманта, искусственное моиссаните очень трудно для того чтобы продифференцировать от диаманта и может околпачить много гемологисц. Оно имеет много сходств. Очень трудно на 9,25 (диамант 10) и он сильно рефрактивен с индексом рефракции 2,6 - 2,7 (инфракрасн диаманта немножко ниже на 2,42). Большинств важные, моиссаните и диамант термально проводные не похож на другие симуланц диаманта и к сожалению это свойство которое главным образом использовано как тест для подлинности реальных диамантов. Разницы однако ясны и другие тесты можно использовать для того чтобы продифференцировать 2. Прежде всего, моиссаните шестиугольно, не равновелико и поэтому это двойн рефрактивный непохожий диамант. Рассмотрение через--стороны драгоценной камня моиссаните должно показать двойные края фасетки тогда как края диаманта одиночны по внешнему виду. Моиссаните также немножко более менее плотно чем диамант и редко совершенно ясно цвета, имеющ бледные тени зеленого цвета. Естественные рванины отсутствующие в моиссаните, замененном вместо крошечными, противоестественными, белыми, похожими на лент структурами которые результат растущего процесса. Синтетический СиК известный как карборунд видел много польз в высокотехнологичной керамике, электрические детали, абразивы, шарикоподшипники, полупроводники, весьма трудные пилы и панцырь.

Естественное моиссаните очень редко и ограничиваемые метеориты утюг-никеля и немного других редких ултрамафик иньеоусоккурренсес. Первоначально были скептики к первоначальным заключениям метеорита и были приписаны к лезвиям кремниевого карбида которые могут быть использованы увидели тип образцы. Но это было оспорено потому что Д-р Хенри Моиссан не использовал лезвия кремниевого карбида для подготовки образцов.

Моиссаните может быть би-продуктом процесса доменной печи используемого для того чтобы сделать утюг. В доменной печи, сырцовые ингредиенты как железная руда, углерод (обычно в форме кокса, но другие формы как метан могут быть использованы), известняк и другие химикаты и воздух (используемые для того чтобы прореагировать с примесями) непрерывно введены. Реакция приводит в продукции утюга свиньи который извлекается как жидкость пока примеси формируют шлак который извлекают поплавкам к верхней части и. Стороны огромной печи относительно круты, пока интерьер очень горяч, и это создает условия для минералов для того чтобы выкристаллизовывать. Раз в несколько месяцев, печь опорожняется так, что эти минералы можно очистить от стен печи. Один такой минерал моиссаните, которое охотно выкристаллизовывает от кремния и углерода растворенных в жидком утюге. Приводя кристаллы моиссаните почти черные и непрозрачные должные к их железному содержанию, но они могут быть довольно красочны и красивы, хотя большая часть смолота вверх и использована как абразивы.

Несколько участков СиК. Первоначальный открытый минерал официально как моиссаните-6Х. (6Х) ссылает на шестиугольную симметрию этого участка моиссаните. 2 других участка узнанного как минералы: моиссаните-5Х и равновеликий участок бета-моиссаните.

 
2.Сизе материального слитка
 

2"

3"

4"

6"

 

Полытыпе

4Х/6Х

4Х/6Х

4Х/6Х

 

Диаметр

50.80мм±0.38мм

76.2мм±0.38мм

100.0мм±0.5мм

150.0мм±0.2мм

 

       
 
3.продукц в деталях
 
Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм 

Вафля Силисиумкарбид ранга самоцвета материалы Сик Кристл толщины 5 до 15мм

вопросы и ответы:

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы принимаем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС ФОБ.

 

К: Как оплатить?

А: Т/Т, заранее 

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 30г.

(2) для подгонянных общих продуктов, МОК 50г

 

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 -4 недель после того как вы приказываете контакт.

 

 
Тханкс~~~
 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты