вафля 2инч 6Х-Семи сик, подгонянные субстраты сик, вафли 2инч 6Х-Н сик, слитки сик кристаллические, вафля кремниевого карбида
Зоны применения
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
Свойство | 4Х-СиК, одиночное Кристл | 6Х-СиК, одиночное Кристл |
Параметры решетки | а=3.076 Å к=10.053 Å | а=3.073 Å к=15.117 Å |
Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
Твердость Мохс | ≈9.2 | ≈9.2 |
Плотность | 3,21 г/км3 | 3,21 г/км3 |
Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
Индекс @750нм рефракции |
отсутствие = 2,61 не = 2,66 |
отсутствие = 2,60 не = 2,65 |
Диэлектрическая константа | к~9.66 | к~9.66 |
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02) |
а~4.2 В/км·K@298K к~3.7 В/км·K@298K |
|
Термальная проводимость (Полу-изолировать) |
а~4.9 В/км·K@298K к~3.9 В/км·K@298K |
а~4.6 В/км·K@298K к~3.2 В/км·K@298K |
Диапазон-зазор | еВ 3,23 | еВ 3,02 |
Поле нервного расстройства электрическое | 3-5×106В/км | 3-5×106В/км |
Дрейфовая скорость сатурации | 2.0×105м/с | 2.0×105м/с |
Стандартные спецификации.
спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра 2инч (СиК) | ||||||||||
Ранг | Зеро ранг МПД | Ранг продукции | Ранг исследования | Фиктивная ранг | ||||||
Диаметр | 50,8 мм±0.2мм | |||||||||
Толщина | 330 μм±25μм или 430±25ум | |||||||||
Ориентация вафли | С оси: 4.0° к <1120> ±0.5° для 4Х-Н/4Х-СИ на оси: <0001>±0.5° для 6Х-Н/6Х-СИ/4Х-Н/4Х-СИ | |||||||||
Плотность Микропипе | см-2 ≤0 | см-2 ≤5 | см-2 ≤15 | см-2 ≤100 | ||||||
Резистивность | 4Х-Н | 0.015~0.028 Ω•см | ||||||||
6Х-Н | 0.02~0.1 Ω•см | |||||||||
4/6Х-СИ | ≥1Э5 Ω·см | |||||||||
Основная квартира | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Основная плоская длина | 18,5 мм±2.0 мм | |||||||||
Вторичная плоская длина | 10.0мм±2.0 мм | |||||||||
Вторичная плоская ориентация | Кремний лицевой: 90° КВ. от основного плоского ±5.0° | |||||||||
Исключение края | 1 мм | |||||||||
ТТВ/Бов /Warp | ≤10μм/≤10μм/≤15μм | |||||||||
Шершавость | Польское Ра≤1 нм | |||||||||
КМП Ра≤0.5 нм | ||||||||||
Отказы светом высокой интенсивности | Никакие | 1 позволенный, ≤2 мм | Кумулятивное ≤ 10мм длины, одиночное лентх≤2мм | |||||||
Плиты наговора светом высокой интенсивности | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤1% | Кумулятивная область ≤3% | |||||||
Зоны Полытыпе светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивная область ≤2% | Кумулятивная область ≤5% | |||||||
Царапины светом высокой интенсивности | 3 царапины к длине диаметра 1×вафер кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной | 5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной | |||||||
обломок края | Никакие | 3 позволенного, ≤0.5 мм каждое | 5 позволенных, ≤1 мм каждое | |||||||
Консервная банка ЗМКДЖ снабжает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля СиК материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле ГаАс, вафля СиК более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.
Упаковка и доставка
>Упаковка – Логисткс
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия.
Согласно количеству и форме продукта, мы примем различный упаковывая процесс! Почти одиночными кассетами вафли или кассетой 25пкс в комнате чистки 100 рангов.
Свяжитесь мы в любое время