Главная ПродуктыВафля нитрида галлия

2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик

Оставьте нам сообщение

2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик

Китай 2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик поставщик
2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик поставщик 2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик поставщик

Большие изображения :  2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4инч АлН

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 2pc
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный случай вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 2-4 Weeks
Условия оплаты: L / C, T / T
Contact Now
Подробное описание продукта
Материал: АлН на вафле Метод: ХВПЭ
Размер: 4inch Толщина: 430+15ум или 650ум
промышленность: Приведенный ЛД, прибор лазера, детектор, поверхность: двойная или одиночная отполированная сторона

вафля шаблона АлН нитрида галлия 2инч, 4инч на сапфире или субстратов сик, вафли нитрида галлия ХВПЭ, шаблонов АлН 

  1. ИИИ-нитрид (ГаН, АлН, гостиница)

Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.

Продукт  Фильм нитрида алюминия (АлН)
Характер продукции: АллН Эпитксял предложило модельный метод (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида сафхире. Фильм нитрида алюминия также рентабельный путь заменить субстрат одиночного кристалла нитрида алюминия. Ветви Кристл гостеприимсво задушевно ваше дознание!
Технические параметры:
Размер ± 2мм 50мм
Ориентация субстрата сапфира ± 1.0дег к-оси (0001)
Плотность дефекта макроса <5cm-2>
Доступная поверхностная область 90%
Поверхностное покрытие раньше Как выросли Эпи-готов
Контейнер Одиночный обломок

 

Спецификации:

10кс10кс0.5мм, 10кс10кс1мм, дя2 «кс1мм;

Смогите быть подгоняно согласно ориентации и размеру покупательского спроса особенным.

Упаковка стандарта: чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки
 

 2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик
 
ГаН можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение и воображение,
Дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.
2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик
 
 
Спецификации:

  4" шаблоны АлН размера 2-4инч ок также
Деталь АлН-Т
Размеры Ф 100±0.3мм
Субстрат Сапфир, СиК, ГаН
Толщина 1000нм+/- 10% (толщина АлН)
Ориентация ± 1° К-оси (0001)
Тип кондукции Полу-изолировать
Плотность дислокации СРД ФВХМ (0002) < 200="" arcsec="">
СРД ФВХМ (10-12) < 1000="" arcsec="">
Годная к употреблению поверхностная область > 80%
Полировать Стандарт: ССП
Вариант: ДСП
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах 25пкс или одиночных контейнеров вафли, под атмосферой азота. или одиночные кассеты.

Другое определяет размер аслике 5кс5мм, 10кс10мм, 2инч, 3инч также можно подгонять. 

 

О нашей команде

    ЗМКДЖ размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая,

и наша фабрика основана в городе Укси в 2014, но в материале полупроводника,

имейте хороший опыт для почти 10еарс.
   Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и кустиомизед оптически стекло парц.компоненц широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР.
     Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутатяонс.


2 / Вафля шаблона АлН нитрида галлия 4 дюймов на сапфире, субстратах Сик

 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты