Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия

Субстраты ЗнО, вафля окиси цинка 10С10мм небольшая квадратная, субстраты в различных ориентациях, кристалл 5кс5мм ЗнО ЗнО одиночный

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Окись цинка (ЗнО) можно вырасти как полупроводник одиночного кристалла с очень интересными свойствами.

Бандгап в ряде 3,4 еВ который делает его привлекательной для много из голубых и фиолетовых применений

в оптоэлектронике так же, как УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ приборах. Оно доступен в больших частях, в вафлях до 2 дюймов,

что дает ему главное преимущество над нитридом галлия и другими нитридами группы ИИИ.
ЗнО также имеет потенциал стать материалом субстрата выбора для ГаН. Как ГаН оно имеет структуру вуртцита, с константами решетки близко, который соответствуют к ГаН (а=3.249, к=5.205). ЗнО точно

решетка соответствовала к ИнГаН 22% в содержании. Возможно важнее всего мягкий уступчивый материал

это поверено к вероятно и может занять стресс решетки в предпочтении к растущему слою ГаН.

Оно страдает от недостатка который оно разъединяет в амиаке на температурах над 600°К. со своим широким бандгап, окись цинка смогл доказать очень полезный в оптически применениях так же, как много высокоскоростная электроника.

ЗнО может также быть использовано как субстрат для эпитаксиального роста.

Применение:

Описание субстратеПродукт окиси цинка (ЗнО) кристаллическое: Субстрат окиси цинка (ЗнО) кристаллический широко использован внутри

Субстрат ГаН (голубого СИД) эпитаксиальный, приборы широкого диапазона соединяясь и другие поля. Технические параметры

Общие свойства