Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596
Дом > ПРОДУКТЫ > Вафля нитрида галлия >
шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный
  • шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный
  • шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный

Место происхождения Китай
Фирменное наименование zmkj
Номер модели ГаН-шаблоны
Детали продукта
Материал:
Epi GaN на несущей сапфира
Метод:
ХВПЭ
Размер:
2инч
Толщина:
430um
Индустрия:
Приведенный ЛД, прибор лазера, детектор,
Поверхность:
одиночная отполированная сторона
Высокий свет: 

ган субстрат

,

ган шаблон

Характер продукции

шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН,

Спецификации/особенности ГаН:

  1. Нитрид галлия (ГаН) очень трудный сделанный материал который имеет вуртцит кристаллическая структура и вероятно самый важный материал полупроводника как материал третьего поколения семи.
  2.  Его можно использовать для того чтобы испустить гениальный свет в форме светоизлучающих диодов (СИД) и лазерных диодов, так же, как быть основным материалом для частоты коротковолнового диапазона следующего поколени, транзисторами наивысшей мощности способными на работать в условиях высоких температур.
  3. ГаН основало эпитаксиальную вафлю (сапфир, СиК) эпитаксиальные вафли растутся методом МБЭ или МОКВД, один слой или разнослоистые структуры на субстратах сапфира, диаметре до 4 дюйма.

Крышка ширины связи ИИИ-нитрида (ГаН, АлН, гостиницы) запрещенная (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч,

видимый свет и инфраред.ГаН можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение

и отображать, дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.

 шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный 0
 
Спецификации:
 

2" шаблоны ГаН

 

 Деталь

 

ГаН-Т-Н  

ГаН-Т-С

Размеры

Ф 2"

 Толщина

15 μм, 20 μм, 30 μм, μм 40

30 μм, μм 90

 Ориентация

± 1° К-оси (0001)

Тип кондукции

Н типа

Полу-изолировать

 Резистивность (300К)

< 0="">Ω·см

>106 Ω·см

 Плотность дислокации

Чем см-2 1кс108

Структура субстрата

 
Толстое ГаН на сапфире 430ум или 330ум (0001)

 

 Годная к употреблению поверхностная область

> 90%

Полировать

Стандарт: Вариант ССП: ДСП

 Пакет

Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах 25пкс или одиночных контейнеров вафли, под атмосферой азота.

шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный 1шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный 2


шаблон субстратов нитрида галлия 2inch 4inch свободно стоящий GaN для приведенный 3
- вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы принимаем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ ФОБ.
К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как вафля 2инч 0.33мм.
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.
К: Как оплатить?
100%Т/Т заранее, ПайПал, западное соединение, МонейГрам,


 

Порекомендованные продукты

Свяжитесь мы в любое время

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, бульвар Dianshanhu, зона Qingpu, город Шанхая, КИТАЙ
Отправьте ваше дознание сразу в нас