Главная ПродуктыВафля кремниевого карбида

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Оставьте нам сообщение

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Китай Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные поставщик
Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные поставщик Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные поставщик

Большие изображения :  Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4инч--семи особая чистота

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by required
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Время доставки: 15days
Поставка способности: 100pcs/months
Contact Now
Подробное описание продукта
Материал: кристалл сик промышленность: вафля полупроводника
Применение: приведенный полупроводник, прибор, производительность электроники, 5Г цвет: Синий, зеленый, белый
Тип: 4Х, 6Х, ДАЛО ДОПИНГ, никакой давать допинг, особая чистота

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевого карбида 4инч 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета

 

Зоны применения

 

1 диод Шотткы электронных устройств частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности, ДЖФЭТ, БДЖТ, ПиН, диоды, ИГБТ, МОСФЭТ

 

2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД ГаН/СиК голубом (ГаН/СиК)

 

адвантагемент

• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона

 

 

Карборунд вафли субстрата СиК кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

 

Свойство 4Х-СиК, одиночное Кристл 6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки а=3.076 Å к=10.053 Å а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Твердость Мохс ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 г/км3 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65

Диэлектрическая константа к~9.66 к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K

 
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазор еВ 3,23 еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106В/км 3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105м/с 2.0×105м/с

 

2. размер субстратов стандарта

 

спецификации субстрата кремниевого карбида 3 дюймов диаметра 4Х
СВОЙСТВО СУБСТРАТА Ультра ранг Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг
Диаметр 76,2 мм ±0.38 мм
Поверхностная ориентация на-ось: ± 0.2° {0001}; внеосевой: 4°товард <11-20> ± 0.5°
Основная плоская ориентация <11-20> ̊ ± 5,0
Вторичная плоская ориентация 90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого
Основная плоская длина 22,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина 11,0 мм ± 1.5мм
Край вафли Чамфер
Плотность Микропипе км2 ≤1 микропипес/ км2 ≤5 микропипес/ км2 ≤10 микропипес/ км2 ≤50 микропипес/
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности Никакие позволили зона ≤10%
Резистивность 0,015 Ω·км~0.028 Ω·см (зона 75%) 0.015Ω·км~0.028 Ω·см
Толщина 350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм
ТТВ μм ≤10 μм ≤15
Смычок (абсолютная величина) μм ≤15 μм ≤25
Искривление μм ≤35

3.сампле 

 

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

 

вопросы и ответы:

К: Что путь условия доставки и цены и оплаты?

А: (1) мы аксепт100% Т/Т заранее ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 25пкс вверх.

 

К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.

 

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

 

 

 

 

 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты