Главная страница ПродукцияСубстрат SiC

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик
фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Большие изображения :  фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4инч--семи особая чистота
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1шт
Цена: by required
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
Время доставки: 15days
Поставка способности: 100pcs/months

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик

описание
Материал: кристалл сик Индустрия: вафля полупроводника
Применение: приведенный полупроводник, прибор, производительность электроники, 5Г Цвет: голубой, зеленый, белый
Тип: 4Х, 6Х, ДАЛО ДОПИНГ, никакой давать допинг, особая чистота
Высокий свет:

субстрат кремниевого карбида

,

субстрат сик

субстраты очищенности 4инч СиК Субстратешигх кремниевого карбида особой чистоты 4Х Полу-изолируя, субстраты для субстратов полупроводника 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида 4инч кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета

 

О СиК Кристл

Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд /k ɑːрбəˈрʌндəм/, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. Он происходит в природе как весьма редкое минеральное моиссаните. Синтетический порошок кремниевого карбида масс-произведен с 1893 для пользы как абразив. Зерна кремниевого карбида могут быть скреплены совместно путем спекать для того чтобы сформировать очень трудную керамику которые широко использованы в применениях требуя высокой выносливости, как тормозы автомобиля, муфты автомобиля и керамические плиты в бронежилетах. Электронные применения кремниевого карбида как светоизлучающие диоды (LEDs) и детекторы в предыдущих радио сперва были продемонстрированы около 1907. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или обоих. Большие одиночные кристаллы кремниевого карбида могут вырастись методом Лелы; их можно отрезать в самоцветы известные как синтетическое моиссаните. Кремниевый карбид с высокой поверхностной областью можно произвести от СиО2, который содержат в заводском материале.

 

Применения субстратов и вафель СиК кристаллических

Крйцальс кремниевого карбида (СиК) имеют уникальные физические и электронные свойства. Приборы основанные кремниевым карбидом были использованы для короткой длины волны электронно-оптической, высокотемпературных, радиационностойких апплькятионс. Высокомощные и высокочастотные электронные устройства сделанные с СиК главны к Си и основанным ГаАс приборам. Ниже некоторые популярные применения субстратов СиК.

 

Низложение нитрида ИИИ-В

Эпитаксиальные слои ГаН, АлксГа1-ксН и ИныГа1-ыН на субстрате СиК или субстрате сапфира.

Эпитаксия нитрида галлия на шаблонах СиК использована для того чтобы изготовить голубые светоизлучающие диоды (голубое СИД) и и почти солнечные слепые УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ фотодетекторы

 

Электронно-оптические приборы

Приборы основанные СиК имеют низкое рассогласование решетки с эпитаксиальными слоями ИИИ-нитрида. Они имеют высокую термальную проводимость и могут быть использованы для контроля процессов сгорания и для всех видов Ультрафиолетовый-обнаружения.

СиК основанные на полупроводниковые устройства могут работать под очень враждебными окружающими средами, как высокая температура, наивысшая мощность, и высокие условия радиации.

 

Приборы наивысшей мощности

СиК имеет следующие свойства:

Широкая энергия Бандгап

Высокое поле пробоя электрическим разрядом

Высокая дрейфовая скорость сатурации

Высокая термальная проводимость

СиК использован для изготовления очень высоковольтных и высокомощных приборов как диоды, транситорс силы, и приборы микроволны наивысшей мощности. Сравненный к обычным Си-приборам, СиК основанные на приборы силы имеют более быстрые напряжения тока скорости переключения более высокие, более низкие паразитные сопротивления, более небольшой размер, меньше охлаждая необходимы должного к высокотемпературной возможности.

СиК имеет более высокую термальную проводимость чем смысл ГаАс или Си который приборы СиК могут теоретически привестись в действие на более высоких плотностях мощности чем или ГаАс или Си. Более высокая термальная проводимость совмещенная с широким бандгап и высокое критическое поле дают полупроводникам СиК преимущество когда наивысшая мощность ключевая желаемая особенность прибора.

