Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
GaSb

GaSb

Место происхождения Китай
Фирменное наименование zmkj
Номер модели Вафля зазора
Детали продукта
Материалы:
Кристалл зазора одиночный
индустрия:
субстраты полупроводника, прибор, оптически
Цвет:
Желтый цвет
Диаметр:
0.5~76.5mm
Поверхность:
отполированный/сложил
Толщина:
0,1-2 мм
Высокий свет: 

субстрат мго

,

Вафля зазора

Характер продукции

кристаллы кристаллический субстрат фосфида галлия 2-6 дюймов (зазора), вафля зазора

 

 Консервная банка ЗМКДЖ снабжает высококачественную вафлю зазора одиночного кристалла (фосфид галлия) электронная и электронно-оптическая индустрия в диаметре до 2 дюйма. Кристалл фосфида галлия (зазора) оранжево-желтый полу-просвечивающий материал сформированный 2 элементами, галлием и фосфидами, ростом помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC). Вафля зазора важный материал полупроводника которые имеют уникальные электрические свойства по мере того как другие материалы смеси ИИИ-В и широко использованы как красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды). Мы имеем вафлю зазора одиночного кристалла как-отрезка для вашего применения ЛПЭ, и также обеспечиваем вафлю зазора ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 

Электрический и дающ допинг спецификации

 

Название продукта: Субстрат фосфида галлия (зазора) кристаллический

Технические параметры:

 

 

 

 
Кристаллическая структура Кубический а = 5,4505 Å
Метод роста Метод Кзокральски
Плотность 4,13 г/см 3
Мп о 1480 к 1
Коэффициент теплового расширения 5,3 кс10 -6/о к
Допант С-данное допинг ундопед
Направление <111> или <100> <100> или <111>
Тип Н Н
Термальная проводимость 2 | 8 кс10 17/см 3 4 | 6 кс10 16/см 3
Резистивность В.км 0,03 до 0,3
ЭПД (см -2) <3x10>5 <3x10>5
Спецификации:

 

Кристаллографические направления: <111>, <100> ± 0,5 о

Стандартный отполированный размер: Ø2 «* 0.35мм; Ø2» * 0.43мм. Ø3 " кс0.3мм

Примечание: согласно требованиям клиента с особенными размерами и субстратами ориентации
СтандардПакинг чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

 

Допант доступный S / Зн/Кр/Ундопед
Тип проводимости N / П, Полу-проводить/Полу-изолируя
Концентрация 1E17 - 2Э18 км-3
Подвижность > 100 км2/в.с.

Техническая характеристика изделия

Рост ЛЭК
Диаметр Ø 2"
Толщина 400 ум
Ориентация <100> / <111> / <110> или другие
С ориентации С 2° к 10°
Поверхность Одна отполированная сторона или 2 отполированной стороны
Плоские варианты ЭДЖ или СЭМИ. СТД.
ТТВ <>
ЭПД <>
Ранг Эпи отполировало ранг/механическую ранг
Пакет Одиночный контейнер вафли

 

Изображения образца

GaSb 0

 

вопросы и ответы:

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 3пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 10-20пкс вверх.

 

мы также можем обеспечить другую вафлю полупроводника материалов как как ниже

GaSb 1

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас