Все продукты

Вафля нитрида галлия (12)

Вафля сапфира (31)

Субстрат SiC (20)

Вафля фосфида индия (10)

Сапфир оптически Виндовс (26)

Части сапфира (39)

защитное прозрачное стекло сапфира (11)

Вафля LiNbO3 (6)

Вафля GaAs (9)

Синтетический сапфир штанга (6)

Синтетический рубин (10)

Кремниевая пластина ИК (8)

Плита плавленного кварца (6)

керамический субстрат (9)

Оставьте нам сообщение

Слой вафли субстратов нитрида алюминия 2INCH AlN на вафле сапфира 0.43mm

Большие изображения : Слой вафли субстратов нитрида алюминия 2INCH AlN на вафле сапфира 0.43mm

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	zmkj
Номер модели:	2инч АлН

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	5pc
Цена:	by case
Упаковывая детали:	одиночный случай вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки:	2-4 Weeks
Условия оплаты:	L / C, T / T

контакт

Подробное описание продукта

Материал:	АлН на вафле	Метод:	ХВПЭ
Размер:	2инч	Толщина:	430+15um
Индустрия:	Приведенный ЛД, прибор лазера, детектор,	Поверхность:	ДСП
Высокий свет:	gan template , aln template

шаблон 2инч АлН на сапфире или субстратах сик, вафле нитрида галлия ХВПЭ, субстратах АлН на ГаН

Мы предлагаем одиночные кристаллические субстраты АлН на шаблоне сапфира к-самолета, который вызвал вафлю АлН или шаблон АлН, для УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО СИД, полупроводниковых устройств и эпитаксиального роста АлГаН. Наши епи-готовые, субстраты АлН К-самолета имеют хорошее СРД ФВХМ или плотность дислокации. Доступная толщина от 30нм к 5ум.

Наши субстраты нитрида алюминия одиночного кристалла с низким вывихиванием имеют широко применение: включая УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ СИД, детекторы, окна искателей инфракрасн, эпитаксиальный рост ИИИ-нитридов, лазера, транзисторов РФ и другого полупроводникового устройства.

Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.
Шаблон АлН использован для развития структур ХЭМТ, резонирующих прокладывая тоннель диодов и

акустоелектроник приборы

Слой вафли субстратов нитрида алюминия 2INCH AlN на вафле сапфира 0.43mm 0

Спецификации:

	2" шаблоны АлН
Деталь	АлН-Т
Размеры	Ф 2"
Субстрат	Сапфир, СиК, ГаН
Толщина	1000нм+/- 10%
Ориентация	± 1° К-оси (0001)
Тип кондукции	Полу-изолировать
Плотность дислокации	СРД ФВХМ (0002) < 200="" arcsec="">
	СРД ФВХМ (10-12) < 1000="" arcsec="">
Годная к употреблению поверхностная область	> 80%
Полировать	Стандарт: ССП
	Вариант: ДСП
Пакет	Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах 25пкс или одиночных контейнеров вафли, под атмосферой азота.