В настоящее время кремниевый карбид (СиК) широко использован для наивысшей мощности ММИКаппликатионс. СиК также использован как субстрат для эпитаксиального роста ГаН для даже приборов более высокой силы ММИК

 

Высокотемпературные приборы

Потому что СиК имеет высокую термальную проводимость, СиК рассеивает жару более быстро чем другие материалы полупроводника. Это позволяет приборы СиК управляться на весьма уровнях наивысшей мощности и все еще рассеивает большое количество сверхнормальной жары произведенной от приборов.

 

Высокочастотные приборы силы

СиК основанная на электроника микроволны использована для беспроводных сообщений и рад

 

2. размер субстратов

спецификации субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра 4Х-семи

СВОЙСТВО СУБСТРАТА

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

Диаметр

100,0 мм +0.0/-0.5мм

Поверхностная ориентация

{0001} ±0.2°

Основная плоская ориентация

<11->20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина

32,5 мм ±2.0 мм

Вторичная плоская длина

18,0 мм ±2.0 мм

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

см2 ≤5 микропипес/

см2 ≤10микропипес/

см2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

зона ≤10%

Резистивность

≥1Э7 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

10μм

μм 15

Смычок (абсолютная величина)

μм 25

μм 30

Искривление

μм 45

Поверхностный финиш

Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)

Шероховатость поверхности

Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си

Н/А

Отказы светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

Обломоки/инденц края диффузным освещением

Никакие позволили

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Полная годная к употреблению область

≥90%

≥80%

Н/А

 

Другой размер 

спецификации субстрата кремниевого карбида 3 дюймов диаметра 4Х

СВОЙСТВО СУБСТРАТА

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

Диаметр

76,2 мм ±0.38 мм

Поверхностная ориентация

{0001} ±0.2°

Основная плоская ориентация

<11->20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина

22,0 мм ±2.0 мм

Вторичная плоская длина

11,0 мм ±1.5мм

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

см2 ≤5 микропипес/

см2 ≤10микропипес/

см2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

зона ≤10%

Резистивность

≥1Э7 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

μм ≤10

μм ≤15

Смычок (абсолютная величина)

μм ≤15

μм ≤25

Искривление

μм ≤35

Поверхностный финиш

Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)

Шероховатость поверхности

Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си

Н/А

Отказы светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

Обломоки/инденц края диффузным освещением

Никакие позволили

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Полная годная к употреблению область

>90%

>80%

Н/А

*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента

 

спецификации субстрата кремниевого карбида 2 дюймов диаметра 4Х

СВОЙСТВО СУБСТРАТА

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

Диаметр

50,8 мм ±0.38 мм

Поверхностная ориентация

{0001} ±0.2°

Основная плоская ориентация

<11->20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина

16,0 мм ±1.65 мм

Вторичная плоская длина

8,0 мм ±1.65 мм

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

см2 ≤5 микропипес/

см2 ≤10микропипес/

см2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

зона ≤10%

Резистивность

≥1Э7 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

μм ≤10

μм ≤15

Смычок (абсолютная величина)

μм ≤10

μм ≤15

Искривление

μм ≤25

Поверхностный финиш

Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)

Шероховатость поверхности

Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си

Н/А

Отказы светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

Обломоки/инденц края диффузным освещением

паге2имаге63440

Никакие позволили

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Полная годная к употреблению область

≥90%

≥80%

Н/А

3.пиктурес

 

 

фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик 1фиктивная особая чистота 4х-семи кремниевого карбида ранга исследования продукции ООН-дала допинг прозрачной вафле сик 2

 

вопросы и ответы:                                                 

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением или ФОБ.

К: Как оплатить?

А: 100%Т/Т, ПайПал,

 

К: Что ваши МОК и срок поставки?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс в 10дайс

(2) для подгонянных продуктов, МОК 10пкс вверх по ин10-20дайс.

 

К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, толщину, размер, поверхность.

 

Контактная информация
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Контактное лицо: Wang

Телефон: +8615801942596

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты