Главная страница ПродукцияВафля GaAs

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия

Оставьте нам сообщение

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия

Zno Substrate , Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate
Zno Substrate , Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate Zno Substrate , Gallium Arsenide Wafer Zinc Oxide Crystal Substrate

Большие изображения :  Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmsh
Сертификация: no
Номер модели: ZnO

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 10pcs
Цена: by case
Упаковывая детали: Фильм ЛЮБИМЦА в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 1-4weeks
Поставка способности: 500pcs/month
Подробное описание продукта
Материал: Субстраты одиночного кристалла ЗнО промышленность: вафля семикондутор
Применение: субстрат полупроводника, обломок приведенный, оптически стеклянное окно, субстраты прибора Метод: VFG
Размер: 10x10mm Толщина: 0,5 мм
Высокий свет:

gaas wafer

,

laalo3 substrate

Субстраты ЗнО, вафля окиси цинка 10С10мм небольшая квадратная, субстраты в различных ориентациях, кристалл 5кс5мм ЗнО ЗнО одиночный

--------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Окись цинка (ЗнО) можно вырасти как полупроводник одиночного кристалла с очень интересными свойствами.

Бандгап в ряде 3,4 еВ который делает его привлекательной для много из голубых и фиолетовых применений

в оптоэлектронике так же, как УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ приборах. Оно доступен в больших частях, в вафлях до 2 дюймов,

что дает ему главное преимущество над нитридом галлия и другими нитридами группы ИИИ.
     ЗнО также имеет потенциал стать материалом субстрата выбора для ГаН. Как ГаН оно имеет структуру вуртцита, с константами решетки близко, который соответствуют к ГаН (а=3.249, к=5.205). ЗнО точно

решетка соответствовала к ИнГаН 22% в содержании. Возможно важнее всего мягкий уступчивый материал

это поверено к вероятно и может занять стресс решетки в предпочтении к растущему слою ГаН.

Оно страдает от недостатка который оно разъединяет в амиаке на температурах над 600°К. со своим широким бандгап, окись цинка смогл доказать очень полезный в оптически применениях так же, как много высокоскоростная электроника.

ЗнО может также быть использовано как субстрат для эпитаксиального роста.

 

Применение:

Описание субстратеПродукт окиси цинка (ЗнО) кристаллическое: Субстрат окиси цинка (ЗнО) кристаллический широко использован внутри

Субстрат ГаН (голубого СИД) эпитаксиальный, приборы широкого диапазона соединяясь и другие поля. Технические параметры

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия 0

Общие свойства

Очищенность ВТ % > 99,99
Примесь: ВТ % Мг: <>
  Фе: < 0="">
Кристаллическая структура Шестиугольный: å а= 3,252, к = å 5,207
Метод роста Гидротермический
Твердость масштаб 4 мох
Плотность 5,7 г/км3
Пункт Мельт оК 1975
Специфическая жара 0,125 кал/гм
Термоэлектрическая константа 1200 мВ/в порядке @ 300 оК
Термальная проводимость 0,006 кал/км/ок
Тепловое расширение 2,90 кс 10-6/оК
Дальность передачи 0.4 - 0,6 м > 50% на 2 мм
Плотность дислокации <0001> самолет <100>2
 

Спецификации для вафли

Ориентация <0001> <11-20>, <10-10>± 0,5о или изготовленная на заказ ориентация
Отполированная поверхность ЭПИ отполированное на одной стороне или 2 сторонах, Ра < 5="">
Нормальный размер 5 кс 5 мм, 10кс10 мм, 20кс20 мм и 25кс25 мм
Толщина 0,35 мм, 0,5 мм и 1,0 мм

 

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия 1Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия 2

вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг

К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как объектив шарика, объектив Пауэлла и объектив центрира:
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.
(2) для -стандартных продуктов, доставка 2 или 6 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

К: Как оплатить?
100%Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасная оплата и торговля

Обеспечение на Алибаба и етк…

К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-20пкс.
Оно зависит от количества и методов

К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.
 

Упаковка – Логисткс
Ворльдхавк относится каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия.

Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс!

Субстрат Зно, субстрат Кристл окиси цинка вафли арсенида галлия 3

 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты