Главная ПродуктыВафля кремниевого карбида

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Оставьте нам сообщение

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Китай Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик поставщик
Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик поставщик Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик поставщик Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик поставщик

Большие изображения :  Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4инч--семи особая чистота

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by required
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Время доставки: 15days
Поставка способности: 100pcs/months
Contact Now
Подробное описание продукта
Материал: кристалл сик промышленность: вафля полупроводника
Применение: приведенный полупроводник, прибор, производительность электроники, 5Г цвет: Синий, зеленый, белый
Тип: 4Х, 6Х, ДАЛО ДОПИНГ, никакой давать допинг, особая чистота

субстраты очищенности 4инч СиК Субстратешигх кремниевого карбида особой чистоты 4Х Полу-изолируя, субстраты для субстратов полупроводника 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида 4инч кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета

 

Применения субстратов и вафель СиК кристаллических

Крйцальс кремниевого карбида (СиК) имеют уникальные физические и электронные свойства. Приборы основанные кремниевым карбидом были использованы для короткой длины волны электронно-оптической, высокотемпературных, радиационностойких апплькятионс. Высокомощные и высокочастотные электронные устройства сделанные с СиК главны к Си и основанным ГаАс приборам. Ниже некоторые популярные применения субстратов СиК.

 

Высокотемпературные приборы

Потому что СиК имеет высокую термальную проводимость, СиК рассеивает жару более быстро чем другие материалы полупроводника. Это позволяет приборы СиК управляться на весьма уровнях наивысшей мощности и все еще рассеивает большое количество сверхнормальной жары произведенной от приборов.

 

Высокочастотные приборы силы

СиК основанная на электроника микроволны использована для беспроводных сообщений и радиолокатора.

 

Низложение нитрида ИИИ-В

Эпитаксиальные слои ГаН, АлксГа1-ксН и ИныГа1-ыН на субстрате СиК или субстрате сапфира.

Эпитаксия нитрида галлия на шаблонах СиК использована для того чтобы изготовить голубые светоизлучающие диоды (голубое СИД) и и почти солнечные слепые УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ фотодетекторы

 

Электронно-оптические приборы

Приборы основанные СиК имеют низкое рассогласование решетки с эпитаксиальными слоями ИИИ-нитрида. Они имеют высокую термальную проводимость и могут быть использованы для контроля процессов сгорания и для всех видов Ультрафиолетовый-обнаружения.

СиК основанные на полупроводниковые устройства могут работать под очень враждебными окружающими средами, как высокая температура, наивысшая мощность, и высокие условия радиации.

 

Приборы наивысшей мощности

СиК имеет следующие свойства:

Поле пробоя электрическим разрядом Бандгап широкой энергии высокое    

Проводимость высокой дрейфовой скорости сатурации высокая термальная

 

СиК использован для изготовления очень высоковольтных и высокомощных приборов как диоды, транситорс силы, и приборы микроволны наивысшей мощности. Сравненный к обычным Си-приборам, СиК основанные на приборы силы имеют более быстрые напряжения тока скорости переключения более высокие, более низкие паразитные сопротивления, более небольшой размер, меньше охлаждая необходимы должного к высокотемпературной возможности.

СиК имеет более высокую термальную проводимость чем смысл ГаАс или Си который приборы СиК могут теоретически привестись в действие на более высоких плотностях мощности чем или ГаАс или Си. Более высокая термальная проводимость совмещенная с широким бандгап и высокое критическое поле дают полупроводникам СиК преимущество когда наивысшая мощность ключевая желаемая особенность прибора.

 

В настоящее время кремниевый карбид (СиК) широко использован на наивысшая мощность ММИК

применения. СиК также использован как субстрат для эпитаксиального роста ГаН для даже приборов более высокой силы ММИК

 

 

2. размер субстратов стандарта

спецификации субстрата кремниевого карбида особой чистоты 4Х 4 дюймов диаметра

СВОЙСТВО СУБСТРАТА

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

Диаметр

100,0 мм +0.0/-0.5мм

Поверхностная ориентация

{0001} ±0.2°

Основная плоская ориентация

<11->20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина

32,5 мм ±2.0 мм

Вторичная плоская длина

18,0 мм ±2.0 мм

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

см2 ≤5 микропипес/

см2 ≤10микропипес/

см2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

зона ≤10%

Резистивность

≥1Э5 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э5 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

10μм

μм 15

Смычок (абсолютная величина)

μм 25

μм 30

Искривление

μм 45

Поверхностный финиш

Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)

Шероховатость поверхности

Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си

Н/А

Отказы светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

Обломоки/инденц края диффузным освещением

Никакие позволили

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Полная годная к употреблению область

≥90%

≥80%

Н/А

Пакет: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах 25пкс

                   или одиночные контейнеры вафли, под атмосферой азота.

 

*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента

 

3. Изображения

 

Полу- изолируя субстрат кремниевого карбида, особая чистота вафли 4Х Сик

 

вопросы и ответы:

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

К: Как оплатить?

А: 100%Т/Т, ПайПал, безопасная оплата и оплата обеспечения.

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 25пкс вверх.

 

Упаковка & доставка

 

Упаковка кассета вафли → продуктов одиночная или 25 коробок ПК в комнате чистки
Внутренний вкладыш валика анти--вибрации пластмасс пены упаковки для пакета
Наружноеупаковки 5 слоев гофрировало коробку коробки бумажную или по мере необходимости
Грузить самолетом УПС →, ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, ЭМС, СФ, етк
 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты