Отправить сообщение
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Почта: eric_wang@zmsh-materials.com ТЕЛЕФОН: 86-1580-1942596

Дом

>

ПРОДУКТЫ >

sic wafer Онлайн изготовитель

ВСЕ ПРОДУКТЫ

ГОРЯЧИЕ ПРОДУКТЫ

Видео Купить ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной Онлайн изготовитель

ультратонкой вафля двойника сапфира 2inch толщины 0.1mm 0.2mm отполированная стороной

Купить ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная Онлайн изготовитель

ранг субстрата sic кремниевого карбида вафли 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC основная фиктивная

Купить материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий Онлайн изготовитель

материал GaN одиночного Кристл размера 2-4inch HVPE GaN подгонянный вафлей свободно стоящий

Видео Купить Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину Онлайн изготовитель

Твердость Al2O3 9,0 дала допинг отполированному синтетическому рубину

Видео Купить Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора Онлайн изготовитель

Рубин оптически сапфирового стекла синтетический для стекла дозора

Купить Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления Онлайн изготовитель

Вафли теплоотвода диаманта GaN метода MPCVD для термальной зоны управления

Купить GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма Онлайн изготовитель

GaN-НА-GaN субстратах GaN микро- вафель СИД EPI свободных стоя 2 дюйма

Купить Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя Онлайн изготовитель

Субстраты GaN вафли нитрида галлия 2 дюймов DSP одиночного Кристл свободные стоя

sic wafer (121) Онлайн изготовитель

Качество вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC фабрика

вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC

Видео Качество Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным фабрика

Подгонянное рассогласование решетки обломока Сик квадрата размера низкое с высоко термальным

Качество Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования фабрика

Подгонянная твердость субстрата кремниевого карбида размера 9,4 части Sic для оборудования

Качество Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого фабрика

Вафля кремниевого карбида SIC субстрата полупроводника 4H-N 8inch для солнечное фотовольтайческого

Видео Качество вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC фабрика

вафля 10 x 10 x 0.5mm кремниевого карбида 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Видео Качество Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC фабрика

Манекен ранга продукции 4H-N ранг вафлю 8inch Dia200mm субстрата SiC

Видео Качество подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm фабрика

подгонянные обломоки вафель размера 4h-n 6h-semi sic размера 5x5 10x10mm

Качество субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой фабрика

субстрат резистивности >1E7ohm.cm SiC customzied формой

Качество Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic фабрика

Фиктивная толщина вафли Dia150mm 4H-N 500mm субстрата ранга 6Inch Sic

Качество Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные фабрика

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Качество 6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD фабрика

6inch тип субстрат толщины 350um 4H n Dia 150mm SiC для применения MOS SBD

Качество лазер sic режа обслуживание для обломоков sic плитами 0.5x0.5mm квадратными фабрика

лазер sic режа обслуживание для обломоков sic плитами 0.5x0.5mm квадратными

Качество резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic фабрика

резистивность 0.015-0.028ohm субстрата 10x10mm 5x5mm SiC. См или обломоки >1E7ohm.Cm Sic

Качество кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников фабрика

кремниевый карбид слитка 4инч Сик толщина 5 до 15мм для полупроводников

Качество Субстрат Sic С 9,7 диэлектрической 4,9 W/mK термальной проводимостью постоянного фабрика

Субстрат Sic С 9,7 диэлектрической 4,9 W/mK термальной проводимостью постоянного

1 2 3 4 5 6 7 8