Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Наименование марки:	zmkj
Номер модели:	4инч--семи особая чистота
MOQ:	1шт
цена:	by required
Время доставки:	15days

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

материал:

кристалл sic

индустрия:

вафля полупроводника

применение:

приведенный полупроводник, прибор, производительность электроники, 5G

цвет:

голубой, зеленый, белый

тип:

4H, ДАННОЕ ДОПИНГ не не данное допинг 6H, особая чистота

Упаковывая детали:

Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли

Поставка способности:

100pcs/months

Выделить:

вафля сик

субстрат сик

Характер продукции

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевого карбида 4инч 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета

Зоны применения

1 диод Шотткы электронных устройств частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности, ДЖФЭТ, БДЖТ, ПиН, диоды, ИГБТ, МОСФЭТ

2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД ГаН/СиК голубом (ГаН/СиК)

адвантагемент

• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона

Карборунд вафли субстрата СиК кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Свойство	4Х-СиК, одиночное Кристл	6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки	а=3.076 Å к=10.053 Å	а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность	АБКБ	АБКАКБ
Твердость Мохс	≈9.2	≈9.2
Плотность	3,21 г/км3	3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения	4-5×10-6/К	4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции	отсутствие = 2,61 не = 2,66	отсутствие = 2,60 не = 2,65
Диэлектрическая константа	к~9.66	к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)	а~4.2 В/км·K@298K к~3.7 В/км·K@298K
Термальная проводимость (Полу-изолировать)	а~4.9 В/км·K@298K к~3.9 В/км·K@298K	а~4.6 В/км·K@298K к~3.2 В/км·K@298K
Диапазон-зазор	еВ 3,23	еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое	3-5×106В/км	3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации	2.0×105м/с	2.0×105м/с

2. размер субстратов стандарта

спецификации субстрата кремниевого карбида 3 дюймов диаметра 4Х
СВОЙСТВО СУБСТРАТА	Ультра ранг	Ранг продукции	Ранг исследования	Фиктивная ранг

Диаметр	76,2 мм ±0.38 мм

Поверхностная ориентация	на-ось: ± 0.2° {0001}; внеосевой: 4°товард <11-20> ± 0.5°

Основная плоская ориентация	<11-20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация	90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина	22,0 мм ± 2,0 мм

Вторичная плоская длина	11,0 мм ± 1.5мм

Край вафли	Чамфер

Плотность Микропипе	км2 ≤1 микропипес/	км2 ≤5 микропипес/	км2 ≤10 микропипес/	км2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности	Никакие позволили			зона ≤10%

Резистивность	0,015 Ω·км~0.028 Ω·см			(зона 75%) 0.015Ω·км~0.028 Ω·см

Толщина	350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ	μм ≤10			μм ≤15

Смычок (абсолютная величина)	μм ≤15			μм ≤25

Искривление	μм ≤35

3.сампле

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные 0

вопросы и ответы:

К: Что путь условия доставки и цены и оплаты?

А: (1) мы аксепт100% Т/Т заранее ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 25пкс вверх.

К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

Бирки:

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории

Подробная информация о продукции

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

вафля сик

субстрат сик

вафля сик

субстрат сик

субстрат кремниевого карбида

HPSI SiC Wafer 2-12 дюймовый оптический класс для очков AI / AR

Оптический компонент зеркала SiC высокой чистоты с двойной стороной для микрозеркала MEMS