Подробная информация о продукции

Дом ПРОДУКТЫ

Отполированная 4H-SEMI твердость объектива 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 вафли Sic для материала прибора

Наименование марки:	zmsh
Номер модели:	сик-6инч 4х-н
MOQ:	1шт
цена:	by case
Время доставки:	15дайс внутри

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

индустрия:

субстрат полупроводника

материалы:

кристалл sic

применение:

5G, материал прибора, MOCVD, производительность электроники

Тип:

4H-N, semi, данное допинг никакое

цвет:

зеленый, голубой, белый

hardeness:

9,0 вверх

Упаковывая детали:

подгонянным случаем

Выделить:

вафля сик

субстрат сик

Характер продукции

субстраты 6инч сик, слиток сик, слитки сик кристаллические, блок сик кристаллический, субстраты полупроводника сик, вафля кремниевого карбида 6инч, вафля 4Х-семи СиК, тип фиктивная вафля 6инч 4Х-Н сик ранга для теста,

1. Описание

Свойство	4Х-СиК, одиночное Кристл	6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решетки	а=3.076 Å к=10.053 Å	а=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность	АБКБ	АБКАКБ
Твердость Мохс	≈9.2	≈9.2
Плотность	3,21 г/км3	3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения	4-5×10-6/К	4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции	отсутствие = 2,61 не = 2,66	отсутствие = 2,60 не = 2,65
Диэлектрическая константа	к~9.66	к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)	а~4.2 В/км·K@298K к~3.7 В/км·K@298K
Термальная проводимость (Полу-изолировать)	а~4.9 В/км·K@298K к~3.9 В/км·K@298K	а~4.6 В/км·K@298K к~3.2 В/км·K@298K
Диапазон-зазор	еВ 3,23	еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое	3-5×106В/км	3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации	2.0×105м/с	2.0×105м/с

2. Материальное дескрибтион размера

спецификация субстрата кремниевого карбида 6 дюймов диаметра (СиК)


Ранг		Ранг з	Ранг п	Ранг р	Ранг д

		ЗЭРО МПД	Продукция	Ранг исследования	Фиктивная ранг

Диаметр		150мм±0.5 мм

Толщина		350 μм±25μм или 500±25ум или подгонянным размером

Ориентация вафли		С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4Х-Н

Плотность Микропипе		≤1км-2	см-2 ≤5	см-2 ≤15	см-2 ≤50

Резистивность	4Х-Н	0.015~0.028 Ω·см

	4/6Х-СИ	>1Э5 Ω·см

Основная квартира		{10-10} ±5.0°

Основная плоская длина		47.5мм±2.5 мм

Исключение края		3мм

ТТВ/Бов /Warp		≤15μм/≤40μм/≤60μм

Шершавость		Польское Ра≤1 нм

		КМП Ра≤0.5 нм

		Никакие	Никакие	1 позволенный, ≤1 мм
Отказы светом высокой интенсивности

Плиты наговора светом высокой интенсивности		Кумулятивное ареа≤ 1%	Кумулятивное ареа≤ 1%	Кумулятивное ареа≤ 3%

		Никакие	Кумулятивное ареа≤ 2%	Кумулятивное ареа≤5%
Зоны Полытыпе светом высокой интенсивности

		3 царапины к длине диаметра 1×вафер кумулятивной	5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной	8 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной
Царапины светом высокой интенсивности

Обломок края		Никакие	3 позволенного, ≤0.5 мм каждое	5 позволенных, ≤1 мм каждое

Загрязнение светом высокой интенсивности		Никакие

3. продукты

вопросы и ответы:

К: Что путь доставки и цены?

А: (1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) он отлично если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

К: Как оплатить?

А: Депозит Т/Т 100% перед доставкой.

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 1пкс. если 2-5пкс оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, МОК 10пкс вверх.

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 -4 недель после того как вы приказываете контакт.

К: Вы имеете стандартные продукты?

А: Наши стандартные продукты в запасе. как как субстраты 4инч 0.35мм.

Тханкс~~~

Бирки:

Вафля нитрида галлия

Вафля сапфира

Субстрат SiC

Сапфир оптически Виндовс

Кремниевая пластина ИК

Синтетический сапфир штанга

Плита плавленного кварца

Части сапфира

Синтетическая драгоценная камень

Оборудование полупроводника

Вафля LiNbO3

Вафля GaAs

Вафля фосфида индия

керамический субстрат

Оболочка лаборатории