Дом
>
ПРОДУКТЫ
>
Субстрат SiC
>
|
|
| Место происхождения | КИТАЙ |
| Фирменное наименование | zmkj |
| Номер модели | 6h-n, 4h-semi |
тип субстраты 4inch dia100m 4H-N SiC ранга ранга продукции ФИКТИВНЫЕ, субстраты кремниевого карбида для полупроводникового устройства,
4h-semi 4h-N подгоняло квадратные вафли sic формы
Зоны применения
1 диод высокочастотных и наивысшей мощности электронных устройств Schottky,
JFET, BJT, PiN, диоды, IGBT, MOSFET
2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД GaN/SiC голубом (GaN/SiC)
Advantagement
• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона
Карборунд вафли субстрата SiC кремниевого карбида кристаллический
СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА
| Название продукта: | Субстрат кремниевого карбида (SiC) кристаллический | ||||||||||||||||||||||||
| Характер продукции: | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Технические параметры: |
|
||||||||||||||||||||||||
| Спецификации: | 6H N типа 4H N типа полу-изолируя dia2 «x0.33mm, dia2» x0.43mm, dia2 '' x1mmt, ход 10x10mm, 10x5mm одиночный или двойной ход, Ра <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| Стандартная упаковка: | чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки |
2. субстраты определяют размер стандарта
|
спецификация субстрата кремниевого карбида 4 дюймов диаметра (SiC) |
|||||||||
| Ранг | Нул рангов MPD | Ранг продукции | Ранг исследования | Фиктивная ранг | |||||
| Диаметр | 100,0 mm±0.5 mm | ||||||||
| Толщина | 350 μm±25μm (толщина 200-500um также в порядке) | ||||||||
| Ориентация вафли | С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4H-N/4H-SI на оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Плотность Micropipe | см-2 ≤1 | см-2 ≤5 | см-2 ≤15 | см-2 ≤50 | |||||
| Резистивность | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•см | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•см | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·см | ||||||||
| Основная квартира и длина | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 mm | ||||||||
| Вторичная плоская длина | 18.0mm±2.0 mm | ||||||||
| Вторичная плоская ориентация | Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0° | ||||||||
| Исключение края | 3 mm | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Шершавость | Польское Ra≤1 nm, CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Отказы светом высокой интенсивности | Никакие | 1 позволенный, ≤2 mm | Кумулятивное ≤ 10mm длины, одиночное length≤2mm | ||||||
| Плиты наговора светом высокой интенсивности | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤3% | ||||||
| Зоны Polytype светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивная область ≤2% | Кумулятивная область ≤5% | ||||||
| Царапины светом высокой интенсивности | 3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной | ||||||
| обломок края | Никакие | 3 позволенного, ≤0.5 mm каждое | 5 позволенных, ≤1 mm каждое | ||||||
| Загрязнение светом высокой интенсивности | Никакие | ||||||||
Вафля Sic & слитки 2-6inch и другой подгонянный размер также смогите быть обеспечено.
3.Pictures продуктов доставки раньше
: вафли полупроводника и оптически объектив, зеркала, окна, фильтры, призмы
: Вообще срок поставки около один месяц для изготовленного на заказ произведенного запаса optics.except одни или некоторая особенная оптика.
: Мы можем обеспечить свободные образцы если мы имеем оптику запаса как ваша просьба, то пока изготовленные на заказ произведенные образцы не свободны.
MOQ 10pcs для большего части из вафли или объектива, пока MOQ смогло быть только цельно если вам нужен элемент в большом размере.
T/T, L/C, ВИЗА, PayPal, Alipay или переговоры.
Свяжитесь мы в любое время
